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公开(公告)号：CN105692543A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610246028.2
申请日：2014-01-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A.德赫
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/001 , B81B3/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00166 , B81C1/00658 , H04R19/005 , B81B7/02 , B81C1/00 , B81C1/00015
Abstract: 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了具有刚性背板的MEMS器件和制作具有刚性背板的MEMS器件的方法。在一个实施例中，器件包括衬底和由衬底支撑的背板。背板包括细长的突起。
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公开(公告)号：CN105628288A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510831756.5
申请日：2015-11-25
Applicant: 大陆汽车系统公司
IPC: G01L9/06
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/007 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C2201/013 , G01L9/0044 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0052 , G01L9/0054
Abstract: 公开了压阻式压力传感器设备。通过增加传感器的灵敏度来增加从低压力MEMS传感器输出的电压。通过使得低压力传感器设备的膜片变薄来增加灵敏度。通过同时在膜片的顶侧上产生交叉加固物来减少通过使得膜片变薄增加的非线性。顶侧的过蚀刻进一步增加灵敏度。
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公开(公告)号：CN105565256A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510617061.7
申请日：2015-09-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： A·皮科
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00325 , G01L9/0042 , G01L9/0054 , B81B7/02 , B81B7/0038 , B81B2207/015 , B81C1/00261 , B81C1/00285 , B81C2203/01
Abstract: 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。
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公开(公告)号：CN105417489A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510363290.0
申请日：2015-06-26
Applicant: 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81C2203/0721 , B81C2203/0735 , G01L9/0073
Abstract: 微机械系统和用于制造微机械系统的方法。制造微机械系统的方法包括在FEOL工艺中在晶体管区域中形成晶体管的步骤。在FEOL工艺之后，在晶体管区域中沉积保护层，其中保护层包括隔离材料。至少在不是晶体管区域的区域中形成结构化牺牲层。此外，形成至少部分覆盖结构化牺牲层的功能层。在形成功能层之后，去除牺牲层以便在功能层与沉积有牺牲层的表面之间产生空腔。保护层保护晶体管避免在MOL以及BEOL工艺中的进一步处理步骤中的蚀刻工艺期间受到损害。相同的氧化物可以用作BEOL中的金属化工艺的基础。因此，通常用作晶体管的保护的保护层可以保留在晶体管上方。因此，在BEOL工艺之前施加的保护层变成氧化物覆盖物的部分。
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公开(公告)号：CN105283745A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480031498.6
申请日：2014-06-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 海基·库斯玛
CPC classification number: G01L9/12 , B81B3/0086 , B81B2201/0264 , G01L9/0072 , G01L13/00 , G01L19/0654
Abstract: 一种微机电压力传感器结构，包括平面基座、侧壁、和隔膜板。侧壁层围绕地从平面基座延伸到侧壁层的上表面。平面基座、侧壁以及隔膜板彼此附接，以在基准压力下形成密封的闭合间隙，并且侧壁的内表面的上边缘形成隔膜的外围。隔膜板包括一个或更多个平面材料层，平面材料层的第一平面材料层跨隔膜的外围。侧壁的上表面包括至少一个不被第一平面材料层覆盖的隔离区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102786025B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201210210481.X
申请日：2012-05-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/057 , B81B7/0058 , B81B2201/0264 , G01L19/0636 , H01L23/04 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及集成压力传感器密封。本公开的一些实施例涉及用于压力感测元件的改进的封装组件。不是将压力感测元件以使它容易受到来自零星丝线、灰尘等的损坏的方式毫无遮掩地暴露于周围环境；本文公开的改进的封装组件包括盖，其帮助形成绕着压力感测元件的外壳。所述盖包括在其中布置有阻挡构件的流体流动通道。流体流动通道将压力感测元件安置为与外部环境流体连通以便可以进行压力测量，同时阻挡构件帮助保护压力感测元件免受外部环境(例如，在某种程度上的零星丝线和灰尘)影响。以这样的方式，本文公开的封装组件帮助促进比先前实施例更加精确且可靠的压力测量。
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公开(公告)号：CN104919293A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201380063807.3
申请日：2013-12-04
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 小西隆宽
CPC classification number: G01P15/123 , B81B3/0072 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0109 , G01L9/0044 , G01L9/0052 , G01L9/0054 , G01P15/0802 , H01L29/84
Abstract: 压力传感器由Si基板(10a)、SiO2层(10b)、表面Si膜(10c)所构成的SOI基板构成。Si基板(10a)上形成有通过蚀刻而形成的开口部(13)，膜片结构的位移部(12)由该部分的表面Si膜(10c)和SiO2层(10b)构成。位移部(12)形成有压阻元件(11)。位移部(12)根据要检测的压力而弯曲，压阻元件的电阻值随之而发生变化。膜片结构的位移部(12)的厚度尺寸ts为1μm以上10μm以下，压阻元件(11)的杂质浓度的峰值位置(深度)Pd为比0.5μm要深、比位移部(12)的厚度尺寸的1/2的深度要浅的位置。
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公开(公告)号：CN104797915A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380050286.8
申请日：2013-08-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司 , A·费伊
Inventor： A·费伊
IPC: G01L9/00
CPC classification number: B81B3/0027 , B81B2201/0264 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C1/0038 , G01L9/0045 , G01L9/0073
Abstract: 用于形成传感器装置的系统和方法包括：在绝缘体上硅(SOI)晶圆的装置层中限定出平面内电极；在位于所述装置层的上表面之上的硅覆盖层中形成平面外电极；在所述硅覆盖层的上表面上沉积硅化物形成金属；和将沉积后的硅化物形成金属进行退火，以在硅覆盖层中形成硅化物部分。
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公开(公告)号：CN102190284B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201010261039.0
申请日：2010-08-11
Applicant: 苏州敏芯微电子技术有限公司
CPC classification number: G01L9/0042 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0315 , B81B2203/0376 , B81C1/00182 , B81C2201/0132 , B81C2201/0177 , B81C2203/0118 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P2015/0828
Abstract: 本发明揭示了一种MEMS传感器及其应用于多种MEMS传感器制造的薄膜、质量块与悬臂梁的制造方法，该方法采用硅片正面刻蚀工艺结合淀积、外延工艺、湿法腐蚀、背面刻蚀等工艺形成感压单晶硅薄膜、悬臂梁、质量块、前腔、后腔及深槽通道，能够有效控制单晶硅薄膜的厚度，可取代传统的只从硅片背面腐蚀形成背腔以及单晶硅薄膜的方法。
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公开(公告)号：CN104662399A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049578.X
申请日：2013-06-18
Applicant: 国立大学法人东京大学 , 株式会社鹭宫制作所
CPC classification number: G01L9/0073 , B81B2201/0264 , B81C1/00047 , B81C1/00293 , G01L9/0042 , H01L29/84
Abstract: 本发明提供没有密封层侵入内腔内并填埋内腔的可能且能够以简单的工序形成具有作为预期目标的规定形状的内腔，并且作为设备具有期待功能的设备部件以及其制造方法。该设备部件具备：由半导体构成的基板部件(12)；形成于基板部件(12)的上表面且具有绝缘性的中间层(14)；形成于中间层(14)的上表面且由半导体构成的上面层(16)；形成于上面层(16)的开口部(18)；以及以密封开口部(18)的方式形成的透气性的密封层(20)，内腔(22)是由透过密封层(20)的蚀刻气体来除去中间层(14)而形成的内腔(22)。
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