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    含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂
    11.
    发明授权
    含有环氧改性聚硅氧烷的临时粘接剂 有权

    公开(公告)号：CN110573588B

    公开(公告)日：2022-04-01

    申请号：CN201880027934.0

    申请日：2018-05-23

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 泽田和宏 ,  新城彻也 ,  荻野浩司 ,  上林哲 ,  森谷俊介

    IPC: C09J183/06 ,  C09J183/05 ,  C09J183/07 ,  H01L21/02

    Abstract: 本发明的课题是提供对晶片的电路面、支持体的旋转涂布性优异，在与粘接层的接合时、晶片背面的加工时的耐热性优异，在晶片背面的研磨后能够容易地剥离，剥离后附着于晶片、支持体的粘接剂能够简单除去的临时粘接剂及其叠层体、使用了其的加工方法。解决手段是一种粘接剂，是用于在将支持体与晶片的电路面之间以能够剥离地的方式粘接并对晶片的背面进行加工的粘接剂，上述粘接剂包含成分(A)和成分(B)，上述成分(A)通过氢化硅烷化反应而固化，上述成分(B)包含环氧改性聚有机硅氧烷，成分(A)与成分(B)的比例以质量％计为99.995：0.005～30：70。成分(B)是环氧值为0.1～5的范围的环氧改性聚有机硅氧烷。一种叠层体的形成方法，其包含下述工序：在第一基体的表面涂布粘接剂而形成粘接层的第1工序；将第二基体与该粘接层接合的第2工序；从第一基体侧加热而使该粘接层固化的第3工序。

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    13.
    发明授权
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 有权

    公开(公告)号：CN118295212B

    公开(公告)日：2025-04-08

    申请号：CN202410433349.8

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  H01L21/033

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物
    14.
    发明公开
    包含二醇结构的抗蚀剂下层膜形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN119472173A

    公开(公告)日：2025-02-18

    申请号：CN202411597468.3

    申请日：2021-06-11

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 上林哲 ,  远藤勇树

    IPC: G03F7/11 ,  G03F7/09

    Abstract: 提供能够没有孔隙(空隙)地埋入微细化发展的半导体基板上的微细孔，在膜形成时的膜烧成时产生的升华物少的抗蚀剂下层膜形成用组合物、和兼具在半导体基板加工中作为对湿蚀刻药液的保护膜的功能的药液耐性保护膜组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物或保护膜形成用组合物，其包含：下述式(1)所示的、理论分子量为999以下的化合物；以及有机溶剂。[在式(1)中，Z1包含含氮杂环，U为下述式(2)所示的一价有机基，p表示2～4的整数。][在式(2)中，R1表示碳原子数1～4的亚烷基，A1～A3各自独立地表示氢原子、甲基或乙基，X表示‑COO‑、‑OCO‑、‑O‑、‑S‑和‑NRa‑中的任一者，Ra表示氢原子或甲基。Y表示直接键合或可以被取代的碳原子数1～4的亚烷基，R2、R3和R4各自为氢原子、或者可以被取代的碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，R5为氢原子或羟基，n表示整数0或1，m1和m2各自独立地表示整数0或1，＊表示向Z1结合的部分]#imgabs0#

    含有酚醛清漆树脂作为剥离层的层叠体
    19.
    发明公开
    含有酚醛清漆树脂作为剥离层的层叠体 有权

    公开(公告)号：CN111316401A

    公开(公告)日：2020-06-19

    申请号：CN201880069448.5

    申请日：2018-10-30

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 荻野浩司 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  新城彻也 ,  上林哲 ,  森谷俊介 ,  奥野贵久

    IPC: H01L21/304 ,  B32B7/023 ,  B32B7/06 ,  B32B27/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

    Abstract: 本发明是在支持体与被加工物之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层、用于通过切断等分离被加工物、或是用于进行晶片的背面研磨等加工的层叠体，该中间层至少含有与支持体侧接触的剥离层，剥离层含有能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂，本发明提供可以不进行机械加工就可以进行分离的材料和方法。本发明是支持体与晶片的电路面之间具有以能够剥离的方式粘接的中间层的用于晶片背面研磨的层叠体，该中间层含有与晶片一侧接触的粘接层和与支持体侧接触的剥离层，剥离层能够吸收隔着支持体照射的190nm～600nm的光而改性的酚醛清漆树脂。剥离层的透光率在190nm～600nm的范围为1～90％。光吸收改性是酚醛清漆树脂的光分解。

    填隙材料形成用组合物
    20.
    发明公开
    填隙材料形成用组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN119731778A

    公开(公告)日：2025-03-28

    申请号：CN202380059602.1

    申请日：2023-08-28

    Applicant: 日产化学株式会社

    Inventor： 岸冈高广 ,  洼寺俊 ,  上林哲

    IPC: H01L21/768 ,  C08G59/24 ,  C08G59/26 ,  G03F7/11 ,  H01L23/12

    Abstract: 一种填隙材料形成用组合物，其含有化合物和聚合物中的至少一者、以及溶剂，所述化合物和聚合物具有下述式(1)所示的结构以及羰基键。(在式(1)中，R1和R2各自独立地表示氢原子、氰基、苯基、碳原子数1～13的烷基、卤原子、‑COOR11(R11表示氢原子或碳原子数1～4的烷基。)或‑COO‑。在R3为2个以上时，2个以上R3可以相同，也可以不同。R3表示甲氧基、碳原子数1～13的烷基或卤原子。n1表示0～4的整数。n2表示0或1的整数。其中，n1与n2的合计为4以下。X1表示醚键或酯键。X2表示醚键或酯键。＊表示结合键。)#imgabs0#

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