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公开(公告)号：KR1020170074296A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
Abstract translation: 氮化物半导体发光器件及其制造方法本发明涉 制造氮化物半导体发光根据本发明的发光器件中，形成在所述基板的上表面上的金属层之后，形成具有开口的金属层和上暴露所述金属层的预定区域中的预定图案的掩模层的方法; 在掩模层中的开口中形成多个n型氮化物纳米棒结构; 对所述多个正氮化物纳米棒结构的n型包覆层，以形成层叠的多量子阱结构或者多量子阱盘同轴结构，并包括有源层，进而在p型覆层; 在p型覆层上形成p氮化物至预定高度; 去除掩模层以暴露金属层; 在暴露的金属层的表面和多个纳米棒结构之间的空间中填充和固化绝缘材料; 并且在多个纳米结构结构和绝缘材料的顶表面上形成金属接触层，并在金属接触层上形成电极。 这样，根据本发明，通过在金属层或形成在基板上的金属材料制成的基板上形成氮化物纳米棒结构的发光元件，并且可以容易地形成光的光发射的正电极的发光元件汉王信浓 光提取效率可以通过棒下的金属层或金属衬底的反射来改善。
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公开(公告)号：KR101309506B1
公开(公告)日：2013-09-23
申请号：KR1020110138207
申请日：2011-12-20
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 특히 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 더 포함하는 질화물계 반도체 발광소자 및 제조 방법에 관한 것으로, 질화물계 반도체 발광소자는 베이스 기판, 베이스 기판상에 위치하는 u-질화물층, u-질화물층 상에 위치하는 n형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층 상에 위치하는 제 1 p형 3족 질화물층, n형 3족 질화물층과 제 1 p형 3족 질화물층 사이에 형성되는 활성층을 포함한 다중양자우물구조(Multiple Quantum Well, MQW), 제 1 p형 3족 질화물층 상면에 형성되는 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층, Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 형성되는 제 2 p형 3족 질화물층을 포함한다.
나아가, 질화물계 반도체 발광소자 제조 방법은 베이스 기판 상면에 u-질화물층, n형 3족 질화물층, MQW 및 제 1 p형 3족 질화물층을 형성하는 단계, p형 3족 질화물층 상면에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하는 단계, Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층 상면에 제 2 P형 3족 질화물층을 형성하는 단계를 포함한다.
더 나아가, 제 1 P형 3족 질화물층 또는 제 2 p형 3족 질화물층은 금속유기 화학기상증착 장비(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)을 이용하여 500 내지 1200°온도에서 형성된다.
또한, 본 발명의 질화물계 반도체 발광소자는 Mg로 도펀트된 제 1 p형 3족 질화물층 상에 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층을 형성하여 상기 제 1 p형 3족 질화물층과 상기 Mg
x N
y (0＜x≤1, 0＜y≤1)층이 같은 원료(Mg)를 사용하기 때문에 높은 정공 농도를 보이는 질화물 반도체를 얻을 수 있는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR101837623B1
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：KR1020150183086
申请日：2015-12-21
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은질화물반도체발광소자및 그제조방법에관한것이다. 본발명에따른질화물반도체발광소자의제조방법은, 기판의상면에금속층을형성한후, 금속층위에금속층의일정영역을노출하는개구를가지는소정패턴의마스크층을형성하는단계와; 마스크층의개구에복수의 n-질화물나노막대구조물을형성하는단계와; 복수의 n-질화물나노막대구조물위에 n형클래드층, 활성층을포함한다중양자우물디스크구조체또는다중양자우물동축구조체, 및 p형클래드층을차례로적층형성하는단계와; p형클래드층위에 p-질화물을소정높이로형성하는단계와; 마스크층을제거하여금속층을노출시키는단계와; 노출된금속층의표면과복수의나노막대구조물사이의공간에절연물질을충전하고경화시키는단계; 및복수의나노막대구조물의상단면및 절연물질의상단면에걸쳐금속콘택층을형성및 금속콘택층위에전극을형성하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 기판상에형성된금속층또는금속재질의기판상에질화물나노막대구조의발광소자를형성함으로써, 발광소자의 n-전극을용이하게형성할수 있고, 발광소자에의한광방출시나노막대하부의금속층또는금속기판에의한반사로광추출효율을증진시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101673965B1
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
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公开(公告)号：KR101656206B1
公开(公告)日：2016-09-09
申请号：KR1020140152376
申请日：2014-11-04
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160083257A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193673
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, GaN 기판상에마스크층을형성하는제1단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기 GaN 기판의일부영역을노출시키는나노패턴을형성하는제2단계와, 상기나노패턴에대응하여상기 GaN 기판상에 GaN을선택적으로성장시켜서로다른결정면이노출되도록 GaN 나노구조체를성장시키는제3단계및 상기 GaN 나노구조체상에활성층을포함하는나노구조층을성장시키는제4단계를포함하여이루어지되, 상기활성층은상기 GaN 나노구조체의결정면에따라유효조성물의함량이달라발광파장의조절이가능한것을특징으로하는나노구조체를이용한백색발광소자의제조방법및 그에의해제조된나노구조체를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해활성층의노출되는결정면을조절하여각 유효조성물의함량을제어하여활성층의발광파장을조절할수 있게되어, 단일소자내에서에피성장과정중에청색과황색발광을유도하여백색발광을구현할수 있는이점이있다.
