公开(公告)号：US20040037956A1

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：US10225846

申请日：2002-08-22

Applicant: Eastman Kodak Company

Inventor： Zhihao Yang

IPC: C23C016/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B05D1/60 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00 ,  C09D4/00 ,  C08G77/24 ,  C08G77/04

Abstract: A method for coating a micro-electromechanical systems device with a silane coupling agent by a) mixing the silane coupling agent with a low volatile matrix material in a coating source material container; b) placing the micro-electromechanical systems device in a vacuum deposition chamber which in connection with the coating source material container; c) pumping the vacuum deposition chamber to a predetermined pressure; and maintaining the pressure of the vacuum deposition chamber for a period of time in order to chemically vapor deposit the silane coupling agent on the surface of the micro-electromechanical systems device

Abstract translation: 一种通过以下步骤涂覆具有硅烷偶联剂的微机电系统装置的方法：a）将硅烷偶联剂与低挥发性基质材料混合在涂料源材料容器中; b）将微机电系统装置放置在与涂料源材料容器相连的真空沉积室中; c）将真空沉积室泵送至预定压力; 并且将真空沉积室的压力维持一段时间，以便在微机电系统装置的表面上化学气相沉积硅烷偶联剂

公开(公告)号：US20040033639A1

公开(公告)日：2004-02-19

申请号：US10435757

申请日：2003-05-09

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： Jeffrey D. Chinn ,  Rolf A. Guenther ,  Michael B. Rattner ,  James A. Cooper ,  Toi Yue Becky Leung ,  Claes H. Bjorkman

IPC: H01L021/00

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: Disclosed herein is a method of improving the adhesion of a hydrophobic self-assembled monolayer (SAM) coating to a surface of a MEMS structure, for the purpose of preventing stiction. The method comprises treating surfaces of the MEMS structure with a plasma generated from a source gas comprising oxygen and, optionally, hydrogen. The treatment oxidizes the surfaces, which are then reacted with hydrogen to form bonded OH groups on the surfaces. The hydrogen source may be present as part of the plasma source gas, so that the bonded OH groups are created during treatment of the surfaces with the plasma. Also disclosed herein is an integrated method for release and passivation of MEMS structures which may be adjusted to be carried out in a either a single chamber processing system or a multi-chamber processing system.

Abstract translation: 本文公开了一种改进疏水性自组装单层（SAM）涂层到MEMS结构表面的粘附性的方法，以防止粘结。 该方法包括用包含氧气和任选的氢气的源气体产生的等离子体处理MEMS结构的表面。 处理氧化表面，然后与氢气反应以在表面上形成键合的OH基团。 氢源可以作为等离子体源气体的一部分存在，使得在用等离子体处理表面期间产生结合的OH基团。 本文还公开了一种用于MEMS结构的释放和钝化的集成方法，其可以被调整为在单室处理系统或多室处理系统中进行。

公开(公告)号：US20030211650A1

公开(公告)日：2003-11-13

申请号：US10457500

申请日：2003-06-09

Applicant: Analog Devices, Inc.

Inventor： John R. Martin

IPC: H01L021/00

CPC classification number: H01L21/3122 ,  B81B3/0005 ,  B81C1/0096 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02263 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: This invention discloses a process for forming durable anti-stiction surfaces on micromachined structures while they are still in wafer form (i.e., before they are separated into discrete devices for assembly into packages). This process involves the vapor deposition of a material to create a low stiction surface. It also discloses chemicals which are effective in imparting an anti-stiction property to the chip. These include polyphenylsiloxanes, silanol terminated phenylsiloxanes and similar materials.

Abstract translation: 本发明公开了一种在微加工结构上形成持久的抗静电表面的方法，同时它们仍然是晶片形式（即，在它们被分离成用于组装成包装的分立装置之前）。 该方法涉及材料的气相沉积以产生低粘度表面。 它还公开了有效赋予芯片抗静电性能的化学品。 这些包括聚苯基硅氧烷，硅烷醇封端的苯基硅氧烷和类似的材料。

公开(公告)号：US20030166342A1

公开(公告)日：2003-09-04

申请号：US10300970

申请日：2002-11-20

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： Jeffrey D. Chinn ,  Rolf A. Guenther ,  Michael B. Rattner ,  James A. Cooper ,  Toi Yue Becky Leung

