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    SUBSTRATE ETCH
    151.
    发明申请
    SUBSTRATE ETCH 审中-公开
    基板蚀刻

    公开(公告)号：WO2015030806A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：PCT/US2013/057629

    申请日：2013-08-30

    Applicant: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, LP

    Inventor： MCKAY JR, Roger A. ,  SADIK, Patrick Wayne

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/302

    CPC classification number: C25F3/12 ,  B81C1/00626 ,  B81C2201/0133 ,  C25F3/14 ,  C25F7/00

    Abstract: An example provides a method including sputtering a metal catalyst onto a substrate, exposing the substrate to a solution that reacts with the metal catalyst to form a plurality of pores in the substrate, and etching the substrate to remove the plurality of pores to form a recess in the substrate.

    Abstract translation: 一个实例提供了一种方法，包括将金属催化剂溅射到衬底上，将衬底暴露于与金属催化剂反应以在衬底中形成多个孔的溶液，以及蚀刻衬底以除去多个孔以形成凹部 在基材中。

    PROCEDE DE GRAVURE D'UN MOTIF COMPLEXE
    152.
    发明申请
    PROCEDE DE GRAVURE D'UN MOTIF COMPLEXE 审中-公开
    蚀刻复杂图案的方法

    公开(公告)号：WO2013102637A1

    公开(公告)日：2013-07-11

    申请号：PCT/EP2013/050040

    申请日：2013-01-03

    Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

    Inventor： DIEM, Bernard

    IPC: B81C1/00 ,  H01L21/308

    CPC classification number: B81C1/00619 ,  B81B2203/033 ,  B81B2203/0392 ,  B81C1/00103 ,  B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/014 ,  H01L21/3083

    Abstract: Procédé de gravure d'un motif complexe souhaité (50), dans une première face d'un substrat, comportant les étapes suivantes : - gravure simultanée d'au moins un premier et deuxième sous-motifs à travers la première face du substrat, les sous-motifs gravés étant séparés par au moins une paroi de séparation, la largeur du premier sous-motif étant plus importante que la largeur du second sous-motif au niveau de la première face, et la profondeur du premier sous-motif étant plus importante que la profondeur du second sous-motif selon une direction perpendiculaire à ladite première face, - une étape de retrait ou d'élimination de ladite paroi de séparation, pour révéler le motif complexe souhaité (50).

    Abstract translation: 一种在衬底的第一面中蚀刻期望的复合图案（50）的方法，包括以下步骤： - 通过衬底的第一面同时蚀刻至少一个第一和第二子图案，所述蚀刻子 图案由至少一个分隔壁隔开，第一子图案的宽度大于第一面上第二子图案的宽度，第一子图案的深度大于第一子图案的深度 所述第二子图案在垂直于所述第一面的方向上， - 去除或去除所述分隔壁以露出期望的复合图案（50）的步骤。

    ＭＥＭＳ素子およびその製造方法
    153.
    发明申请
    ＭＥＭＳ素子およびその製造方法 审中-公开
    MEMS元件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2010122953A1

    公开(公告)日：2010-10-28

    申请号：PCT/JP2010/056816

    申请日：2010-04-16

    Applicant: 株式会社村田製作所 ,  吉田 順一

    Inventor： 吉田　順一

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01P15/125

    CPC classification number: B81B3/0018 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/053 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00587 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0828

    Abstract: 　加速度センサ１を、第１,第２の基板２,３に挟まれたエッチング層４を用いて形成する。このとき、エッチング層４には、基板２,３の厚さ方向に変位可能な可動部７を備えた構造部Ａおよび支持枠９を形成する。また、第１,第２の基板２,３には、可動部７と対向した位置に第１,第２の固定電極１０,１２を形成する。そして、基板２には、第１の犠牲層２２を全てエッチング除去したときに、第２の犠牲層２３の一部が残存した残存犠牲層１６を設ける。これにより、第１の犠牲層２２をエッチング除去するときには、構造部Ａ等に比べて第２の犠牲層２２が優先的に腐食するから、構造部Ａおよび支持梁９の腐食を防止することができる。

    Abstract translation: 通过使用夹在第一和第二基板（2,3）之间的蚀刻层（4）形成加速度传感器（1）。 此时，在蚀刻部上形成具有能够在基板（2,3）的厚度方向上移位的可动部（7）的结构部（A）和支撑框（9） 层（4）。 此外，在第一和第二基板（2,3）上，第一和第二固定电极（10,12）形成在面对可动部分（7）的位置。 衬底（2）设置有剩余的牺牲层（16），其是当通过蚀刻去除整个第一牺牲层（22）时获得的第二牺牲层（23）的剩余部分。 因此，与通过蚀刻除去第一牺牲层（22）时的结构部分（A）等相比，由于第二牺牲层（23）被优先腐蚀，结构部件（A）和支撑件 光束（9）可以被消除。

    MEMS DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    154.
    发明申请
    MEMS DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
    MEMS器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2010029656A3

