公开(公告)号：KR100723309B1

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020050100624

申请日：2005-10-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성은 ,  강성원 ,  형창희 ,  성진봉 ,  김진경 ,  박덕근 ,  김창규

IPC: H04B11/00

Abstract: 인체를 통신 선로로 하여 음향 신호를 전송하는 음향 송신 시스템이 제공된다. 음향 송신 시스템은 인체와 직접 접촉된 두 개의 음향 송신 장치를 포함하며, 각각의 음향 송신 장치는 인체를 통하여 전송될 가청 주파수 대역의 음향 신호와 생성된 음향 신호와 함께 전송되는 적어도 가청 주파수 대역보다 높은 주파수를 갖는 고주파 신호를 생성한다. 각각의 음향 송신 장치는 생성된 상기 음향 신호와 상기 고주파 신호를 합성하여, 합성된 신호의 출력 위상을 조절하여 인체를 통하여 전송한다. 두 개의 음향 송신 장치에서 인체로 출력된 합성 신호의 간섭에 의하여 사람은 고주파 신호가 제거된 음향 신호를 들을 수 있다.
음파, 간섭, 수신

公开(公告)号：KR100654319B1

公开(公告)日：2006-12-08

申请号：KR1020040069590

申请日：2004-09-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 형창희 ,  강성원 ,  최창억

IPC: H04B1/40

CPC classification number: H04L12/413 ,  H04B13/005 ,  H04W74/0875

Abstract: 본 발명은 근역장을 이용한 통신 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 도전성을 갖는 생체 매질 즉, 인체를 통신 선로로 이용하고, 상기 인체 주위에 형성되는 근역장을 통해 소정의 데이터신호를 반송파 감지 다중통신방식(CSMA/CD)으로 송/수신하기 위한 통신장치를 갖는 복수개의 주변기기들을 인체의 근처에 구비함으로써, 무선을 이용할 때 발생할 수 있는 안테나의 방향성 문제를 해결함과 아울러 소형화할 수 있으며, 복수개의 주변기기들간에 송/수신되는 신호들의 충돌 없이 인체 통신에 가장 적합한 주파수를 사용함에 따라 통신의 효율을 증대시킬 수 있는 효과가 있다.
인체 통신,생체 매질, 반송파 감지 다중통신방식(CSMA/CD), 통신장치, 송신부, 수신부, 신호충돌감지부, 인터페이스부

公开(公告)号：KR1020060117451A

公开(公告)日：2006-11-17

申请号：KR1020050039231

申请日：2005-05-11

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 황정환 ,  강성원 ,  형창희 ,  성진봉 ,  박덕근 ,  김진경

IPC: H04N5/44 ,  H04N5/63

CPC classification number: H01Q1/273 ,  H01Q1/24 ,  H01Q1/44 ,  H01Q9/32

Abstract: A terrestrial DMB(Digital Multimedia Broadcasting) receiving apparatus and a method thereof are provided to conveniently carry a DMB receiver and improve the receiving characteristic of the DMB receiver by using the body of a user as an antenna. A terrestrial DMB receiver(410) using a human body antenna includes an electrode(420), a low-frequency amplifier, and an impedance matching circuit. The electrode comes into contact with the human body(400). The low-frequency amplifier receives the current flowing through the human body, which corresponds to a DMB broadcasting signal transmitted through a terrestrial repeater, through the electrode and amplifies the received current. The impedance matching circuit is located between the electrode and the low-frequency amplifier and matches the impedance of the human body to the impedance of the low-frequency amplifier.

Abstract translation: 提供地面DMB（数字多媒体广播）接收装置及其方法，以方便携带DMB接收机，并通过使用用户的身体作为天线来提高DMB接收机的接收特性。 使用人体天线的地面DMB接收机（410）包括电极（420），低频放大器和阻抗匹配电路。 电极与人体（400）接触。 低频放大器通过电极接收流过人体的电流，其对应于通过地面中继器传输的DMB广播信号，并放大接收的电流。 阻抗匹配电路位于电极和低频放大器之间，并将人体的阻抗与低频放大器的阻抗相匹配。

公开(公告)号：KR1020060064519A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050100624

申请日：2005-10-25

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성은 ,  강성원 ,  형창희 ,  성진봉 ,  김진경 ,  박덕근 ,  김창규

