Abstract:
본발명은그래핀막을포함하는유기발광소자의제조방법을제공한다. 본발명에따른유기발광소자의제조방법은패터닝된그래핀막을포함하는그래핀주개부를제공하는것, 소자부를제공하는것, 및상기그래핀주개부의상기그래핀막을상기유기부에부착시키는것을포함할수 있다. 상기소자부는차례로적층된기판, 하부전극, 및유기부를포함하고, 상기유기부는도펀트를포함할수 있다. 상기그래핀주개부는차례로적층된상기그래핀막, 상기이형층, 및탄성스탬프층을포함할수 있다.
Abstract:
A method for manufacturing an organic scattering layer according to one embodiment of the present invention includes the steps of: providing a deposition device which includes a reaction chamber and a source chamber; fixing a substrate in the reaction chamber; supplying transfer gas of 25 to 50 degrees centigrade to the source chamber which is connected to the reaction chamber and supplies the evaporated organic material source; spraying the transfer gas and the evaporated organic material source to the reaction chamber through a shower head; and forming the organic scattering layer with a non-uniform surface by depositing organic particles formed by the molecule of the evaporated organic material source on the substrate.
Abstract:
A single-input type level shifter according to an embodiment of the present invention comprises: an input unit which authorizes a voltage power to a first node in response to an input signal and applies the input signal to a second node in response to a reference signal; a boot strapping unit which authorizes the voltage power to the second node according to different levels of the first node; an output unit which authorizes the input signal to an output terminal in response to the reference signal so that it can apply the voltage power to the output terminal according to the different voltage levels of the first node; and the boot strapping unit includes a capacitor which is located in between the first and the second node. The boot strapping unit increases the voltage level of the first node higher than that of the voltage power once the input signal is converted from a first voltage level into a second voltage level.
Abstract:
본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다. 투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체