    公开(公告)日：2010-06-24

    申请号：PCT/JP2009001970

    申请日：2009-04-30

    Applicant: PANASONIC CORP ,  MIYOSHI YUICHI ,  YAMAOKA TOHRU ,  NOTAKE HIDENORI ,  TAKEUCHI YUSUKE

    Inventor： MIYOSHI YUICHI ,  YAMAOKA TOHRU ,  NOTAKE HIDENORI ,  TAKEUCHI YUSUKE

    IPC: B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B2201/0257 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/097 ,  G01P15/123

    Abstract: A MEMS device, including: a substrate (101) having a first principal plane and a second principal plane opposite to the first principal plane; a through hole (110) formed in the substrate (101); and a vibrating film (105) formed over the first principal plane so as to cover the through hole (110). The first principal plane and the second principal plane are both a (110) crystal face; and the through hole (110) has a substantially rhombic shape on the second principal plane.

    Abstract translation: 一种MEMS器件，包括：具有第一主平面和与第一主平面相对的第二主平面的衬底（101）; 形成在所述基板（101）中的通孔（110）; 以及形成在所述第一主平面上以覆盖所述通孔（110）的振动膜（105）。 第一主平面和第二主平面都是（110）晶面; 并且所述通孔（110）在所述第二主平面上具有大致菱形。

    反射ミラー製作方法および反射ミラー
    157.
    发明申请
    反射ミラー製作方法および反射ミラー 审中-公开
    制造反射镜和反射镜的方法

    公开(公告)号：WO2005119309A1

    公开(公告)日：2005-12-15

    申请号：PCT/JP2005/010027

    申请日：2005-06-01

    Applicant: ブラザー工業株式会社 ,  浅井 伸明 ,  岩坂 江美

    Inventor： 浅井 伸明 ,  岩坂 江美

    IPC: G02B5/08

    CPC classification number: G02B26/101 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00142 ,  B81C2201/0133 ,  G02B26/0858

    Abstract: 光が入射する反射面を有する板状の反射ミラーをエッチングによって製作する方法が開示されており、その方法は、（ａ）単結晶により構成された板状の被エッチング材の両面のうちの少なくとも一方に膜状のエッチングマスク材をコーティングするコーティング工程（Ｓ２）と、（ｂ）前記被エッチング材にコーティングされたエッチングマスク材のうちの少なくとも一方に、四角形より円形に近い平面形状を有するマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程（Ｓ３）と、（ｃ）前記エッチングマスク材がコーティングされた前記被エッチング材を、設定温度のもとに、設定濃度を有するエッチング液に浸漬させてエッチングを実行するウエットエッチング工程（Ｓ４）とを含み、それにより、前記反射ミラーをそれの法線方向に投影して得られる投影図形が四角形より円形に近い平面形状を有するように前記反射ミラーを製作するために実施される。

    Abstract translation: 一种通过蚀刻制造具有光入射反射表面的板状反射镜的方法，所述方法包括（a）涂覆步骤（S2），涂覆步骤（S2）包括由单晶制成的待蚀刻的板状材料的两个表面中的至少一个 （b）掩模图案形成步骤（S3），在施加到被蚀刻材料的蚀刻掩模材料中的至少一种上形成具有大致圆形而不是矩形平面形状的掩模图案， 以及（c）在预定温度下将被上述蚀刻掩模材料涂覆的材料浸入预定浓度的蚀刻剂中以进行蚀刻的湿蚀刻步骤（S4），由此产生反射镜，使得 通过将反射镜投射到其法线方向而获得的投影图具有大致圆形而不是矩形平面形状。

    マイクロ構造体の製造方法およびマイクロ構造体
    158.
    发明申请
    マイクロ構造体の製造方法およびマイクロ構造体 审中-公开
    制备微结构和微结构的方法

    公开(公告)号：WO2004103892A1

    公开(公告)日：2004-12-02

    申请号：PCT/JP2003/005404

    申请日：2003-04-25

    Applicant: 富士通株式会社 ,  ミイ シヤオユウ ,  高馬 悟覚 ,  壷井 修 ,  岩城 匡郁 ,  奥田 久雄 ,  曽根田 弘光 ,  上田 知史 ,  佐脇 一平

    Inventor： ミイ シヤオユウ ,  高馬 悟覚 ,  壷井 修 ,  岩城 匡郁 ,  奥田 久雄 ,  曽根田 弘光 ,  上田 知史 ,  佐脇 一平

    IPC: B81B3/00

    CPC classification number: B81C1/00547 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  G01P15/0802 ,  G02B26/0841