IPC: H04B11/00

Abstract: 인체를 통신 선로로 하여 음향 신호를 전송하는 음향 송신 시스템이 제공된다. 음향 송신 시스템은 인체와 직접 접촉된 두 개의 음향 송신 장치를 포함하며, 각각의 음향 송신 장치는 인체를 통하여 전송될 가청 주파수 대역의 음향 신호와 생성된 음향 신호와 함께 전송되는 적어도 가청 주파수 대역보다 높은 주파수를 갖는 고주파 신호를 생성한다. 각각의 음향 송신 장치는 생성된 상기 음향 신호와 상기 고주파 신호를 합성하여, 합성된 신호의 출력 위상을 조절하여 인체를 통하여 전송한다. 두 개의 음향 송신 장치에서 인체로 출력된 합성 신호의 간섭에 의하여 사람은 고주파 신호가 제거된 음향 신호를 들을 수 있다.
음파, 간섭, 수신

公开(公告)号：KR1020060064472A

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：KR1020050049195

申请日：2005-06-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박덕근 ,  강성원 ,  김진경 ,  형창희 ,  성진봉 ,  황정환

IPC: H04B1/40

Abstract: 본 발명은 인체를 매질로 하는 통신 장치, 이를 이용하는 인체 통신 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 인체에 직접 접촉된 통신 장치가 전송하고자 하는 데이터 신호가 포함된 미세 전류를 인체에 흘려보냄으로써 인체를 매질로 하는 통신이 이루어진다. 또한, 다수의 통신 장치가 인체에 접촉되어 네트워크를 구성하고, 상기 다수의 통신 장치 중 하나의 통신 장치-마스터 멤버-가 그 외의 통신 장치-슬레이브 멤버-에게 정보를 요청하는 메시지를 전극을 통하여 브로드캐스트하고, 이에 대한 응답 메시지를 전송한 슬레이브 멤버들에 대한 멤버 테이블을 구성하여 네트워크 내의 데이터 통신을 제어한다. 마스터 멤버는 주기적으로 메시지를 브로드캐스팅하여 새로운 네트워크 참여자를 실시간으로 관리한다.
기저 대역 신호, 인체 매질, 마스터 멤버(master member), 슬레이브 멤버(slave member)

公开(公告)号：KR100438895B1

公开(公告)日：2004-07-02

申请号：KR1020010086533

申请日：2001-12-28

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김해천 ,  박민 ,  문재경 ,  형창희 ,  지홍구 ,  안호균

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L29/7785

Abstract: A pseudomorphic high electron mobility transistor (PHEMT) power device formed on a double planar doped epitaxial substrate and capable of operating with a single voltage source and a method for manufacturing the PHEMT power device are provided. The PHEMT power device includes: an epitaxial substrate including a GaAs buffer layer, an AlGaAs/GaAs superlattice layer, an updoped AlGaAs layer, a first doped silicon layer, a first spacer, an InGaAs electron transit layer, a second spacer, a second doped silicon layer having a different doping concentration from the first doped silicon layer, a lightly doped AlGaAs layer, and an undoped GaAs cap layer stacked sequentially on a semi-insulating GaAs substrate, a source electrode and a drain electrode formed on and in ohmic contact with the undoped GaAs cap layer; and a gate electrode formed on the lightly doped AlGaAs layer to extend through the undoped GaAs cap layer.

Abstract translation: 提供一种形成在双平面掺杂外延衬底上并且能够利用单个电压源来操作的伪晶高电子迁移率晶体管（PHEMT）功率器件以及用于制造PHEMT功率器件的方法。 该PHEMT功率器件包括：外延衬底，包括GaAs缓冲层，AlGaAs / GaAs超晶格层，上掺杂AlGaAs层，第一掺杂硅层，第一间隔物，InGaAs电子传输层，第二间隔物，第二掺杂 硅层，其具有与第一掺杂硅层不同的掺杂浓度，轻掺杂AlGaAs层和未掺杂GaAs帽层，其依次堆叠在半绝缘GaAs衬底上，源电极和漏电极形成在第一掺杂硅层上并与其欧姆接触 未掺杂的GaAs帽盖层; 以及形成在轻掺杂AlGaAs层上以延伸穿过未掺杂的GaAs帽层的栅电极。