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公开(公告)号:FR3069957B1
公开(公告)日:2020-10-02
申请号:FR1757427
申请日:2017-08-02
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: MENARD SAMUEL
IPC: H01L29/747
Abstract: L'invention concerne un commutateur unidirectionnel dont la gâchette est référencée à l'électrode principale de face arrière comprenant : un substrat (1) N ; une couche d'anode (2) P recouvrant la face arrière ; un mur (7) P entourant les faces latérales du substrat (1) ; des premier et deuxième caissons (4, 9) P formés du côté de la face avant du substrat ; une région de cathode (3) N formée dans le premier caisson (4) ; une région de gâchette (8) N formée dans le deuxième caisson (9) ; une métallisation de gâchette (M3') recouvrant la région de gâchette (8) N et une partie du deuxième caisson (9) P ; et une bande (12) P formée dans le substrat et reliant une portion d'un côté du deuxième caisson (9) à une partie supérieure dudit mur (7).
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公开(公告)号:FR3093598A1
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:FR1902245
申请日:2019-03-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL , ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: SIMONNET JEAN-MICHEL , NGO SOPHIE , RASCUNA' SIMONE
Abstract: Dispositif de protection contre les surtensions La présente description concerne un circuit (110) comprenant une première diode (130) en un matériau semiconducteur présentant une largeur de bande interdite supérieure à celle du silicium, de sorte à assurer une protection contre des surtensions. Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号:FR3091021A1
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:FR1873566
申请日:2018-12-20
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: MENARD SAMUEL , JAOUEN LIONEL
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: Thyristor vertical La présente description concerne un thyristor (200) comprenant un empilement vertical de première (101), deuxième (103), troisième (105) et quatrième (107) régions semiconductrices de types de conductivité alternés, dans lequel la quatrième région (107) est interrompue dans une zone de gâchette (115) du thyristor, et dans un couloir continu (201) s'étendant depuis ladite zone de gâchette en direction d'un bord latéral de la quatrième région. Figure pour l'abrégé : Fig. 4
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公开(公告)号:FR3061600B1
公开(公告)日:2020-06-26
申请号:FR1750049
申请日:2017-01-03
Inventor: FIGUIERE LAURENT , LOBASCIO GAETAN , MAS ALEXANDRE
Abstract: Dispositif électronique comprenant une plaque de support (2) qui présente une face de montage (3) et une puce électronique (8) qui présente une face avant (9) et une face arrière (10) opposée à sa face avant et qui est montée sur la plaque de support dans une position telle que la face avant de la puce est en regard de la face de montage de la plaque de support. La face arrière (10) de la puce est pourvue d'une pluralité de rainures arrière (14), de sorte que la face arrière (10) de la puce 8 présente, entre lesdites rainures (14), des zones arrière (15). Une couche arrière (16) en une matière conductrice de la chaleur est étalée sur la face arrière (10) de la puce de sorte à recouvrir au moins en partie lesdites zones arrière (15) et à remplir au moins partiellement lesdites rainures arrière (14).
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公开(公告)号:FR3077932A1
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:FR1851242
申请日:2018-02-14
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: FALLOURD LUDOVIC
IPC: H01M10/04
Abstract: L'invention concerne un ensemble batterie (BAT) comprenant deux batteries (BAT-A, BAT-B) ayant leurs couches actives (3) en regard l'une de l'autre et partageant une couche d'encapsulation (E).
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公开(公告)号:FR3077432A1
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:FR1850707
申请日:2018-01-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: CONCORD JOEL
Abstract: La présente description concerne un circuit (2) comportant au moins deux filtres de mode commun (4, 5) électriquement en série et magnétiquement couplés.
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公开(公告)号:FR3076676A1
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:FR1850069
申请日:2018-01-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: BENABDELAZIZ GHAFOUR , PICHON ROMAIN
IPC: H03K17/72 , H02M7/162 , H02M7/53854 , H03K17/0412 , H03K19/098
Abstract: L'invention concerne un circuit de commande d'un thyristor à gâchette d'anode (T1, T2) comportant un premier transistor (31, 35) reliant la gâchette du thyristor à une première borne (26) d'application d'un potentiel inférieur au potentiel d'une deuxième borne (22) à laquelle est connectée l'anode du thyristor, une borne de commande du premier transistor étant destinée à recevoir un signal de commande positif par rapport au potentiel de la première borne.
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公开(公告)号:FR3076661A1
公开(公告)日:2019-07-12
申请号:FR1850084
申请日:2018-01-05
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: MENARD SAMUEL
IPC: H01L29/72 , H01L21/33 , H01L27/095 , H01L29/732
Abstract: L'invention concerne une triode semiconductrice verticale (30) comprenant une première couche (16) de matériau semiconducteur, la première couche comportant des première et seconde faces, la première face étant en contact avec une première électrode (32) formant un contact Schottky.
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公开(公告)号:FR3068826A1
公开(公告)日:2019-01-11
申请号:FR1756493
申请日:2017-07-10
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: GUY-BOUYSSOU DELPHINE
IPC: H01M10/0565 , H01M2/14 , H01M4/131
Abstract: L'invention concerne une batterie en couches minces de type sans-lithium, comprenant un empilement d'une électrode positive en LiCoO2, d'une couche d'électrolyte (107) en LiPON, et d'une électrode négative (109) en cuivre, dans laquelle la face de l'électrode négative (109) opposée à la couche d'électrolyte (107) est revêtue d'une première couche adhésive (201) à base de PVDC.
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公开(公告)号:FR3062520A1
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:FR1750771
申请日:2017-01-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS TOURS SAS
Inventor: LADROUE JULIEN , BOUFNICHEL MOHAMED
IPC: H01M10/04 , H01M50/528
Abstract: L'invention concerne une structure de batterie ayant des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) en face avant et en face arrière comprenant une batterie ayant des contacts d'anode (52) et de cathode (54) en face avant uniquement, cette batterie étant enveloppée dans un film (60) comprenant une couche conductrice (64) et une couche isolante (66), la couche conductrice (64) reposant sur les contacts d'anode (52) et de cathode (54) de la batterie et étant interrompue entre ces contacts d'anode (52) et de cathode (54), et la couche isolante (66) comprenant des ouvertures (74A, 74B, 76A, 76B) sur les faces avant et arrière de la batterie pour former des contacts d'anode (82B) et de cathode (82A) de la structure de batterie.
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