IPC: H01L021/461 ,  H01L021/31 ,  H01L021/302 ,  H01L021/469

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: Disclosed herein is a method of improving the adhesion of a hydrophobic self-assembled monolayer (SAM) coating to a surface of a MEMS structure, for the purpose of preventing stiction. The method comprises pretreating surfaces of the MEMS structure with a plasma generated from a source gas comprising oxygen and, optionally, hydrogen. The treatment oxidizes the surfaces, which are then reacted with hydrogen to form bonded OH groups on the surfaces. The hydrogen source may be present as part of the plasma source gas, so that the bonded OH groups are created during treatment of the surfaces with the plasma. Also disclosed herein is an integrated method for release and passivation of MEMS structures.

Abstract translation: 本文公开了一种改进疏水性自组装单层（SAM）涂层到MEMS结构表面的粘附性的方法，以防止粘结。 该方法包括用包含氧气和任选的氢气的源气体产生的等离子体来预处理MEMS结构的表面。 处理氧化表面，然后与氢气反应以在表面上形成键合的OH基团。 氢源可以作为等离子体源气体的一部分存在，使得在用等离子体处理表面期间产生结合的OH基团。 本文还公开了一种用于MEMS结构的释放和钝化的集成方法。

公开(公告)号：US20020164879A1

公开(公告)日：2002-11-07

申请号：US09850923

申请日：2001-05-07

Applicant: Applied Materials, Inc.

Inventor： Toi Yue Becky Leung ,  Jeffrey D. Chinn

IPC: H01L021/302 ,  H01L021/461 ,  H01L021/31 ,  H01L021/469

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: The invention includes methods of forming microstructure devices. In an exemplary method, a substrate is provided which includes a first material and a second material. At least one of the first and second materials is exposed to vapor-phase alkylsilane-containing molecules to form a coating over the at least one of the first and second materials.

Abstract translation: 本发明包括形成微结构器件的方法。 在示例性方法中，提供了包括第一材料和第二材料的基底。 将第一和第二材料中的至少一种暴露于含气相烷基硅烷的分子，以在第一和第二材料中的至少一种材料上形成涂层。

公开(公告)号：US06290859B1

公开(公告)日：2001-09-18

申请号：US09439103

申请日：1999-11-12

Applicant: James G. Fleming ,  Seethambal S. Mani ,  Jeffry J. Sniegowski ,  Robert S. Blewer

Inventor： James G. Fleming ,  Seethambal S. Mani ,  Jeffry J. Sniegowski ,  Robert S. Blewer

IPC: H01L2100

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81B2201/035 ,  B81C1/00674 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  H01H2001/0057

Abstract: A process is disclosed whereby a 5-50-nanometer-thick conformal tungsten coating can be formed over exposed semiconductor surfaces (e.g. silicon, germanium or silicon carbide) within a microelectromechanical (MEM) device for improved wear resistance and reliability. The tungsten coating is formed after cleaning the semiconductor surfaces to remove any organic material and oxide film from the surface. A final in situ cleaning step is performed by heating a substrate containing the MEM device to a temperature in the range of 200-600 ° C. in the presence of gaseous nitrogen trifluoride (NF3). The tungsten coating can then be formed by a chemical reaction between the semiconductor surfaces and tungsten hexafluoride (WF6) at an elevated temperature, preferably about 450° C. The tungsten deposition process is self-limiting and covers all exposed semiconductor surfaces including surfaces in close contact. The present invention can be applied to many different types of MEM devices including microrelays, micromirrors and microengines. Additionally, the tungsten wear-resistant coating of the present invention can be used to enhance the hardness, wear resistance, electrical conductivity, optical reflectivity and chemical inertness of one or more semiconductor surfaces within a MEM device.

Abstract translation: 公开了一种方法，其中可以在微机电（MEM）装置内的暴露的半导体表面（例如硅，锗或碳化硅）上形成5-50纳米厚的共形钨涂层，以改善耐磨性和可靠性。 在清洁半导体表面之后形成钨涂层，以从表面除去任何有机材料和氧化物膜。 通过在含有气态三氟化氮（NF 3）的存在下，将含有MEM装置的基板加热至200-600℃的温度，进行最终的原位清洗步骤。 钨涂层然后可以通过半导体表面和六氟化钨（WF6）之间的化学反应在升高的温度，优选约450℃下形成。钨沉积工艺是自限制的，并且覆盖所有暴露的半导体表面，包括紧密的表面 联系。 本发明可以应用于许多不同类型的MEM装置，包括微型雷达，微镜和微型引擎。 此外，本发明的钨耐磨涂层可用于提高MEM装置内的一个或多个半导体表面的硬度，耐磨性，导电性，光反射率和化学惰性。

公开(公告)号：TW200823973A

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW096123263

申请日：2007-06-27

Applicant: 視頻有限公司 SPATIAL PHOTONICS, INC.

