고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판
    151.
    发明公开
    고밀도 실장용 박막 콘덴서, 그 제조방법 및 고밀도 실장 기판 有权
    用于高密度嵌入式基板的薄膜冷凝器,以及用于制造薄膜冷凝器和包含薄膜冷凝器的高密度嵌入式基板的方法

    公开(公告)号:KR1020130131063A

    公开(公告)日:2013-12-03

    申请号:KR1020120054827

    申请日:2012-05-23

    Abstract: The present invention relates to a high-density mounting thin film condenser, a manufacturing method of the same, and a high-density mounting substrate. The present invention provides a high-density mounting thin film condenser and a manufacturing method of the same comprising: a support substrate; a lower electrode formed in the support substrate; a dielectric thin film formed in the lower electrode; and an upper electrode formed in the dielectric thin film; wherein two upper electrodes are formed by leaving a separated gap therebetween in the dielectric thin film. Also, the present invention provides a high-density mounting substrate comprising: at least two or more stacked base materials; thin film condensers for being included in the stacked base materials and following one of sections 1 to 4; an internal connecting electrode for being formed in the stacked base materials and connecting the thin film condensers in series or in parallel; a surface electrode for being formed on the surface of a stacked base material positioned in the most external side among the stacked base materials and being connected with the internal connecting electrode; and an integrated circuit for being connected with the surface electrode through a bump. According to the present invention, a high-density mounting thin film condenser and a high-density mounting substrate have a simple structure, thereby reducing manufacturing costs and having a high mounting effect.

    Abstract translation: 本发明涉及一种高密度安装薄膜电容器及其制造方法以及高密度安装基板。 本发明提供一种高密度安装薄膜冷凝器及其制造方法,包括:支撑基板; 形成在所述支撑基板上的下电极; 形成在下电极中的电介质薄膜; 和形成在电介质薄膜中的上电极; 其中通过在电介质薄膜中留下分开的间隙而形成两个上电极。 此外,本发明提供一种高密度安装基板,其包括:至少两个或更多个堆叠的基材; 薄膜电容器,用于包含在堆叠的基底材料中并且遵循第1至4部分之一; 内部连接电极,用于形成在堆叠的基底材料中并串联或并联连接薄膜电容器; 表面电极,其形成在层叠基材中位于最外侧的堆叠基材的表面上,并与内部连接电极连接; 以及通过凸块与表面电极连接的集成电路。 根据本发明,高密度安装薄膜冷凝器和高密度安装基板具有简单的结构,从而降低制造成本并具有高的安装效果。

    평면형 다단 열전 모듈 및 그 제조방법
    152.
    发明公开
    평면형 다단 열전 모듈 및 그 제조방법 有权
    平面多级热电模块及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130102206A

    公开(公告)日:2013-09-17

    申请号:KR1020120023257

    申请日:2012-03-07

    CPC classification number: H01L35/32 H01L35/02 H01L35/14 H01L35/34

    Abstract: PURPOSE: A planar multi-stage thermoelectric module and a method for fabricate the same are provided to improve thermoelectric performance by stacking at least two thermoelectric elements in a planar direction. CONSTITUTION: An insulation membrane is formed on a substrate. A thermoelectric element (100) is formed on the insulation membrane. The thermoelectric element includes thermoelectric cells (10,20). The thermoelectric cells and a thermoelectric thin film are electrically connected by electrode lines (15,25). The thermoelectric element is multistage-arranged in the planar direction of the insulation membrane.

    Abstract translation: 目的:提供一种平面多级热电模块及其制造方法,以通过在平面方向堆叠至少两个热电元件来提高热电性能。 构成:在基板上形成绝缘膜。 在绝缘膜上形成热电元件(100)。 热电元件包括​​热电池(10,20)。 热电池和热电薄膜通过电极线(15,25)电连接。 热电元件在绝缘膜的平面方向上多级布置。

    투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법
    153.
    发明授权
    투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법 有权
    包含透明氧化物电极的气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101305556B1

    公开(公告)日:2013-09-05

    申请号:KR1020110040673

    申请日:2011-04-29

    Abstract: 본 발명은 투명 산화물 전극을 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판; 상기 기판 상에 형성된 감지 전극; 및 상기 감지 전극 상에 형성된 가스 감응 물질층을 포함하고, 상기 감지 전극이 투명 전도성 산화물 박막으로 구성된 가스 센서 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 감지 전극이 투명 산화물 전극으로 구성되어, 저가격화를 도모함과 동시에 감응도가 향상되고, 높은 신뢰성 및 투명성 등을 갖는다.

