遮蔽配置、使用遮蔽配置来沉积层体的装置和方法

    公开(公告)号:CN103748255B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201180072993.8

    申请日:2011-08-25

    CPC classification number: C23C14/042 C23C16/042

    Abstract: 描述了一种遮蔽配置(300),用以在层沉积时遮蔽基板。遮蔽配置包括掩模结构(340),所述掩模结构形成开口,用以在层沉积时暴露出基板,还包括保护遮罩(150),所述保护遮罩邻接掩模结构,所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布,且其中在保护遮罩与掩模结构之间形成有界面(360),并且其中所述掩模结构包括顶部(342),所述顶部延伸超出所述界面,且其中顶部与部分的保护遮罩形成间隙(344)。

    边缘排除的掩模遮蔽的保护

    公开(公告)号:CN103748255A

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201180072993.8

    申请日:2011-08-25

    CPC classification number: C23C14/042 C23C16/042

    Abstract: 描述了一种遮蔽配置(300),用以在层沉积时遮蔽基板。遮蔽配置包括掩模结构(340),所述掩模结构形成开口,用以在层沉积时暴露出基板,还包括保护遮罩(150),所述保护遮罩邻接掩模结构,所述保护遮罩保护遮蔽配置的一或多个部分在层沉积时不被涂布,且其中在保护遮罩与掩模结构之间形成有界面(360),并且其中所述掩模结构包括顶部(342),所述顶部延伸超出所述界面,且其中顶部与部分的保护遮罩形成间隙(344)。

    PVD阵列涂覆器中的边缘均匀性改善

    公开(公告)号:CN106165058B

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201480077982.2

    申请日:2014-04-17

    Abstract: 描述了一种用于材料在基板上的沉积的设备。所述设备包括沉积阵列(222),所述沉积阵列具有三个或更多个阴极(122),其中所述沉积阵列包括:第一外侧沉积组件(301),所述第一外侧沉积组件至少包括所述三个或更多个阴极中的第一阴极;第二外侧沉积组件(302),所述第二外侧沉积组件与所述第一外侧沉积组件相对,所述第二外侧沉积组件(302)至少包括所述三个或更多个阴极中的第二阴极;内侧沉积组件(303),所述内侧沉积组件包括位于所述第一外侧沉积组件与所述第二外侧沉积组件之间的至少一个内侧阴极。所述第一外侧沉积组件(301)和所述第二外侧沉积组件(302)中的至少一者被配置成用于在相同时间中、在相同基板上、以比所述内侧沉积组件(303)高的速率来沉积材料。

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