Inventor： 潘蕭何 PAN, SHAOHER X.

IPC: H01L ,  C23C ,  G02B

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/047 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/0721 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一種製造微結構的方法,包括:在低於550℃的溫度下在具有電路的襯底上沈積非晶矽以形成第一結構部分,其中第一結構至少設置一個從電路接收電信號的部分。

Abstract in simplified Chinese: 一种制造微结构的方法,包括:在低于550℃的温度下在具有电路的衬底上沉积非晶硅以形成第一结构部分,其中第一结构至少设置一个从电路接收电信号的部分。

公开(公告)号：TW546833B

公开(公告)日：2003-08-11

申请号：TW091109517

申请日：2002-05-07

Applicant: 應用材料股份有限公司

Inventor： 梁佟岳(貝奇) ,  傑夫瑞D 秦

IPC: H01L

CPC classification number: B81C1/0096 ,  B81B3/0005 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/112 ,  B82Y30/00

Abstract: 本發明包括形成微結構元件的方法，在一實施態樣中，先提供一基材，該基材包括第一材質及第二材質。接著將第一材質或第二材質曝露於氣相態之烷基矽烷分子中，以於第一材質或第二材質上形成一塗層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明包括形成微结构组件的方法，在一实施态样中，先提供一基材，该基材包括第一材质及第二材质。接着将第一材质或第二材质曝露于气相态之烷基硅烷分子中，以于第一材质或第二材质上形成一涂层。

公开(公告)号：TW201800328A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW105135351

申请日：2016-11-01

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 劉育嘉 ,  LIU, YU-CHIA ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA-HUA ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN-WEN

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/0051 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/112 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0735

Abstract: 用於密封MEMS裝置之代表性方法包含：在基板上方沈積絕緣材料；在該絕緣材料之第一組層中形成導電通路；及在該絕緣材料之第二組層中形成金屬結構。該第一組層與該第二組層交替地交錯。提供虛設絕緣層作為該第一組層之最上部層。蝕刻該第一組層及該第二組層之部分以在該絕緣材料中形成空隙區域。在該絕緣材料之頂部表面上及其中形成導電墊。利用封裝結構密封該等空隙區域。該封裝結構之至少一部分橫向毗鄰該虛設絕緣層，且位於該導電墊之頂部表面上面。執行蝕刻以移除該虛設絕緣層之至少一部分。

Abstract in simplified Chinese: 用于密封MEMS设备之代表性方法包含：在基板上方沉积绝缘材料；在该绝缘材料之第一组层中形成导电通路；及在该绝缘材料之第二组层中形成金属结构。该第一组层与该第二组层交替地交错。提供虚设绝缘层作为该第一组层之最上部层。蚀刻该第一组层及该第二组层之部分以在该绝缘材料中形成空隙区域。在该绝缘材料之顶部表面上及其中形成导电垫。利用封装结构密封该等空隙区域。该封装结构之至少一部分横向毗邻该虚设绝缘层，且位于该导电垫之顶部表面上面。运行蚀刻以移除该虚设绝缘层之至少一部分。

公开(公告)号：US20240317579A1

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：US18676090

申请日：2024-05-28

Applicant: ROHM CO., LTD.

Inventor： Daisuke KAMINISHI ,  Martin Wilfried HELLER ,  Toma FUJITA

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  G01P15/125

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B7/0006 ,  G01P15/125 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0353 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/013 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0176 ,  B81C2203/037

Abstract: A MEMS sensor includes a bond portion in which a metal structure in a device substrate and a metal laminate are eutectically bonded. The bond portion bonds the device substrate and a lid substrate. The metal laminate is located on a main surface of the lid substrate and facing an exposed portion in the metal structure. The metal laminate includes a first metal and a second metal different from the first metal.