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公开(公告)号：KR1019980037619A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056397
申请日：1996-11-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/76
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 메스펙트(MESFET)의 소스-드레인 단 저항 측정 값의 보상 방법에 관한 것으로, 특히 전체 게이트 전류 성분에서 열이온 방출(thermionic emission)에 의한 전류 성분만을 추출 한 다음 열이온 방출에 의한 성분 만으로 소스 및 드레인 저항을 따로 측정하고, 계산 시에는 이상 계수(ideality factor)를 열이온 방출 값으로 대입하여 구하는 저항 값 계산의 보상 관리에 관해 개시된다.
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公开(公告)号：KR1019980037194A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055910
申请日：1996-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/66
Abstract: 본 발명은 층으로 쌓여진 두 트랜지스터로 구성되는 캐스코드 혼합기 회로에 관한 것으로, 특히 아래 쪽 트랜지스터의 드레인단에 발생한 중간 주파수(IF) 신호를 위 쪽 트랜지스터를 거치게 하지 않고 곧 바로 중간 주파수(IF) 출력단으로 전달함으로써 출력 전력 특성이 향상 된 캐스코드 혼합기 회로에 관해 개시 된다.
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公开(公告)号：KR1019980037010A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055692
申请日：1996-11-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 반도체 소자에 관한 것으로, 특히, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판 및 화합물 반도체 소자의 완충층 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판은, 에피택시 방법에 의해 제조되며, 기판, 완충층 및 채널층을 포함하는, 화합물 반도체 소자 제조용 에피택셜 기판에 있어서, 상기한 완충층은, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 화합물 반도체 완충층 형성 방법은, 화합물 반도체 소자 제조시 에피택시 방법에 의해, 채널층과 기판 사이에 완충층을 형성하는 방법에 있어서, 상기한 기판 상에, 도핑하지 않은 인듐 알루미늄 갈륨 비소의 4원소 화합물로 이루어진 완충층을 500~1,500Å의 두께로 형성하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에서와 같이, 화합물 반도체 소자제조시 4원소 화합물로 완충층을 형성하거나, 4원소 화합물의 조성비를 선형적으로 변화시켜 완충층을 형성하게 되면, 이동도를 대폭적으로 향상시킬 수 있어, 화합물 반도체 소자의 고속 특성과 저잡음 특성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980036262A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960054819
申请日：1996-11-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
Abstract: 본 발명은 갈륨비소(GaAs) 마이크로 웨이브 반도체 장치 중 증가형 모드와 공핍형 모드 금속-반도체 전계효과 트랜지스터(E-MESFET 및 D-MESFET) 제조용 기판 구조 및 제조 방법에 관한 것으로서, 기판 성장시 활성층 사이에 원하는 깊이로 얇은 식각 멈춤층을 삽입하고 식각 공정에서 채널층과 식각 멈춤층을 선택적으로 식각함으로써 공정 재현성과 특성 균일도 및 생산 수율 향상 효과를 얻을 수 있으며, 이 기판을 이용하여 E-MESFET와 D-MESFET를 제작하고 T-형 게이트를 형성하여 잡음 특성 등 마이크로웨이브 특성이 우수한 E-MESFET와 D-MESFET를 동일 기판 위에 간단한 방법으로 동시에 제작할 수 있어 공정 개선 및 원가 절감에 기여할 수 있는 것이다.
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公开(公告)号：KR1019980034996A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960053212
申请日：1996-11-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/335
Abstract: 본 발명은 GaAs HEMT 소자 제조 방법에 관한 것으로, 소자 특성의 균일도가 저하되며 수율이 떨어지는 종래의 선택적 식각 방법의 문제점을 해결하기 위하여 AlGaAs층에 도핑을 하고 두께를 증가시킨 에피구조를 사용하며, AlGaAs 및 GaAs에서 에칭속도가 비슷한 인산계 에칭용액을 사용하여 HEMT의 게이트 리세스 에칭을 실시하여 소자 특성의 균일도를 향상시키고 수율을 높일 수 있는 GaAs HEMT 소자 제조 방법이 제시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100119281B1
公开(公告)日：1998-07-01
申请号：KR1019940023881
申请日：1994-09-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: C30B25/02
Abstract: 본 발명은 초고진공 중에서 질소 래디칼을 생성하는 소오스로서 특히 반응에 활성화된 질소 래디칼을 형성하고 프라즈마 챔버의 자체 형태에 의해 프라즈마를 추출하면서 초음파를 이용해 균일도를 높여 질화물 화합물 반도체 제작시 결정성과 전기적인 특성을 향상시킬 수 있는 질소 래디칼 생성장치에 관한 것이다.
본 발명은 분자선 에피택시 장비를 이용한 질소 래디칼 발생장치에 있어서, 하전된 질소 래디칼과 화학결합하여 질화물 반도체를 형성할 수 있는 기판; 프라즈마가 밀도차에 의해 상기 기판을 향하여 입사될 수 있도록 원추형상의 구조를 갖는 챔버; 상기 챔버의 외측벽에 형성되어 프라즈마를 형성하기 위한 마그네트; 상기 챔버내로 불활성 가스인 질소를 주입하기 위한 니들밸브; 상기 니들밸브로부터 유입된 질소가스를 침버내로 확산시키기 위한 확산자; 확산된 질소가스를 이온화시키기 위한 필라멘트; 및 형성된 프라즈마와 균일한 분포를 이룰 수 있도록 상기 챔버의 하측외벽에 부착된 초음파 진동자로 구성된다.-
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公开(公告)号：KR1019970003692A
公开(公告)日：1997-01-28
申请号：KR1019950017304
申请日：1995-06-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/334
Abstract: 본 발명은 인듐갈륨비소, 인듐 알루미늄 비소 이종접합의 고전자 이동도 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 반도체기판의 상부에 버퍼층 및 채널층을 형성한 후 동일한 진공 챔버 내에서 진공을 깨지않고 채널층 표면에 도착된 소오스 분자들이 각각의 격자점으로 이동되기 위한 표면 이동시간을 갖도록 단지 결정 성장층들을 형성하기 위한 소오스들의 셔터를 닫아 성장을 일시 멈추게 한 후 연속해서 스페이서층, 도너층 및 캡층을 형성한다. 따라서, 채널층의 표면에 도착된소오스 분자들이 각각의 격자점에 위치되도록 하므로써 격자 결함이 감소되고 계면 급준성이 향상되어 전자이동도가 증가된다.
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