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公开(公告)号:CN1357639A
公开(公告)日:2002-07-10
申请号:CN01138492.1
申请日:2001-11-14
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: C22B3/44 , B01J23/92 , B01J23/94 , B01J38/60 , B01J38/68 , C22B7/009 , C22B15/00 , Y02P10/214 , Y02P10/234
Abstract: 本发明提供了从包含氧化铜的、或包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜和氧化锰的、已用于与有害气体相接触脱除有害气体中膦有害成分的净化剂中回收铜成分或锰成分的方法。本发明也提供了从包含碱式碳酸铜的、或包含氢氧化铜的、或包含氧化铜和氧化锰的、已用于与有害气体相接触脱除有害气体中硅烷有害成分的净化剂中回收铜成分或锰成分的方法。根据本发明,可从净化剂中有效地回收能重复使用的铜成分和/或锰成分。
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公开(公告)号:CN100339151C
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN03813161.7
申请日:2003-05-16
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D53/8646 , B01D53/8625 , B01D53/8628 , B01D53/8668 , B01D2258/0216 , B01J23/26 , B01J23/72
Abstract: 一种废气净化方法,包括以下步骤:加热的同时,将含氮氧化物或有机溶剂的至少一种的废气与含金属作为还原性净化成分并含金属氧化物作为氧化性净化剂成分,或者含低价金属氧化物作为还原性净化剂成分并含高价金属氧化物作为氧化性净化剂成分的净化剂接触,进行还原性净化剂成分还原氮氧化物或者氧化性净化剂成分氧化分解有机溶剂中的至少一种,同时检测还原性净化剂成分和氧化性净化剂成分之间的组成比随氧化-还原反应过程的变化,当组成比例偏离预定的控制范围时提供校正气体,并将组成比恢复到控制范围内。提供了一种由半导体生产过程中排放的所含氮氧化物和/或有机溶剂浓度很高且变化很大的废气的净化方法,能够以相对较低的温度和较高的分解率容易地净化,无需使用大规模净化装置或结构复杂的净化装置。
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公开(公告)号:CN1157249C
公开(公告)日:2004-07-14
申请号:CN00133741.6
申请日:2000-10-27
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/72
CPC classification number: B01J20/28057 , B01D53/02 , B01D53/46 , B01D2257/706 , B01J20/0237 , B01J20/06 , C23C16/4412
Abstract: 本发明公开了一种用于清洗包含以下通式所示有机金属化合物作为有害组分的有害气体的清洗剂和清洗方法:Rm-M-Hn其中R为烷基,M为As、P、S、Se或Te,且m和n分别为正整数,满足等式:m+n=M的化合价。该清洗剂包含氧化铜(II)或氧化铜(II)与二氧化锰的混合物作为有效组分。氧化铜(II)的BET比表面积为10米2/克或更高,这明显大于常用作已知清洗剂中有效组分的氧化铜(II)。
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公开(公告)号:CN1120741C
公开(公告)日:2003-09-10
申请号:CN99124351.X
申请日:1999-12-09
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
IPC: B01D53/58
CPC classification number: B01D53/0423 , B01D53/0438 , B01D53/0462 , B01D2253/102 , B01D2253/104 , B01D2253/108 , B01D2257/406 , B01D2258/0216 , B01D2259/402
Abstract: 本发明提供一种廉价、具有三维网状结构的垫子构件,所述垫子构件易安装于座位架等框架上、固定强度大,且,具有优异的经久耐用性。所述垫子构件包括:三维网状结构物,至少安装于该三维网状结构物二端(缘)部上的多个金属制固定用紧固扣;和,将所述固定用紧固扣夹持于上述三维网状结构物之间、与所述固定用紧固扣同时作振动、熔敷于所述三维网状物中的树脂框架。
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公开(公告)号:CN1346692A
公开(公告)日:2002-05-01
申请号:CN01140985.1
申请日:2001-09-28
Applicant: 日本派欧尼股份株式会社
CPC classification number: B01D53/72
Abstract: 本发明涉及一种用于净化有害气体的方法,其包括将一种含有作为有害成分的有机硅化合物的有害气体与净化剂相接触,该有机硅化合物用通式表示为:CH2CH-SiR3、CH2CH-Si(OR)3、CH2CHCH2-SiR3或CH2CHCH2-Si(OR)3,其中R为饱和的烃基团或芳族化合物基团,该净化剂包括附着有至少一种选自溴、碘、金属溴化物和金属碘化物的物质的活性炭,该金属溴化物和金属碘化物中的金属可以是Cu、Li、Na、K、Mg、Ca、Sr、Mn、Fe、Co、Ni、Zn、Al和Sn。本发明还涉及一种组成如上所述的净化剂。该净化方法和净化剂使得可通过使用干法净化方法除去从半导体生产过程中排出的有害气体。
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