    고감도 투명 가스 센서 및 그 제조방법
    154.
    发明公开
    고감도 투명 가스 센서 및 그 제조방법 有权
    高敏感透明气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020130066047A

    公开(公告)日:2013-06-20

    申请号:KR1020110132714

    申请日:2011-12-12

    CPC classification number: B82Y15/00 B82Y40/00 G01N27/12

    Abstract: PURPOSE: A high-sensitivity transparent gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to improve sensitivity by a nano columnar structure, thereby obtaining excellent gas sensitivity. CONSTITUTION: A high-sensitivity transparent gas sensor comprises a transparent substrate(10), a transparent electrode(20), and a transparent gas sensing layer(30). The transparent electrode is formed on the transparent substrate. The transparent gas sensing layer is formed on the transparent electrode. The transparent gas sensing layer includes nano columns(32) formed on the transparent electrode and a nano columnar structure including gas spreading gaps(34) formed between the nano columns.

    Abstract translation: 目的:提供一种高灵敏度透明气体传感器及其制造方法,以通过纳米柱状结构提高灵敏度,从而获得优异的气体敏感性。 构成:高灵敏度透明气体传感器包括透明基板(10),透明电极(20)和透明气体感测层(30)。 透明电极形成在透明基板上。 透明气体感测层形成在透明电极上。 透明气体感测层包括形成在透明电极上的纳米柱(32)和包括在纳米柱之间形成的气体扩散间隙(34)的纳米柱状结构。

    저온공정용 유전체 박막 및 그 제조방법
    155.
    发明授权
    저온공정용 유전체 박막 및 그 제조방법 有权
    用于低温工艺的电介质薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR101219474B1

    公开(公告)日:2013-01-11

    申请号:KR1020110048804

    申请日:2011-05-24

    CPC classification number: C23C14/08 C23C14/3464 C23C14/5806

    Abstract: 본 발명은 유전체 박막 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 하기 일반식의 조성을 가지는 유전체 박막 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, 하기 일반식으로 표시되는 특정의 조성을 포함하여 우수한 유전 특성을 갖는다. 특히, 350℃ 이하의 낮은 온도(상온 내지 350℃)에서 형성(증착)되었음에도 불구하고, 비유전율은 매우 높으면서, 유전손실과 누설전류가 매우 낮은 특성을 갖는다.
    [일반식]
    Ta
    x Mg
    1
    -
    x O
    위 일반식에서, x는 0.082 ≤ x ≤ 0.89이다.

    산화물 박막 소자의 제조방법
    156.
    发明授权
    산화물 박막 소자의 제조방법 有权
    氧化物薄膜装置的制造方法

    公开(公告)号:KR101213606B1

    公开(公告)日:2012-12-18

    申请号:KR1020110043928

    申请日:2011-05-11

    Abstract: 본발명은산화물박막소자의제조방법에관한것이다. 본발명은성장기판상에산화물박막을형성하는단계; 상기산화물박막상에소자기판을접합하는단계; 상기성장기판에레이저를조사하여성장기판과산화물박막을분리하는단계; 및상기분리된산화물박막의표면에산소플라즈마를가하여산화및 표면처리하는단계를포함한다. 본발명에따르면, 레이저조사에의해발생된산화물박막의표면결함층이산소플라즈마에의해산화및 표면처리되어우수한물성을가지는산화물박막소자를제조할수 있다.

    산화물 박막 소자의 제조방법
    157.
    发明公开
    산화물 박막 소자의 제조방법 有权
    氧化物薄膜装置的制造方法

    公开(公告)号:KR1020120126266A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:KR1020110043928

    申请日:2011-05-11

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an oxide thin film device is provided to have excellent physical properties by oxidizing and surface-processing a surface defect layer with oxygen plasma. CONSTITUTION: An oxide thin film(12) is formed a growth substrate(11). A first electrode layer is formed on the oxide thin film. An element substrate is welded on the oxide thin film. The growth substrate is irradiated with laser. The oxide thin film is separated from the growth substrate. Oxygen plasma is added on the surface of the separated oxide thin film. The oxide thin film is oxidized and surface-processed. A second electrode layer is formed on the oxide thin film. [Reference numerals] (AA) Laser beam; (BB) Oxidation and surface processing

