公开(公告)号：CN1470069A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN01802999.X

申请日：2001-07-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·查克拉沃尔蒂

IPC: H01L23/498 ,  H05K1/16

CPC classification number: H01L23/50 ,  H01L23/49822 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/112 ,  H05K1/162 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4611 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2224/05599

Abstract: 为了降低开关噪声，集成电路管芯的电源端子可以被耦合到多层陶瓷衬底中的至少一个埋置电容器的各个端子。在一个实施方案中，电容器由至少一个高介电常数层组成。在另一个实施方案中，几个高介电常数层与导电层交替。作为变通，电容器可以包含至少一个埋置的分立电容器。还描述了一种电子系统、一种数据处理系统、以及各种制造方法。

公开(公告)号：CN1335742A

公开(公告)日：2002-02-13

申请号：CN01119533.9

申请日：2001-05-24

Applicant: 奥克-三井有限公司

Inventor： J·A·安德雷萨基斯

IPC: H05K3/00 ,  H05K1/16

CPC classification number: H05K1/167 ,  H05K1/162 ,  H05K3/002 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/025 ,  H05K3/064 ,  H05K3/4611 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0355 ,  H05K2203/0152 ,  H05K2203/0338 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165

Abstract: 一种形成包括阻抗元件的印刷电路板的方法,其中在绝缘载体上引入阻抗元件图形和导体图形。该方法涉及:将一层阻抗材料沉积于高导电材料片材的第一表面上,并将高导电材料片材的第二表面附着于载体上。然后将一层光刻胶材料涂于阻抗材料层上并对其进行成像曝光和显影。将处于已除去的光刻胶材料非图像区域下面的阻抗层材料部分蚀刻掉后,在高导电材料片材上保留阻抗元件图形。如此可制造具有高电容限的具有阻抗元件的印刷电路板。

公开(公告)号：CN1326600A

公开(公告)日：2001-12-12

申请号：CN99813274.8

申请日：1999-10-15

Applicant: 帕拉泰克微波公司

Inventor： 路易斯·森古塔 ,  史蒂文·斯特沃尔 ,  朱永飞 ,  瑟纳斯·森古塔 ,  鲁纳·H·丘 ,  张虚白

IPC: H01P3/00 ,  H01P3/06 ,  H01P3/08 ,  H01P3/12 ,  H01P7/06 ,  H01P1/18

CPC classification number: H05K1/162 ,  H01P1/181 ,  H01P3/003 ,  H01P3/06 ,  H01P3/081 ,  H01P3/088 ,  H01P3/122 ,  H01P7/06 ,  H01Q3/44 ,  H05K1/024 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/037 ,  H05K2203/105 ,  H05K2203/171

Abstract: 一种可调谐介电结构,包括:一个第一介电材料层;一个第二介电材料层,相邻第一介电材料层定位,第二介电材料层具有比第一介电材料层的介电常数小的介电常数;及诸电极,用来跨过第一介电材料施加一个可控制电压的,由此控制第一介电材料的介电常数,其中至少一个电极定位在第一与第二介电材料层之间。介电材料能以各种形状形成,并且彼此相对以各种方位装配。该可调谐介电结构用在各种器件中,包括同轴电缆、空腔天线、微波传输带线、共面线、及波导管。

公开(公告)号：CN108430174A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810252321.9

申请日：2018-03-26

Applicant: 生益电子股份有限公司

Inventor： 肖璐 ,  纪成光 ,  王洪府 ,  刘梦茹 ,  赵刚俊 ,  孙梁

IPC: H05K3/46 ,  H05K1/03

CPC classification number: H05K3/4694 ,  H05K1/0353 ,  H05K3/4614 ,  H05K2201/0187

Abstract: 本发明涉及PCB技术领域，公开了一种混压PCB的制作方法及混压PCB；所述制作方法包括：将第二芯板嵌入单张第一芯板或者多张第一芯板内；对于欲叠放于第二芯板顶面和/或底面的半固化片，于该半固化片的与第二芯板相邻的表面上局部位置设置导电层，所述局部位置对应于第二芯板与第一芯板的相应内层线路之间的结合位置；之后，将内嵌有第二芯板的第一芯板与其他芯板及各半固化片按照预设顺序叠放后压合。本发明实施例中可利用半固化片上增设的导电层实现两种不同材料的芯板的相应内层线路的连通，提高PCB产品的质量。

公开(公告)号：CN108260287A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201810080028.9

申请日：2018-01-27

Applicant: 四会富士电子科技有限公司

Inventor： 黄明安 ,  刘天明 ,  胡江陵

IPC: H05K3/02 ,  H05K3/00

CPC classification number: H05K3/022 ,  H05K3/0032 ,  H05K3/0044 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2203/068

Abstract: 本发明的目的是提供一种制造软硬结合覆铜板的方法，覆铜板绝缘层是由软性材料和硬性材料共同组成的，在制作覆铜板基材的时候就完成了软硬结合，而不是在制作硬板的过程中完成软硬结合，实现了软硬材料结合处的线路采用面连接方式而不是孔连接方式。

公开(公告)号：CN104220909B9

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380017331.X

申请日：2013-04-04

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·A·赫尔嵩末 ,  R·F·佩恩 ,  M·科尔斯 ,  B·S·哈伦 ,  H·阿里