Abstract translation: 本发明涉及不需要荧光体施加处理的（无磷）白色发光元件。 其制造方法包括：在GaN衬底上的掩模层的第一步骤; 图案化掩模层以形成暴露GaN衬底的一部分的纳米图案的第二步骤; 第三步骤，根据纳米图案在GaN衬底上选择性地生长GaN以生长GaN纳米结构以暴露彼此不同的晶体面; 以及在GaN纳米结构上生长包括有源层的纳米结构层的第四步骤，其中在有源层中，有效组成的含量随GaN纳米结构的晶面而变化。 因此，可以调节发光波长。 因此，调整有源层的暴露的结晶面以控制每个有效成分的含量以调节有源层的发光波长，并且在单个元件的外延生长过程中诱导蓝色和黄色的发光 体现白光发射。
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公开(公告)号：KR1020160083256A
公开(公告)日：2016-07-12
申请号：KR1020140193672
申请日：2014-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/66431
Abstract: 본발명에따른모놀리식멀티채널전력반도체소자는기판; 상기기판상에형성된제 1 HEMT 구조체; 및상기기판상에형성된제 2 HEMT 구조체;를포함하고, 상기제1 및제2 HEMT 구조체는각기 4원계질화물반도체층을포함한다. 상기제 1 HEMT 구조체와상기제 2 HEMT 구조체는동일한기판위에서수평방향으로상이한위치에, 수직방향으로서로다른층에형성되며, 배리어층에의해서로전기적으로분리된다. 상기제 1 HEMT 구조체는상기배리어층상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제1 GaN버퍼층, 제1 InAlGaN층및 제1 GaN캡층을포함하고, 상기제1 InAlGaN층은 In과 Al은소정의조성비를가짐으로써상기제1 InAlGaN층에압축응력이작용하여분극이상부방향을향하도록역전되고, E-모드(Depletion mode) 동작을수행한다. 상기제 2 HEMT 구조체는상기기판상에순차적으로갈륨면에피택셜성장한제2 GaN버퍼층과제2 InAlGaN층을포함하고, In과 Al은소정의조성비를가짐으로써인장응력이작용하여상기제2 GaN버퍼층과상기제2 InAlGaN층사이의계면에 2DEG이형성되고 D-모드(Depletion mode) 동작을수행한다.
