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公开(公告)号:CN111670077A
公开(公告)日:2020-09-15
申请号:CN201980011021.4
申请日:2019-01-30
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明提供能够高效地从包含各种形状的被分选物中分选线状物的线状物的去除方法、线状物的去除装置以及电子、电气设备部件屑的处理方法。线状物的去除方法包括:将具备在原料的供给方向上相互隔开间隔地延伸的多个杆的过滤器配置于振动筛机内,在过滤器上配置至少包含线状物和板状物的原料,并对过滤器施加振动,从而将线状物向筛下侧筛分。
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公开(公告)号:CN110997568A
公开(公告)日:2020-04-10
申请号:CN201880050559.1
申请日:2018-08-01
Applicant: 捷客斯金属株式会社
IPC: C01D7/00 , B09B3/00 , C01D7/07 , C01D7/10 , C01D15/08 , C22B1/02 , C22B3/04 , C22B3/06 , C22B3/44 , C22B7/00 , C22B26/12 , H01M10/54
Abstract: 本发明的锂化合物的溶解方法中,使锂化合物接触水或酸性溶液,并且与上述锂化合物分开地另行向上述水或酸性溶液中供给碳酸根离子而产生碳酸,使锂化合物与上述碳酸反应而生成碳酸氢锂。
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公开(公告)号:CN110505755A
公开(公告)日:2019-11-26
申请号:CN201910402418.8
申请日:2019-05-15
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor: 坂东慎介
Abstract: 本发明提供:提高了蚀刻速度的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。一种柔韧印刷基板用铜箔,该铜箔是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0300质量%的P、0.0005~0.2500质量%的Mg的任一者或两者、且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔,电导率为80%以上,并且在25μm×25μm的视野下观察铜箔表面时晶界的总长度为600μm以上。
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公开(公告)号:CN110462077A
公开(公告)日:2019-11-15
申请号:CN201880022121.2
申请日:2018-03-23
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本申请发明的目的在于:提供在提高强度的同时减少蚀刻后的表面凹凸、并提高蚀刻后的尺寸精度的Cu-Ni-Si系铜合金条。本申请发明的Cu-Ni-Si系铜合金条是含有1.5~4.5质量%的Ni、0.4~1.1质量%的Si的Cu-Ni-Si系铜合金条,电导率为30%IACS以上,拉伸强度为800MPa以上,关于欧拉角(φ1、Φ、φ2),所有欧拉角的晶体取向的极密度均为12以下,以轧制平行方向作为长度方向切出宽度20mm×长度200mm的试验片,当使用已调整至波美度47的液温40℃的氯化铁水溶液进行半蚀刻时,距离蚀刻前的长度方向的翘曲量的变化∆b为6mm以下。
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公开(公告)号:CN107532287B
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201680023081.4
申请日:2016-05-17
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 一种钽溅射靶,其中,在使用背散射电子衍射法对作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND进行观察时,{111}面沿ND取向的晶粒的面积率为35%以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射的情况下,通过增强溅射物质的直进性,能够在晶片面上将溅射物质均匀地成膜的钽溅射靶。在使用这样的钽靶进行溅射的情况下,即使对于微细布线而言也能够提高膜厚的均匀性和成膜的生产能力。
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公开(公告)号:CN107429312B
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201680018936.4
申请日:2016-03-29
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Abstract: 本发明的从含铁溶液除去铁的方法是从包含铁离子的含铁溶液中除去铁的方法,其中,将包含锰的锂离子电池正极材料添加到硫酸酸性溶液中而得到含正极材料溶液,然后使上述含铁溶液与含正极材料溶液混合而得到混合液,在该混合液中,使锰离子以二氧化锰的形式沉淀,并且使含铁溶液中所含的铁离子以固体形式沉淀。
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公开(公告)号:CN109385556A
公开(公告)日:2019-02-26
申请号:CN201810877213.0
申请日:2018-08-03
Applicant: 捷客斯金属株式会社
Inventor: 坂东慎介
Abstract: 本发明提供一种弯曲性和耐软化特性均优异的柔韧印刷基板用铜箔、使用了该铜箔的覆铜层叠体、柔韧印刷基板和电子设备。一种柔韧印刷基板用铜箔,其是包含99.0质量%以上的Cu、和余量的不可避免的杂质的铜箔,分别单独或两种以上含有以下的元素:0.0005质量%以上且0.03质量%以下的P、0.0005以上且0.05质量%以下的Ag、0.0005质量%以上且0.14质量%以下的Sb、0.0005质量%以上且0.163质量%以下的Sn、0.0005质量%以上且0.288质量%以下的Ni、0.0005质量%以上且0.058质量%以下的Be、0.0005质量%以上且0.812质量%以下的Zn、0.0005质量%以上且0.429质量%以下的In、和0.0005质量%以上且0.149质量%以下的Mg,所述铜箔的半软化温度为160~300℃,以轧制面的通过X射线衍射求出的(200)面的强度为I、以微粉铜的通过X射线衍射求出的强度为I0时,(I/I0)为3.0以下。
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