公开(公告)号：KR102110904B1

公开(公告)日：2020-05-14

申请号：KR1020180168883

申请日：2018-12-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김종민 ,  김창완 ,  박광욱 ,  정상현

IPC: G01R33/07 ,  H01L43/06 ,  G01R33/00

公开(公告)号：KR102046982B1

公开(公告)日：2019-11-20

申请号：KR1020180070381

申请日：2018-06-19

Applicant: 한국과학기술원 ,  (재)한국나노기술원

Inventor： 이건재 ,  이한얼 ,  신정호 ,  신찬수 ,  최재혁 ,  김창완

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/36 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

公开(公告)号：KR101875416B1

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：KR1020160184216

申请日：2016-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 신찬수 ,  이인근 ,  송근만 ,  김창완 ,  최재원 ,  최재혁 ,  박원규

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/12 ,  H01L33/50 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2933/0033

Abstract: 본발명은 SOI 기판상에반도체소자를형성하기위한것으로서, SOI(실리콘(111)층/절연물/실리콘(001)층) 기판상에반도체에피층을성장하는방법에있어서, 패터닝공정을통해 GaAs의성장이필요한영역의실리콘(111)층을제거하는제1단계와, 상기실리콘(111)층을제거하고그 상층에절연막을증착하는제2단계와, 패터닝공정을통해 GaN의성장이필요한영역의상기절연막을제거하여실리콘(111)층을노출시키는제3단계와, 상기노출된실리콘(111)층상에 GaN버퍼층을성장시키는제4단계와, 상기 GaN버퍼층을성장시킨후 절연막을증착하고, 청색LED에피층영역의패터닝에의해상기청색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제5단계와, 상기청색LED에피층영역의노출된 GaN버퍼층상에청색LED에피층을성장시키는제6단계와, 상기청색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 녹색LED에피층영역의패터닝에의해상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층을노출시키는제7단계와, 상기녹색LED에피층영역의 GaN버퍼층상에녹색LED에피층을성장시키는제8단계와, 상기녹색LED에피층을성장시킨후 절연막을증착하고, 적색LED에피층영역의패터닝에의해실리콘(001)층을노출시키는제9단계와, 상기노출된실리콘(001)층에 GaAs버퍼층을형성하고적색LED에피층을성장시키는제10단계및 상기청색LED에피층및 녹색LED에피층상부에남은절연막을제거하는제11단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는 Si(111)/(001) SOI 기판상에 GaN 및 GaAs 에피층의연속성장방법및 그에의해제조된반도체발광소자모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은결정구조가서로다른반도체재료를동일한공정기판상에서연속공정에의해에피성장을구현함으로써, 공정단계의획기적인감소로공정비용및 시간을절감할수 있으며, 연속공정상에서이루어지게되어소자간 품질의차이를최소화시키면서, 청색, 녹색, 적색반도체발광소자의공정재현성이우수하여고품위의반도체발광소자를제공하는이점이있다.

公开(公告)号：KR101993863B1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：KR1020170184792

申请日：2017-12-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 최재혁 ,  김창완 ,  신찬수 ,  김신근

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/36 ,  H01L33/50

公开(公告)号：KR102060966B1

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：KR1020170182535

申请日：2017-12-28

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  고유민 ,  조주영 ,  박경호 ,  최재혁 ,  이근우 ,  정상현 ,  김창완 ,  최영수 ,  박범두 ,  이동근

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/18 ,  H01L21/78 ,  H01L23/00 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR101808679B1

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：KR1020160115769

申请日：2016-09-08

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 김종민 ,  송근만 ,  김창완 ,  조주영 ,  최재혁

IPC: G01R33/07 ,  G01R33/00

Abstract: 본발명은초박형홀 센서및 그제조방법에관한것이다. 본발명의제1 실시예에따른초박형홀 센서의제조방법은, 웨이퍼기판상에희생층을형성하는단계; 희생층위에 n형컨택층을형성하는단계; n형컨택층위에홀 센서활성층을형성하는단계; 홀센서활성층위에버퍼층을형성하는단계; 버퍼층상면에전사(transfer) 대상기판을접합하는단계; 및희생층을제거하여상기웨이퍼기판을상기희생층상부의적층구조체로부터분리하는단계를포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 홀센서에역구조의박막홀 센서층성장을통해한 번에홀 센서소자를대상기판에전사함으로써, 전사횟수를줄이고공정을단순화하여수율을향상시키고제조비용을감축할수 있다.

Abstract translation: 超薄霍尔传感器及其制造方法技术领域本发明涉及一种超薄霍尔传感器及其制造方法。 根据本发明的第一实施例制造的超薄霍尔传感器的方法包括：形成在晶片衬底上的牺牲层的工序; 在牺牲层上形成n型接触层; 在所述n型接触层上形成空穴传感器有源层; 在空穴传感器有源层上形成缓冲层; 将要转移的衬底接合到缓冲层的上表面; 并去除牺牲层以将晶片衬底与牺牲层部分的层压结构分离。 根据本发明这样，在由霍尔传感器元件在一个时间传送，通过倒置结构的霍尔传感器的薄膜霍尔传感器层生长在目标基板上，以减少传输计数，以简化工艺，提高产率和降低制造成本 有。