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公开(公告)号：CN101852811B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201010154948.4
申请日：2010-03-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01P15/0802 , B81B7/0054 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01D11/245 , G01P1/023 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/97 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种传感器模块(100)，该传感器模块具有一壳体(110)和一设置在该壳体中的芯片装置(120)，其中，该芯片装置(120)设置在一衬底(130)上并且嵌入到沉积到所述衬底上的密封层(150)中。在此，该芯片装置(120)设置在框架结构(140)的窗口区域(141)中，该框架结构设置在该衬底(130)上并且基本上具有与衬底(130)相同的热膨胀特性。
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公开(公告)号：CN105043368A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510185507.3
申请日：2015-04-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 田中悟
IPC: G01C19/5642
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B3/0018 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0118 , B81B2207/097 , B81C1/00158 , B81C2203/0109 , G01C19/5656 , G01L9/0042 , H01L21/76205 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L2224/0212 , H01L2924/15 , H01L2924/351 , G01C19/5642
Abstract: 本发明提供一种功能元件、电子设备以及移动体，其能够具有良好的温度特性。功能元件(100)包括：设置有凹部(12)的基板(10)；与所述基板(10)的规定凹部(12)进行的壁部(13)相连接固定部(30a)、(30b)；从固定部(30a)、(30b)延伸出并能够在第一轴方向上伸缩的弹性部(40)、(44)；与弹性部(40)、(44)相连接的可动体(20)；从可动体(20)延伸出可动电极部(50)、(52)；与基板(10)相连接并沿可动电极部(50)、(52)的延伸方向而延伸的固定电极部(60)、(62)、(64)、(66)，凹部(12)具有被设置在壁部(13)上的缺口部(16)，固定部(30a)、(30b)具有与基板(10)分离并在俯视观察时与凹部(12)重叠的重叠部(32)，重叠部(32)的至少一部分在俯视观察时与缺口部(16)重叠，弹性部(40)、(44)从重叠部(32)延伸出。
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公开(公告)号：CN104995130A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008678.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·巴斯卡兰
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L23/315 , H01L2224/16 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN104973564A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510235552.5
申请日：2015-02-15
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·克拉森
CPC classification number: B81C1/0023 , B23K1/0016 , B23K1/20 , B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/035
Abstract: 用于共晶键合两个载体装置(100，200)的方法，其具有步骤：a)在第一载体装置(100)上布置第一键合材料的第一层(50)；b)在第二载体装置(200)上布置第二键合材料的第一层(60)；c)在第一键合材料的第一层(50)上布置相对于第一键合材料的第一层(50)薄的、第一键合材料的第二层(61)；和d)共晶键合两个载体装置(100，200)。
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公开(公告)号：CN104944360A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113760.3
申请日：2014-03-25
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/0038 , B81C2203/01 , G01L9/0042 , G01P15/0802 , G01P15/125
Abstract: 一种MEMS器件及其形成方法，其中所述MEMS器件，包括：衬底，所述衬底中形成有集成电路；位于衬底上的第一介质层，所述第一介质层中形成有若干第一金属连接端和第二金属连接端，第一金属连接端和第二金属连接端与集成电路电相连；位于第一介质层上的第二介质层，所述第二介质层中形成有加速度传感器，所述加速度传感器与第一金属连接端电连接；位于第二介质层中若干第一金属插塞，第一金属插塞与第二金属连接端电连接；位于第二介质层上的压力传感器，所述压力传感器与第一金属插塞电连接。本发明的MEMS器件实现压力传感器和加速度传感器的集成，并且MEMS器件的体积较小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103168000B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180044268.X
申请日：2011-10-06
Applicant: 瑟塞尔公司
Inventor： 莫里斯·莫罗
IPC: B81C1/00
CPC classification number: G01P21/00 , B81B3/0018 , B81B2201/0235 , B81C1/00968 , G01P15/125
Abstract: 本发明提出一种防粘方法以用于惯性微机电装置，所述惯性微机电装置包括：-移动块(150)，其经由弹簧构件(115)悬持在电枢上，所述移动块包括至少一个移动电极；以及-牢固地附接到所述电枢的至少一个固定电极，各固定电极与所述至少一个移动电极中的一个电极共同形成了一对电极。所述防粘方法为实行以下步骤的方法：检测步骤，即对至少一对粘住的电极检测出与粘合力相关的粘合；以及施加步骤，即在预定时间段内，在所述一对电极或多对电极中至少一对的电极之间施加一个预定电压，以产生静电力，从而使移动块根据所述粘合力的方向发生位移。
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公开(公告)号：CN104843630A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510087121.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·赖因穆特
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0048 , B81B3/0054 , B81B5/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/0015 , B81C1/0019 , B81C1/00198 , B81C1/00325 , B81C1/00666
Abstract: 提出一种传感器，其具有衬底、微机电结构和脱耦合结构，其中所述脱耦合结构固定在所述衬底上，其中所述微机电结构固定在所述脱耦合结构上，其中所述微机电结构和所述脱耦合结构能够相对于所述衬底移动，其中所述脱耦合结构设置在所述微机电结构和所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN102741979B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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公开(公告)号：CN102275860B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201010200713.4
申请日：2010-06-11
Applicant: 张家港丽恒光微电子科技有限公司
IPC: B81B7/02 , B81C1/00 , G01P15/125 , G01D5/241 , G01C19/00
CPC classification number: G01P15/08 , B81B3/0078 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , G01C19/5733 , G01C25/00 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0854 , H01L29/84
Abstract: 本发明提供了一种惯性微机电传感器及其制造方法，该惯性微机电传感器，能够相对移动的主体和质量块，所述主体包括具有第一表面的第一主体和垂直并连接所述第一表面的第二主体，所述第一主体内具有平行于所述第一表面的第一电极，所述第二主体内具有垂直于所述第一表面的第二电极；所述质量块悬置在所述第二主体和第一主体形成的空间内，所述质量块包括平行且相对于所述第一表面的第三电极、垂直于所述第一表面的第四电极和质量层，所述第三电极和第四电极相连并构成U型凹槽，所述质量层填充于所述U型凹槽内，可以有效地提高惯性质量块的重量，提高惯性微机电传感器的精确度，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102349311B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201080010998.3
申请日：2010-02-03
Applicant: NXP股份有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00182 , H04R1/245 , H04R3/005 , H04R2499/11
Abstract: 本发明涉及一种利用具有第一层(2)的晶片(1)制造微机械麦克风和加速度计的方法，所述方法包括步骤：将所述第一层(2)分为麦克风层(5)和加速度计层(6)，用连续的第二层(7)覆盖麦克风层(5)的前侧和加速度计层(6)的前侧，用第三层(8)覆盖第二层(7)，在第三层(8)中形成多个沟槽(9)，去除麦克风层(5)背部一侧下面的晶片(1)的一部分(10)，在加速度计层(6)背部一侧下面的晶片(1)中形成至少两个晶片沟槽(11)，以及通过在第三层(8)中形成的多个沟槽去除第二层(7)的一部分(12)、(13)。根据本发明的微机械麦克风和加速度计的相对于现有技术的优势在于其允许消除结构自生噪声以便最小化结构本身的声音。
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