离子质量分离方法及装置、以及离子掺加装置

    公开(公告)号:CN1425186A

    公开(公告)日:2003-06-18

    申请号:CN01808240.8

    申请日:2001-12-27

    Inventor: 桑原一

    CPC classification number: H01J37/3171 H01J37/05 H01J49/26 H01J49/32

    Abstract: 利用空芯励磁电流路(21)而在离子偏转箱的内部于宽度方向形成均匀强度的磁场,该空芯励磁电流路(21)是由:在具有入口部及出口部并弯曲的离子偏转箱的外部、按照经过入口部以及出口部的弯曲形状而在宽度方向螺旋状卷绕导体(20)而形成,将离子束通过入口部的导体(20c)之间而导入空芯励磁电流路的内部,由于空芯励磁电流路的磁场的作用而使离子束根据离子的质量而弯曲,把所希望质量的离子束通过出口部的导体(20d)而取出,由此而能够均匀地离子质量分离大口径的离子束。

    一种等离子体刻蚀装置
    167.
    实用新型

    公开(公告)号:CN218241765U

    公开(公告)日:2023-01-06

    申请号:CN202221129152.8

    申请日:2022-05-10

    Inventor: 张德培

    Abstract: 本申请公开了一种等离子体刻蚀装置,包括反应室以及多个直流线圈,反应室包括支撑件,支撑件具有能够承载晶圆的承载面,直流线圈位于承载面的上方,且与电源电性连接直流线圈围成一圈沿晶圆的边缘依次排布,且直流线圈在水平面上的投影的一部分位于晶圆在该水平面上的投影的内部;该装置能够将对应于晶圆边缘位置的倾斜的等离子体偏移出晶圆边缘范围内;同时位于晶圆边缘位置且垂直晶圆表面的等离子体可以对晶圆边缘位置进行刻蚀,以保证沟道孔的延伸方向与等离子体的运动方向一致,进而提高晶圆刻蚀的有效性。

    一种改良带电离子维恩选择器

    公开(公告)号:CN206697443U

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201720431601.7

    申请日:2017-04-24

    Abstract: 本实用新型公开了一种改良带电离子维恩选择器,包括有结构套管(2),结构套管(2)内设有绝缘套管(3),绝缘套管(3)内设有正负电极组(4),正负电极组(4)中的每一对电极单独连接电源;所述结构套管(2)外设有磁场发生器。相比现有的结构极为复杂的维恩选择器,大大降低了一些需要维恩选择器来进行实验的成本,并且本实用新型结构非常简单,易于制造。

    一种离子束能量均匀化纯化装置

    公开(公告)号:CN222168319U

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202420668778.9

    申请日:2024-04-02

    Inventor: 方明江 蔡成振

    Abstract: 本实用新型涉及一种离子注入技术领域,尤其涉及一种离子束能量均匀化纯化装置,包括用于筛选纯化离子束的离子筛选机构及用于动态控制离子筛选机构内电压差的电控机构,所述离子筛选机构包括绝缘屏蔽外壳、设于所述绝缘屏蔽外壳内的电极杆组件及固定至电极杆组件一端的第一接线环,所述绝缘屏蔽外壳上设有用于第一接线环与电控机构电连接的接线孔;本实用新型通过四极杆组件筛选掉能量分布较宽或能量不匹配的离子,将离子注入用的离子束进行纯化及聚焦;通过增设控制器动态调整内部电场分布,改变离子束在空间内的聚焦程度和能量分布,使离子束在出射端获得更均匀的能量密度分布,达到均匀化纯化。

    离子束筛选器和离子植入机

    公开(公告)号:CN209029330U

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201821689947.8

    申请日:2018-10-17

    Abstract: 本实用新型提供了一种离子束筛选器,包括:具有第一孔的底板、具有第二孔的遮挡板,所述第一孔的孔径大于所述第二孔的孔径,所述遮挡板能够相对于底板移动,所述遮挡板覆盖所述底板的第一孔时,切换第二孔工作;所述遮挡板未覆盖所述底板的第一孔时,切换第一孔工作;还提供了一种离子植入机,包括:离子源、离子束筛选器以及如离子束分离器。在本实用新型提供的离子束筛选器和离子植入机中,通过离子束筛选器筛选出不同电流的离子束,适用于不同的机台对不同电流的离子束的需求。并且本实用新型通过控制器自动控制遮挡板的移动,实现电子束通过第一孔或第二孔的切换,从而自动筛选出不同电流的离子束。

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