    Abstract translation: 目的:通过用氧等离子体氧化和表面处理表面缺陷层,提供一种制造氧化物薄膜器件的方法以具有优异的物理性能。 构成:生长衬底(11)形成氧化物薄膜(12)。 在氧化物薄膜上形成第一电极层。 将元件基板焊接在氧化物薄膜上。 用激光照射生长衬底。 氧化物薄膜与生长衬底分离。 在分离的氧化物薄膜的表面上添加氧等离子体。 氧化物薄膜被氧化并进行表面处理。 在氧化物薄膜上形成第二电极层。 (附图标记)(AA)激光束; (BB)氧化和表面处理

    투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법
    158.
    发明公开
    투명도전 조성물 및 타겟, 이를 이용한 투명도전 박막 및 그 제조방법 有权
    透明导电组合物和目标,透明导电薄膜及其使用目标制备其的方法

    公开(公告)号:KR1020120097451A

    公开(公告)日:2012-09-04

    申请号:KR1020110015507

    申请日:2011-02-22

    CPC classification number: C23C14/086 C23C14/08 C23C14/3414 H01B1/08

    Abstract: PURPOSE: A transparent conductive composition is provided to have excellent conductivity, low resistance, and optical transmittance by doping with a specific composition ratio. CONSTITUTION: A transparent conductive composition comprises a composition with a chemical formula of AlxZn(1-x)O. In the chemical formula, 0.04

    Abstract translation: 目的:提供透明导电组合物以通过以特定组成比掺杂以具有优异的导电性,低电阻和光透射率。 构成:透明导电组合物包含具有化学式Al x Zn(1-x)O的组合物。 在化学式中,0.04 <= x <= 0.063。 透明导电薄膜的靶包含具有化学式的组合物。 透明薄膜包含具有化学式的组合物,透光率为90%以上,电阻率为10 ^( - 3)Ω·cm以下。 透明薄膜的制造方法包括获得目标的步骤和在室温下通过溅射蒸发靶的步骤。

    신규한 리튬 이차전지용 양극 활물질 및 이를 이용한 리튬 이차전지용 양극 박막의 제조방법
    159.
    发明授权
    신규한 리튬 이차전지용 양극 활물질 및 이를 이용한 리튬 이차전지용 양극 박막의 제조방법 失效
    用于锂二次电池的新型阴极活性材料及使用其制造锂二次电池的阴极薄膜的方法

    公开(公告)号:KR101134566B1

    公开(公告)日:2012-04-13

    申请号:KR1020090079155

    申请日:2009-08-26

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 지르코늄이 치환된 리튬 이차전지용 양극 활물질로 사용가능한 신규 화합물, 상기 화합물을 기판 위에 레이저 국소증착(Laser-assisted Chemical Vapor Deposition, LCVD)하여 리튬 이차전지용 양극 박막을 제조하는 방법, 및 상기 양극 박막을 포함하는 리튬 이차전지에 관한 것이다.
    LiZr
    x/2 Mn
    2-x O
    4

    상기 식에서, x는 0〈x≤0.1이다.
    본 발명에 따른 리튬 이차전지용 양극 활물질은 스피넬(spinel) 구조의 리튬-망간 산화물(LiMn
    2 O
    4 )에서 소량의 망간이 지르코늄으로 치환되어 우수한 충방전 용량 및 안정성과 개선된 충방전 수명을 나타내므로, 고에너지 및 고전력 밀도를 요구하는 차세대 마이크로 소자 구현에 유용하게 적용될 수 있다.
    리튬 이차전지, 리튬-망간 산화물, 지르코늄, 양극 활물질, 양극 박막

    무연계 압전 세라믹스 및 그의 제조방법
    160.
    发明授权
    무연계 압전 세라믹스 및 그의 제조방법 有权
    无铅压电陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:KR101125700B1

    公开(公告)日:2012-03-23

    申请号:KR1020090073069

    申请日:2009-08-10

    Abstract: 본 발명은 무연계 압전 세라믹스 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로는 상공존 영역(morphotropic phase boundary, MPB)에서 향상된 압전 특성을 나타내고 페로브스카이트(perovskite) 구조를 갖는 하기 화학식 1로 표시되는 무연계 압전 세라믹스, 및 어트리션 밀링(attrition miling)을 이용한 분말의 입자 크기 제어를 통해 소결성, 결정성 및 압전 특성을 향상시키는 그의 제조방법에 관한 것이다.
    (1-x)(Na
    0.5 K
    0.5 )NbO
    3 -x(Ba
    1-y Sr
    y )TiO
    3

    상기 식에서, x 및 y는 각각 0

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