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公开(公告)号：CN1286500A
公开(公告)日：2001-03-07
申请号：CN00121140.4
申请日：2000-07-27
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J2201/30469
Abstract: 一种场发射显示装置及其制造方法。在该装置中一个用作阴极的第一金属膜形成一个下基底上,一个绝缘膜模板和一个第二金属膜模板形成在该第一金属膜上,其中每一个具有多个细孔以便暴露该第一金属膜。一种液态导电高聚合物膜形成在该细孔内。用作发射器顶端的碳纳米管垂直排列在该聚合物膜上。该第二金属膜模板上安装有间隔器,附着有透明电极和荧光材料的上基底安装在该间隔器上。相应地,通过在第二金属膜和绝缘膜内形成细孔且把碳纳米管放进该细孔的方法,可以简单地作成使用碳纳米管的FED装置。
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公开(公告)号：CN1278021A
公开(公告)日：2000-12-27
申请号：CN00109269.3
申请日：2000-06-15
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J23/755 , B01J37/0238 , B01J38/08 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C23C16/26 , C23C16/458 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2237/339 , Y02P20/584
Abstract: 一种低温热CVD设备和利用设备合成碳纳米管的方法,是将该设备中的反应管分成在空间上邻接气体输入部分、用于热分解输入气体的第一区,和空间上邻接排气部分、用于利用前述的分解气体合成碳纳米管第二区,并且,保持两区的温度,使第二区的温度低于第一区的温度。将具有第一金属催化膜的第一基片用腐蚀气腐蚀,形成纳米级催化颗粒,利用上述设备热分解碳源气,在其温度低于第一区的第二区中,从催化颗粒上合成碳纳米管。
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公开(公告)号：CN1277456A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN00109268.5
申请日：2000-06-15
Applicant: 李铁真 , 株式会社日进纳米技术
CPC classification number: H01J9/242 , B82Y10/00 , H01J9/245 , H01J63/06 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/777 , Y10S977/843 , Y10S977/844 , Y10S977/88
Abstract: 使用碳纳米管的白光源及其制造方法,该光源包括一个用为阴极、位于下基底的金属膜,形成在该金属膜上的催化金属膜,垂直排列上催化金属膜上、用于发射电子的碳纳米管,安装在该催化金属膜上的间隔器以及具有用为阳极的透明电极的透明上基底,和在该阳极上的荧光体。催化金属膜是由分离的毫微尺寸的催化金属微粒构成,该碳纳米管是从每个催化金属微粒生长成垂直排列在该基底上。
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公开(公告)号：CN105448623B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410269167.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J2201/30423 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。
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公开(公告)号：CN104795298B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410024559.8
申请日：2014-01-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J29/04 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J1/308 , H01J1/312 , H01J29/18 , H01J31/12 , H01J31/127 , H01J2201/30469 , H01J2201/3125 , H01J2329/0455 , H01J2329/0478 , H01J2329/0484
Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置，其包括多个电子发射单元间隔设置，所述电子发射单元包括依次层叠设置的一第一电极，一半导体层，一绝缘层以及一第二电极，其中，所述电子发射单元还包括设置于所述半导体层与所述绝缘层之间的一电子收集层，所述电子收集层为一导电层，任意相邻的电子发射单元中的第一电极相互间隔，任意相邻的电子发射单元中的第二电极相互间隔。本发明还提供一种电子发射显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103367073B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210087160.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大。
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公开(公告)号：CN102870189B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180009961.3
申请日：2011-03-22
Applicant: 新鸿电子有限公司
CPC classification number: H01J35/065 , A61B6/4028 , A61B6/4064 , H01J35/04 , H01J35/14 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H05G1/30
Abstract: 多波束场致发射X?射线系统和相关方法，该系统包括阴极元件、与所述多个阴极元件相隔开的阳极组件，以及位于多个阴极元件和阳极组件之间的萃取门。该方法包括：在萃取门和至少其中一个阴极元件之间应用电位差，可使得各个阴极元件来发射电子；测量阴极元件的发射特性，并根据所测发射特性，调节萃取门和至少其中一个阴极元件之间的电位差。
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公开(公告)号：CN105448624A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410327704.X
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0268 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742
Abstract: 一种场发射阴极的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一微通道板，该微通道板具有多个开孔；提供一碳纳米管浆料，将所述碳纳米管浆料填充于所述微通道板的多个开孔内，部分碳纳米管浆料粘附于所述微通道板的开孔内壁；加热填充碳纳米管浆料的微通道板，使得所述碳纳米管浆料中的有机载体挥发，得到一场发射阴极。
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公开(公告)号：CN105448623A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410269167.8
申请日：2014-06-17
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , B82Y99/00 , H01J2201/30423 , H01J2201/30469 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 本发明涉及一种场发射体的制备方法，包括：提供一碳纳米管层，所述碳纳米管层包括多个微孔及相对的第一表面及第二表面；在所述碳纳米管层的第一表面电镀一第一金属层；在所述碳纳米管层的第二表面电镀一第二金属层，形成一碳纳米管复合层；及断开所述碳纳米管复合层，使所述碳纳米管层断开，在断开处形成多个电子发射端。
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公开(公告)号：CN105445227A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410434514.8
申请日：2014-08-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: G01N21/65 , B82B3/009 , G01N21/6458 , G01N2021/4792 , G02B21/33 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明涉及一种原位观测一维纳米材料的方法，包括以下步骤：S1提供一待测一维纳米材料；S2将所述一维纳米材料浸没于耦合液中；S3提供一束具有连续光谱的白色入射光，所述一维纳米材料在该入射光的照射下发生共振瑞利散射；S4利用物镜为水镜的光学显微镜观测该一维纳米材料，观测时该水镜浸没于所述耦合液中。本发明还涉及一种利用该方法观测一维纳米材料的装置。
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