IPC: G02B6/10 ,  G02B6/02

CPC classification number: H05K1/0239 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311 ,  H01P3/121 ,  H01P3/16 ,  H05K1/0243 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0274 ,  H05K1/115 ,  H05K1/18 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/037 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/10098

Abstract: 本申请提供了一种设备。存在具有封装衬底(304-A)和集成电路(IC)(302-A)的电路组件(206-A1)。封装衬底具有微带线(208-A1)，而IC固定到封装衬底并且电耦合到微带线。电路板(202-A)也固定到封装衬底。介电波导(204-A)固定到电路板。介电波导具有介电芯体(310-A)，该介电芯体(310-A)延伸到位于介电波导和微带线之间的过渡区(314-A)中，并且微带线被配置成与介电波导形成通信链路。

公开(公告)号：CN107801294A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710795624.0

申请日：2017-09-06

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 山内大辅 ,  田边浩之

IPC: H05K1/02 ,  H05K1/05 ,  H05K3/46

CPC classification number: H05K1/0224 ,  G11B5/484 ,  G11B5/486 ,  H05K1/0225 ,  H05K1/0228 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/0277 ,  H05K1/0393 ,  H05K1/053 ,  H05K1/056 ,  H05K1/09 ,  H05K1/115 ,  H05K3/4038 ,  H05K3/4644 ,  H05K3/4685 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/0191 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/09227 ,  H05K2201/09254 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/10083 ,  H05K2203/0514 ,  H05K1/0218 ,  H05K1/025 ,  H05K1/0298 ,  H05K1/05 ,  H05K2201/0776 ,  H05K2201/0929

Abstract: 本发明提供布线电路基板及其制造方法。在悬挂基板中，在支承基板上形成第1绝缘层。在第1绝缘层上形成接地层和电源用布线图案。接地层具有比支承基板的电导率高的电导率。以覆盖接地层和电源用布线图案的方式在第1绝缘层上形成第2绝缘层。以与接地层重叠的方式在第2绝缘层上形成写入用布线图案。在支承基板、第1绝缘层以及第2绝缘层的层叠方向上，接地层与写入用布线图案之间的间隔大于电源用布线图案与写入用布线图案之间的间隔。

公开(公告)号：CN104900782B

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201510097453.5

申请日：2015-03-05

Applicant: 钰桥半导体股份有限公司

Inventor： 林文强 ,  王家忠

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/64

CPC classification number: H05K13/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H05K1/0204 ,  H05K13/0469 ,  H05K13/0486 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/025 ,  H05K2203/063

Abstract: 一种低CTE隔离件结合于树脂芯层中的线路板制作方法，其具有下列特征步骤：提供一黏着剂，其于平滑研磨顶面及底面处与金属化隔离件及树脂芯层相对两侧上的金属层实质上共平面，以便于平滑研磨底面处的黏着剂上沉积一金属桥，以连接该金属化隔离件与树脂芯层底面的周围散热件。此外，该方法亦于平滑研磨顶面处的黏着剂上沉积路由电路，以电性连接隔离件上的接触垫与树脂芯层上的端子垫。

公开(公告)号：CN102986307B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201180032284.7

申请日：2011-06-28

Applicant: FCI公司

Inventor： J·德格斯特 ,  S·H·J·塞尔屈

IPC: H05K1/02 ,  H01R13/6461

CPC classification number: H05K1/0251 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0245 ,  H05K1/115 ,  H05K3/429 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2201/09063 ,  H05K2201/09618 ,  H05K2201/09636 ,  H05K2201/09718 ,  H05K2201/10189

Abstract: 提供一种电路板（1），其包括多个绝缘层、至少一个接地层和至少一个包括信号迹线的层。该电路板至少包括第一导电过孔（17）和第二导电过孔（17）。第一导电过孔和第二导电过孔至少穿透所述多个绝缘层中的第一绝缘层，并且连接到信号迹线。第一导电过孔和第二导电过孔彼此相邻布置。至少在第一绝缘层中，通过第一调整部分在分隔的第一方向（R）上分隔第一导电过孔和第二导电过孔，第一调整部分包括与第一绝缘层不同的介电材料属性。

公开(公告)号：CN102379167B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201080016005.3

申请日：2010-02-01

Applicant: 莫列斯公司

Inventor： 新津俊博 ,  西川雅子

IPC: H05K3/36 ,  H05K1/02 ,  H01R9/03

CPC classification number: H05K3/361 ,  H05K1/0239 ,  H05K2201/0187 ,  H05K2203/0759 ,  H05K2203/1147 ,  Y10S439/95 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明涉及一种连接器组件，该连接器组件使用改进的电容耦合来将两个基板(7，8)上的电路连接在一起。连接器组件包括分别安装在第一和第二电路基板上的第一连接器(2)和第二连接器(3)。第一连接器包括与第一电路基板上的电路(75)连接的多个第一导体(25)，这些导体具有其上布置有电介质材料(4)的露出的接触表面。当连接器框架被接合在一起时，第一导体及其结合的电介质材料面对由第二连接器框架支撑的相对的第二导体(35)。液体电介质材料(45)设置在端子与电介质部分之间并且填充在电介质部分中可能出现的微小间隙，从而提高连接器组件的电容耦合性能。