광추출층의 제조 방법
    155.
    发明公开
    광추출층의 제조 방법 审中-实审
    制造光提取层的方法

    公开(公告)号:KR1020160141060A

    公开(公告)日:2016-12-08

    申请号:KR1020150074213

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 광추출층의제조방법은조성물을기판상에제공하고, 상면에오목부들을갖는제1 광추출부를조성물을경화시켜서형성하고, 제2 광추출부들을오목부들내에형성하고, 제3 광추출부들을제2 광추출부들상에형성하며, 제2 광추출부들의굴절률은제1 광추출부및 제3 광추출부의굴절률보다크다.

    표시 패널, 그것을 포함하는 표시 장치 및 그것의 동작 방법
    156.
    发明公开
    표시 패널, 그것을 포함하는 표시 장치 및 그것의 동작 방법 审中-实审
    显示面板,具有该显示面板的显示装置及其操作方法

    公开(公告)号:KR1020160103234A

    公开(公告)日:2016-09-01

    申请号:KR1020150025284

    申请日:2015-02-23

    Abstract: 표시패널은반사모드또는발광모드중 어느하나의모드로구동할수 있는복수의픽셀들을포함하되, 상기복수의픽셀들각각은, 광투과성재료를포함하는제1 기판, 상기제1 기판과대향하는제2 기판, 상기제1 기판의상기제2 기판방향의표면상에위치하는제1 전극, 상기 1 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해발광하는발광재료를포함하는발광소자층, 상기제2 기판의상기제1 기판방향의표면상에위치하는제2 전극, 상기제2 전극상에위치하고, 환원및 산화반응에의해착색또는탈색되는반사소자층 및상기발광소자층 및상기반사소자층 사이에위치하고, 상기광의투과율을조절하는전해질층을포함하되, 상기반사모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제1 주파수이하의교류전압이인가되고, 상기발광모드시, 상기제1 전극및 상기제2 전극에는제2 주파수이상의교류전압이인가되고, 상기제2 주파수는상기제1 주파수보다높은갖는다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过控制施加到显示面板的两种类型的基板的交流(AC)电压的频率,可以选择性地以反射或发射模式操作的显示装置。 显示面板包括以反射和发射模式中的任一种操作的多个像素。 每个像素包括:第一衬底,其包括透光材料; 面向所述第一基板的第二基板; 第一电极,其设置在朝向所述第二基板的一侧的所述第一基板的表面上; 发光元件层,其设置在第一电极上,并且包括由于还原和氧化反应而发光的发光材料; 第二电极,其设置在朝向所述第一基板的一侧的所述第二基板的表面上; 反射元件层,其设置在第二电极上,并且由于还原和氧化反应而着色或脱色; 以及设置在发光元件层和反射元件层之间的电解质层,并且调节光的透射率。 频率等于或低于第一频率的AC电压以反射模式施加到第一和第二电极,具有等于或高于第二频率的频率的AC电压以发射模式施加到第一和第二电极, 第二频率高于第一频率。

    유기발광소자의 제조방법
    157.
    发明公开
    유기발광소자의 제조방법 审中-实审
    制造有机发光装置的方法

    公开(公告)号:KR1020150088567A

    公开(公告)日:2015-08-03

    申请号:KR1020140009047

    申请日:2014-01-24

    Abstract: 본발명은그래핀막을포함하는유기발광소자의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기발광소자의제조방법은패터닝된그래핀막을포함하는그래핀주개부를제공하는것, 소자부를제공하는것, 및상기그래핀주개부의상기그래핀막을상기유기부에부착시키는것을포함할수 있다. 상기소자부는차례로적층된기판, 하부전극, 및유기부를포함하고, 상기유기부는도펀트를포함할수 있다. 상기그래핀주개부는차례로적층된상기그래핀막, 상기이형층, 및탄성스탬프층을포함할수 있다.

    Abstract translation: 本发明提供一种制造包括石墨烯层的有机发光器件的方法。 根据本发明的制造有机发光器件的方法可以包括提供石墨烯供体部分,其包括图案化石墨烯层,提供器件部分,以及将石墨烯供体部分的石墨烯层附着到有机部分。 器件部分包括依次堆叠的衬底,下电极和有机部件。 有机部分可以包括掺杂剂。 石墨烯供体部分可以包括依次层叠的石墨烯层,剥离层和弹性印模层。

    단일 입력 레벨 시프터
    159.
    发明公开
    단일 입력 레벨 시프터 审中-实审
    单输入电平变换器

    公开(公告)号:KR1020140029111A

    公开(公告)日:2014-03-10

    申请号:KR1020130009285

    申请日:2013-01-28

    Abstract: A single-input type level shifter according to an embodiment of the present invention comprises: an input unit which authorizes a voltage power to a first node in response to an input signal and applies the input signal to a second node in response to a reference signal; a boot strapping unit which authorizes the voltage power to the second node according to different levels of the first node; an output unit which authorizes the input signal to an output terminal in response to the reference signal so that it can apply the voltage power to the output terminal according to the different voltage levels of the first node; and the boot strapping unit includes a capacitor which is located in between the first and the second node. The boot strapping unit increases the voltage level of the first node higher than that of the voltage power once the input signal is converted from a first voltage level into a second voltage level.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的单输入型电平移位器包括:输入单元,其响应于输入信号授权对第一节点的电压功率,并响应于参考信号将输入信号施加到第二节点 ; 启动捆扎单元,其根据所述第一节点的不同级别授权所述第二节点的电压功率; 输出单元,其响应于参考信号向输出端授权输入信号,使得其可以根据第一节点的不同电压电平向输出端施加电压功率; 并且所述引导带捆绑单元包括位于所述第一和第二节点之间的电容器。 一旦输入信号从第一电压电平转换为第二电压电平,启动带捆绑单元就增加第一节点的电压高于电压功率的电压电平。

    투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
    160.
    发明授权
    투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 有权
    透明非易失性存储器薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号:KR101201891B1

    公开(公告)日:2012-11-16

    申请号:KR1020090026068

    申请日:2009-03-26

    CPC classification number: H01L21/28291 H01L29/78391 H01L29/7869

    Abstract: 본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
    투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체

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