公开(公告)号：JP2009081032A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：JP2007248999

申请日：2007-09-26

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： FERRARA JOSEPH ,  SPLINTER PATRICK ,  GRAF MICHAEL ,  BENVENISTE VICTOR

IPC: H01J37/317

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the apparatus cost and improve the productivity in an apparatus for implanting many kinds of ion onto a single wafer. SOLUTION: Multiple ion beam line assemblies are arranged around a common processing chamber. Each of multiple ion beam line assemblies is selectively separated from the common processing chamber, and multiple ion beam lines intersects with each other at a processing region of the common processing chamber. A scanning apparatus arranged within the common processing chamber can be operated so that a workpiece holder gets across each of multiple ion beam lines to selectively move in one or more directions in the processing region. A common dose measuring apparatus arranged within the common processing chamber can be operated to measure one or more characteristics in each of multiple ion beam lines. To exchange a workpiece between the common processing chamber and an external environment, a load lock chamber is linked to the common processing chamber operatively. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了降低设备成本并提高用于将多种离子注入到单个晶片上的装置的生产率。 解决方案：多个离子束线组件围绕公共处理室布置。 多个离子束线组件中的每一个选择性地与公共处理室分离，并且多个离子束线在公共处理室的处理区域处彼此相交。 布置在公共处理室内的扫描装置可以被操作，使得工件保持器穿过多个离子束线中的每一个，以选择性地在处理区域中的一个或多个方向上移动。 布置在公共处理室内的普通剂量测量装置可以被操作以测量多个离子束线中的每一个中的一个或多个特性。 为了在公共处理室和外部环境之间交换工件，操作地将负载锁定室连接到公共处理室。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2012238881A

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：JP2012164911

申请日：2012-07-25

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッド

Inventor： WILLIAM DIVERGILIO ,  ASEEM SRIVASTAVA

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01Q1/364 ,  H01J37/321 ,  H01Q21/061 ,  H05H1/46

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wide area radio frequency plasma source suitable for simultaneously ashing or etching multiple semiconductor substrates.SOLUTION: An antenna array 30 for a radio frequency plasma process chamber includes: an electrode array 34; a dielectric tube array 36 made of dielectric tubes concentrically disposed about each electrode tube; and a hermetic seal 40. A chamber at atmospheric pressure is formed between an outer surface of each electrode tube and an inner surface of a dielectric tube corresponding to the electrode tube. The hermetic seal 40 is located between each dielectric tube and the process chamber, so as to allow a vacuum or low pressure in the process chamber.

Abstract translation: 要解决的问题：提供适用于同时灰化或蚀刻多个半导体衬底的广域射频等离子体源。 解决方案：用于射频等离子体处理室的天线阵列30包括：电极阵列34; 电介质管阵列36由围绕每个电极管同心设置的电介质管制成; 和气密密封件40.在每个电极管的外表面和对应于电极管的电介质管的内表面之间形成大气压力的室。 气密密封件40位于每个电介质管和处理室之间，以便允许处理室中的真空或低压。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009176717A

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：JP2008279675

申请日：2008-10-30

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： SATOH SHU ,  SIERADZKI MANNY

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3007 ,  H01J2237/045 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/153

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable an ion beam of a high beam current in low-energy in an ion implantation system by a ribbon form ion beam.
SOLUTION: A w
1 width ribbon form ion beam is pulled out from an ion source 102 and put into a mass spectrometry magnet 110, made divergent in a non-dispersive plane (xz plane), and made convergent in a dispersive plane (xy plane). A desired ion species is selected by a mass spectrometry slit 118, put into an angle correction apparatus 120, changed into a w
2 width ribbon form ion beam parallel in a horizontal plane (xz plane), and ion implantation is carried out to a workpiece 124 in an end station 122. Since a portion with a narrow width of the ion beam is made not to appear anywhere, widening by a space charge can be controlled, and transportation loss can be lessened.
COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：通过带状离子束在离子注入系统中实现低能量的远光束的离子束。 解决方案：将宽带状离子束从离子源102拉出并放入质谱磁体110中，在非分散平面（xz平面）中发散， 并在分散平面（xy平面）收敛。 通过质谱狭缝118选择期望的离子种类，将其放入角度校正装置120中，改变为在水平面（xz平面）中平行的宽<！ - SIPO - >形带状离子束，并且离子注入 被执行到端站122中的工件124.由于离子束宽度窄的部分不出现在任何地方，所以可以控制通过空间充电的加宽，并且可以减少运输损失。 版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2009038030A

