废气的净化方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100339151C

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN03813161.7

    申请日:2003-05-16

    Abstract: 一种废气净化方法,包括以下步骤:加热的同时,将含氮氧化物或有机溶剂的至少一种的废气与含金属作为还原性净化成分并含金属氧化物作为氧化性净化剂成分,或者含低价金属氧化物作为还原性净化剂成分并含高价金属氧化物作为氧化性净化剂成分的净化剂接触,进行还原性净化剂成分还原氮氧化物或者氧化性净化剂成分氧化分解有机溶剂中的至少一种,同时检测还原性净化剂成分和氧化性净化剂成分之间的组成比随氧化-还原反应过程的变化,当组成比例偏离预定的控制范围时提供校正气体,并将组成比恢复到控制范围内。提供了一种由半导体生产过程中排放的所含氮氧化物和/或有机溶剂浓度很高且变化很大的废气的净化方法,能够以相对较低的温度和较高的分解率容易地净化,无需使用大规模净化装置或结构复杂的净化装置。

    用于有害气体的净化方法和净化剂

    公开(公告)号:CN1346692A

    公开(公告)日:2002-05-01

    申请号:CN01140985.1

    申请日:2001-09-28

    CPC classification number: B01D53/72

    Abstract: 本发明涉及一种用于净化有害气体的方法,其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触,该有机硅化合物用通式表示为:CH2CH-SiR3、CH2CH-Si(OR)3、CH2CHCH2-SiR3或CH2CHCH2-Si(OR)3,其中R为饱和的烃基团或芳族化合物基团,该净化剂包括附着有至少一种选自溴、碘、金属溴化物和金属碘化物的物质的活性炭,该金属溴化物和金属碘化物中的金属可以是Cu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Al和Sn。本发明还涉及一种组成如上所述的净化剂。该净化方法和净化剂使得可通过使用干法净化方法除去从半导体生产过程中排出的有害气体。

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