    Abstract: 薄肉部（Ｔ１～Ｔ３）を有するマイクロ構造体を製造するための方法は、第１導体層（１１）、および、薄肉部（Ｔ１～Ｔ３）の厚さに相当する厚さを有する第２導体層（１２）、よりなる積層構造を含む材料基板に対し、第１導体層（１１）の側から第１エッチング処理を行うことにより、第２導体層（１２）において、当該第２導体層（１２）の面内方向に離隔する一対の側面を有して第１導体層（１１）に接するプレ薄肉部（Ｔ１'～Ｔ３'）を形成するための工程と、第１導体層（１１）の側からの第２エッチング処理により、第１導体層（１１）においてプレ薄肉部（Ｔ１'～Ｔ３'）に接する箇所を除去して薄肉部を形成するための工程と、を含む。

    Abstract translation: 一种用于制造具有薄部分（T1-T3）的微结构的方法，包括用于在第二导体层（12）中形成在第一导体层（11）上的预薄部分（T1'-T3'）的步骤，同时 通过蚀刻具有第一导体层（11）和第二导体层（12）的多层结构的材料基板，具有在第二导体层（12）的面内方向上间隔开的一对侧面， 对应于从第一导体层（11）侧开始的薄部分（T1-T3）的步骤，以及通过去除邻接在预薄部分上的第一导体层（11）的部分来形成薄部分的步骤 （T1'-T3'），通过在第一导体层（11）侧开始进行第二蚀刻。

    METHOD FOR PRODUCING A TORSION SPRING
    159.
    发明申请
    METHOD FOR PRODUCING A TORSION SPRING 审中-公开
    一种用于生产扭簧

    公开(公告)号：WO01007869A1

    公开(公告)日：2001-02-01

    申请号：PCT/EP2000/006957

    申请日：2000-07-20

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01C19/56 ,  G01P15/08

    CPC classification number: B81B3/0051 ,  B81B2201/0242 ,  B81C2201/0133 ,  G01C19/56 ,  G01P15/0888

    Abstract: The invention relates to a method for the production of a silicon torsion spring, whereby, for instance, the rotational speed in a microstructured torsion spring-mass system can be read. The invention aims at providing low torsional stiffness in comparison with a relatively high transversal stiffness in lateral and vertical direction. According to the invention, a wafer or wafer composite is used to produce a spring having a V-shaped cross section after masking by means of anisotropic wet-chemical etching, said spring extending preferably over the entire thickness of the wafer and being defined laterally by the [111] surfaces only. Two wafers or wafer composites thus prestructured are rotated by 180 DEG and bonded to one another by aligning them in a mirror-inverted manner in such a way that the desired X-shaped cross section is obtained. One advantage provided by the invention is that the technology used in the production of the laterally and vertically rigid rotational spring is comparatively simple.

    Abstract translation: 为了制备这些都可以在微结构化的扭转弹簧 - 质量系统来读出的旋转速度，例如，一个低扭转刚度是期望的，相比于在硅单扭转弹簧的侧向和垂直方向上具有相对高的横向刚度，根据本发明从一个晶片或 晶片复合体假定和适当的掩模罩产生一个弹簧与通过各向异性湿法化学蚀刻，其优选地延伸在整个晶片的厚度和横向仅通过V形横截面后[111]平面是有限的。 这样的预图案化的晶片或晶片复合材料的两个旋转180°，以及镜像彼此结合彼此对齐，以使得总的期望的X形横截面形成。 本发明的一个特别的优点产生的问题是生产工艺为横向垂直和刚性扭转弹簧是相对简单的。

    실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법
    160.
    发明授权
    실리콘 나노 와이어 어레이의 제조방법 有权
    制造硅纳米线阵列的方法

    公开(公告)号：KR101827656B1

    公开(公告)日：2018-02-08

    申请号：KR1020167003982

    申请日：2014-07-14

    Applicant: 광주과학기술원

    Inventor： 윤명한 ,  이세영

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y15/00 ,  B82Y20/00

    CPC classification number: H01L29/0676 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0149 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32051 ,  H01L29/16

    Abstract: 실리콘기판상에플라스틱입자들을균일한무작위패턴으로서로이격하여위치시키는단계; 상기플라스틱입자들사이에촉매층을형성하는단계; 상기플라스틱입자들을제거하는단계; 상기촉매층과접촉하는실리콘기판부위를수직적으로식각하는단계; 및상기촉매층을제거하는단계를포함하는, 실리콘나노와이어어레이의제조방법이제공된다. 본발명에따르면, 공정이단순하고비용효과적이며대면적공정으로대량생산이가능하고자원제한적인장소에서도나노와이어의제조가가능하며, 나노와이어의구조를독립적으로제어할수 있다.

    Abstract translation: 将塑料颗粒以均匀的随机图案彼此间隔开地放置在硅衬底上; 在塑料颗粒之间形成催化剂层; 去除塑料颗粒; 垂直蚀刻与所述催化剂层接触的所述硅衬底的一部分; 并去除催化剂层。＆lt; IMAGE＆gt; 根据本发明，该方法简单并且成本有效，可以在大面积工艺中批量生产，纳米线可以在资源有限的地方制造，并且纳米线的结构可以被独立地控制。

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