公开(公告)日：2009-02-19

申请号：JP2008197997

申请日：2008-07-31

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： DIVERGILIO WILLIAM ,  TIEGER DANIEL ,  GRAF MICHAEL

IPC: H01J27/08 ,  H01J27/16 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0827 ,  H01J2237/30472

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To enable an ion source used for an ion implantation system to move from one output mode to the other output mode and from one ion source material to the other ion source material. SOLUTION: An ion source assembly main body 220 includes an ion source chamber 212 where ionization materials 116, 120 are supplied from solid materials 228, 232 in a region between a filament 204 and a reflection board 206 and arms of an RF antenna 128 and an ion plasma 214 is generated. The RF antenna 128 is composed of a ceramic tube 225 and copper surrounded by sapphire or the like and can get a water cooling by using a water jacket 216. The ion source chamber 212 accommodates both of a low output direct current discharging element 126 and the RF antenna 128 of a high output discharging element. The low output discharging element 126 includes with a cathode heater filament 204, a first reflection board 206 and a second reflection board 208. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：为了使用于离子注入系统的离子源能够从一个输出模式移动到另一个输出模式，并使一个离子源材料移动到另一个离子源材料。 解决方案：离子源组件主体220包括离子源室212，其中电离材料116,120从灯丝204和反射板206之间的区域中的固体材料228,232供应，并且RF天线的臂 128并产生离子等离子体214。 RF天线128由陶瓷管225和由蓝宝石等包围的铜构成，并且可以通过使用水套216获得水冷。离子源室212容纳低输出直流放电元件126和 高输出放电元件的RF天线128。 低输出放电元件126包括阴极加热器灯丝204，第一反射板206和第二反射板208.版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008159585A

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：JP2007323610

申请日：2007-12-14

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： FERRARA JOSEPH ,  GRAF MICHAEL ,  BO VANDERBERG

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/05

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/024 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/057 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/30455 ,  H01J2237/30483 ,  H01J2237/31705

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a system and a method for implanting ions into a workpiece.
SOLUTION: In an ion implantation system, an ion beam is generated for implanting the ions into the workpiece, and the ion beam is subjected to mass analysis and is made to make a vertical sweep action along a sweep axis line, with respect to the workpiece. The workpiece is then tilted along the beam axis line, in synchronization with the sweep action of the ion beam, to keep the ion injection angle substantially constant with respect to the workpiece. In this case, an analysis aperture is moved along with the ion beam, when the ion beam is swept vertically across a wafer, and through this process, desired ions can be made to collide against the wafer and unwanted contaminants are blocked.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种将离子注入工件的系统和方法。 解决方案：在离子注入系统中，产生用于将离子注入到工件中的离子束，并且对离子束进行质量分析，并使其沿着扫掠轴线进行垂直扫掠动作，与 到工件。 然后与离子束的扫掠动作同步地沿着光束轴线倾斜工件，以使离子注入角度相对于工件保持基本恒定。 在这种情况下，当离子束横过晶片垂直扫描时，分析孔与离子束一起移动，并且通过该过程，可以使期望的离子与晶片碰撞并且不想要的污染物被阻挡。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008091338A

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：JP2007256509

申请日：2007-09-28

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： SATOH SHU

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/14 ,  H01J2237/049 ,  H01J2237/055 ,  H01J2237/057

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a single magnet assembly used for an ion implantation system, with improved mass spectrometry profile characteristics, and a creating wide-ribbon ion beam. SOLUTION: The ion implantation system supplies ribbon beams put under mass spectrometry from a plasma source and an ion beam source containing a drawer element. The drawer element draws out a divergence beam, and makes the ion beam face to a window frame magnet assembly. The window frame magnet assembly contains two pairs of coils arranged perpendicularly with each other inside a window-shape yoke so as to generate an independently controllable and uniform cross-field magnetic field. The first coil pair creates a uniform perpendicular magnetic field 804 so as to make the divergence beam a uniform parallel broad beam. A magnetic field 810 created by the second coil pair, gives mass divergence by the mass of the ion, bends the ion beam in a sheet shape on a perpendicular direction, and forms a ribbon beam 808. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供用于离子注入系统的单个磁体组件，具有改进的质谱分布特征和产生宽带离子束。 解决方案：离子注入系统从等离子体源和包含抽屉元件的离子束源提供质谱放置在质谱下。 抽屉元件抽出发散光束，使离子束面对窗框磁体组件。 窗框磁体组件包含在窗形磁轭内彼此垂直布置的两对线圈，以便产生独立可控且均匀的交变场磁场。 第一线圈对产生均匀的垂直磁场804，以使发散光束成为均匀的平行宽光束。 由第二线圈对产生的磁场810通过离子的质量产生质量散度，使垂直方向上的片状弯曲离子束，并形成带状光束808.版权所有（C）2008 ，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2008047525A