Abstract translation: 本发明提供一种单片式多通道功率半导体器件及其制造方法，该单片式多通道功率半导体器件包括能够以简单的工艺制造且结构简单，电流密度高，内部高压的E型HEMT结构。 根据本发明，单片多通道功率半导体器件包括：基板; 形成在所述基板上的第一HEMT结构; 以及形成在所述基板上的第二HEMT结构。 第一和第二HEMT结构单独地包括四氮化硅半导体层。 第一HEMT结构和第二HEMT结构在同一基板上的水平方向的不同位置处在垂直方向上的不同层上形成，并且被阻挡层电隔离。 第一HEMT结构包括：依次在阻挡层上外延生长的第一GaN缓冲层，第一InAlGaN层和第一GaN覆盖层。 第一InAlGaN层包含具有预定组成比的In和Al，因此对第一InAlGaN层施加压应力。 因此，极化朝向上部反转，并且执行增强模式（E模式）运动。 第二HEMT结构包括依次在衬底上外延生长的第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层。 In和Al具有预定的组成比，因此施加压应力。 因此，在第二GaN缓冲层和第二InAlGaN层之间形成2EDG，进行耗尽模式（D模式）运动。
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公开(公告)号：KR101581438B1
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140042909
申请日：2014-04-10
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L33/50
Abstract: 본발명은형광체도포공정이필요없는(phosphor-free) 백색발광소자에관한것으로서, 상기목적을달성하기위해본 발명은, 기판상에마스크층을형성하는단계와, 상기마스크층을패터닝하여상기기판의일부영역을노출시키는패턴을형성하는단계및 상기기판의노출된영역상에발광층을포함하는질화물계나노막대를성장시키는단계를포함하여이루어지되, 상기나노막대의직경또는간격을조절함으로써나노막대간 그림자효과(shadow effect)에따른상기나노막대의유효조성물의함량을제어하여, 상기발광층의발광파장을조절하는것을특징으로하는나노막대를이용한백색발광소자의제조방법및 이에의해제조된나노막대를이용한백색발광소자를기술적요지로한다. 이에의해기판상에나노막대형태로발광층을형성함으로서, 형광체없는백색광원의제조가가능하며, 발광층을나노막대형태로형성하여결함밀도를최소화하여고품질의발광소자의제조가가능한이점이있다.
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公开(公告)号：KR101808679B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020160115769
申请日：2016-09-08
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은초박형홀 센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명의제1 실시예에따른초박형홀 센서의제조방법은, 웨이퍼기판상에희생층을형성하는단계; 희생층위에 n형컨택층을형성하는단계; n형컨택층위에홀 센서활성층을형성하는단계; 홀센서활성층위에버퍼층을형성하는단계; 버퍼층상면에전사(transfer) 대상기판을접합하는단계; 및희생층을제거하여상기웨이퍼기판을상기희생층상부의적층구조체로부터분리하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 홀센서에역구조의박막홀 센서층성장을통해한 번에홀 센서소자를대상기판에전사함으로써, 전사횟수를줄이고공정을단순화하여수율을향상시키고제조비용을감축할수 있다.
Abstract translation: 超薄霍尔传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种超薄霍尔传感器及其制造方法。 根据本发明的第一实施例制造的超薄霍尔传感器的方法包括：形成在晶片衬底上的牺牲层的工序; 在牺牲层上形成n型接触层; 在所述n型接触层上形成空穴传感器有源层; 在空穴传感器有源层上形成缓冲层; 将要转移的衬底接合到缓冲层的上表面; 并去除牺牲层以将晶片衬底与牺牲层部分的层压结构分离。 根据本发明这样，在由霍尔传感器元件在一个时间传送，通过倒置结构的霍尔传感器的薄膜霍尔传感器层生长在目标基板上，以减少传输计数，以简化工艺，提高产率和降低制造成本 有。
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公开(公告)号：KR101523991B1
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020140025965
申请日：2014-03-05
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L29/778 , H01L29/201
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/201 , H01L29/768
Abstract: 본발명의일 측면에따르면, 단결정인기판; 상기기판에증착되고상기기판의일부영역을노출시키는패턴이형성된유전체층; 상기기판의노출된영역상에증착된버퍼층;및상기버퍼층위에증착되고밴드갭이서로다른물질층이접합된 2DEG층(2차원전자가스층; 2Demensional Electron Gas Layer 이하 2DEG층)을포함하는소자층을포함하는것을특징으로하는질화물계전력반도체소자를제공한다. 이상에서살펴본본 발명에의하면, 기설정된폭과길이의영역에수직으로이종반도체를성장시킴으로써, 결함이생기지않은소자를제작하는효과가있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面，氮化物系功率半导体器件包括单晶衬底; 介电层，其沉积在基板上并具有使基板的一部分露出的图案; 沉积在衬底的暴露区域上的缓冲层; 以及包括二维电子气体层（2DEG层）的器件层，其沉积在缓冲层上并与不同的材料层接合。 根据这样的本发明，在具有预定宽度和长度的区域中垂直生长非均匀半导体。 因此，可以制造没有缺陷的装置。
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