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：JP2007195980

申请日：2007-07-27

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： GRAF MICHAEL

IPC: H01J37/317

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optimum method for effectively utilizing ion beams in an ion implantation system of a single substrate.
SOLUTION: In the ion implantation system, a temporary temperature operation parameter is controlled based on mechanical rotation of 180° of a wafer during beam scanning fixed by a two-dimensional mechanical scanning. The rotation of a work piece during the fixed ion beam scanning makes temporary temperature dissipation sufficient for promoting more uniform ion implantation treatment possible.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供在单个基板的离子注入系统中有效利用离子束的最佳方法。 解决方案：在离子注入系统中，在通过二维机械扫描固定的束扫描期间，基于晶片的180°的机械旋转来控制临时温度操作参数。 在固定离子束扫描期间工件的旋转使临时温度耗散足以促进更均匀的离子注入处理。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2007207755A

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：JP2007015280

申请日：2007-01-25

Applicant: Axcelis Technologies Inc ,  アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド

Inventor： POATE JOHN M ,  RUBIN LEONARD M

IPC: H01J37/317 ,  H01F6/00 ,  H01F6/04 ,  H01F6/06 ,  H01J37/147 ,  H01J49/30 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J37/1416 ,  H01J37/1475 ,  H01J2237/002 ,  H01J2237/055

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion implantation machine which has a mass spectrometry magnet and/or other magnetic structure to be used for supplying ion beams to implant ions into a silicon wafer, and provide its system and method. SOLUTION: The ion implantation machine 10 is composed of an ion source 12 to generate ion beams 14 which moves alongside a beam line and a ion implantation chamber 22. In order to implant ions on the surface of a workpiece 24 by the ion beams, the workpiece is positioned to cross the ion beams. Magnets 30, 40, 42, 44 made of various superconductive materials positioned alongside the beam line are provided to operate the ion beams and ions. The superconductive materials are made of a T C material of a low critical temperature (e.g. NbTi) or a higher T C material (e.g. MgB 2 , Bi 2 Sr 2 CaCu 2 O 8 ). COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种具有质谱磁体和/或其他磁性结构的离子注入机，用于提供离子束以将离子注入到硅晶片中，并提供其系统和方法。 解决方案：离子注入机10由离子源12组成，以产生沿束线和离子注入室22移动的离子束14.为了通过离子将离子注入到工件24的表面上 工件被定位成与离子束交叉。 提供由沿着束线定位的各种超导材料制成的磁体30,40,42,44以操作离子束和离子。 超导材料由低临界温度（例如NbTi）或较高T SB SB材料（例如MgB 2 材料制成， ，Bi 2 Sr 2 2 8 ）。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP3874610B2

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：JP2000544003

申请日：1999-04-13

Applicant: アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッドAxcelis Technologies, Inc.

Inventor： エム コックス ジェラルド

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/302 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/6719 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67745

公开(公告)号：JP2006516363A

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：JP2006500989

申请日：2004-01-16

Applicant: Jsr株式会社 ,  アクセリス テクノロジーズ, インコーポレイテッドAxcelis Technologies, Inc.

Inventor： ラルフ アルバノ、 ,  オーランド エスコーシア、 ,  キングユアン ハン、 ,  イヴァン、 エル、 サード ベリー、 ,  カルロ ワルドフリート、 ,  淳 塩田

IPC: H01L21/312 ,  C01B33/12 ,  C23C16/56 ,  H01B3/46 ,  H01L21/311 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  C01B33/126 ,  C23C16/56 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  Y10T428/31663

Abstract: 改良された弾性率および材料硬度を有する低誘電率多孔質材料。 このような多孔質材料を作る方法では、無弗素プラズマ硬化された多孔質誘電材料を製造するために、多孔質誘電材料を用意し、無弗素プラズマガスを用いて、プラズマ硬化する。 この多孔質誘電材料の無弗素プラズマ硬化により、改良された弾性率および材料硬度、ならびに同等の誘電率を有する材料が製造される。 弾性率の改良は、一般に、約50%以上である。