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公开(公告)号：CN104685977B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480002581.0
申请日：2014-05-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H05K3/16 , C22C9/01 , C22C9/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K3/388 , H05K3/4644 , H05K2201/0209 , H05K2201/0317 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种在树脂基板上形成不会剥落的导电膜的装载装置。通过溅射法在由树脂构成的基体3上形成含有比50原子%多的Cu、含有5原子%以上30原子%以下的Ni、含有3原子%以上10原子%以下的Al并与基体3的表面接触的合金薄膜4、5，在合金薄膜4、5的表面形成由铜构成的导电膜6、7，得到二层构造的布线膜9、填充连接孔2的金属插塞8。合金薄膜4、5与树脂的密合性高，布线膜9、金属插塞8不会剥离。
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公开(公告)号：CN103797153A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201280044707.1
申请日：2012-09-13
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C27/04 , B22F3/15 , C22C1/045 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供一种不需进行压延处理就能够提高相对密度的Mo-W靶材及其制造方法。具体为，将钼粉末在1100℃以上1300℃以下的温度下进行脱氧处理，然后，在经过脱氧处理的所述钼粉末上混合钨粉末，接下来，将所述钼粉末和所述钨粉末的混合粉末以所规定的温度进行加压烧结。由此，能够抑制烧结时的空洞（气孔）的产生，从而促进烧结体的高密度化。因此，根据上述制造方法，由于能够不通过实施压延处理就能够实现烧结体的高密度化，从而能够实现溅射成膜时的膜厚的均匀性。
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公开(公告)号：CN102597301A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080048483.2
申请日：2010-10-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C22C1/0458 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F3/02 , B22F3/10
Abstract: 本发明提供一种含钛溅射靶的制造方法，所述含钛溅射靶可减少由晶格缺陷引起的异常放电的发生次数。所述方法包括：分别制造含高熔点金属的第一金属粉末与含钛的第二金属粉末。然后，在695℃以上对第一金属粉末与第二金属粉末的混合粉末进行烧结后，在685℃以下进行热处理。烧结后，通过在685℃以下对烧结体进行热处理，从而减少烧结相中的板状组织(晶格缺陷)。由此，可以得到异常放电的发生次数少的含钛溅射靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112204165A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN201980036620.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C22C21/00 , H01L21/203 , H01L21/28 , H01L29/786
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成耐弯曲性以及耐热性优异的铝合金膜的铝合金靶材以及铝合金靶材的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的铝合金靶材在Al纯金属中含有从Zr、Sc、Mo、Y、Nb以及Ti的组中选择的至少一种的第一添加元素。上述第一添加元素的含量在0.01原子％以上1.0原子％以下。若是使用这样的铝合金靶材形成的铝合金膜，则铝合金膜具有优异的耐弯曲性并具有优异的耐热性。另外，铝合金膜也能够蚀刻。
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公开(公告)号：CN111051566A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201980004037.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种进一步提高溅射效率的溅射靶以及溅射靶的制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个实施方式的溅射靶，具有溅射面，其是纯度为99.95wt％以上的钴靶。与沿着所述溅射面的密排六方晶格结构的(100)面、(002)面、(101)面、(102)面、(110)面、(103)面、(112)面以及(004)面相应的X射线衍射峰的强度比(I(002)+I(004))/(I(100)+I(002)+I(101)+I(102)+I(110)+I(103)+I(112)+I(004))为0.85以上。
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公开(公告)号：CN107109635B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201680004797.X
申请日：2016-09-21
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供不发生电弧放电，而可在树脂基板上形成不剥落的导电膜的溅射靶。在具有由树脂构成的基体的加工基板32上形成有合金薄膜的溅射靶55中，相对于含有多于50原子%的Cu、以5原子%以上且40原子%以下的范围含有Ni、且以3原子%以上且10原子%以下的范围含有Al的100原子%的基材，以0.01原子%以上的含有率含有由Zn和Mn中的任一种或两种构成的添加物。由于得到无孔隙的溅射靶，所以不发生电弧放电。
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公开(公告)号：CN104685977A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201480002581.0
申请日：2014-05-02
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: H05K3/16 , C22C9/01 , C22C9/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , C23F1/02 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/0366 , H05K1/115 , H05K3/06 , H05K3/108 , H05K3/188 , H05K3/388 , H05K3/4644 , H05K2201/0209 , H05K2201/0317 , H05K2201/09509 , H05K2201/09563 , H05K3/38 , C23C14/14 , C23C14/34 , H05K1/11 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供一种在树脂基板上形成不会剥落的导电膜的装载装置。通过溅射法在由树脂构成的基体3上形成含有比50原子%多的Cu、含有5原子%以上30原子%以下的Ni、含有3原子%以上10原子%以下的Al并与基体3的表面接触的合金薄膜4、5，在合金薄膜4、5的表面形成由铜构成的导电膜6、7，得到二层构造的布线膜9、填充连接孔2的金属插塞8。合金薄膜4、5与树脂的密合性高，布线膜9、金属插塞8不会剥离。
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公开(公告)号：CN101063194B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710100811.9
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射靶，其和与Au、Cu等的金属或者含有它们至少一种的合金构成的膜的密合性好、而且具有耐腐蚀性，可形成异常放电少的膜，同时可在大型基板上成膜，其特征在于，在为了在基板上形成Mo-Ti合金膜的溅射靶中，含有比50原子％高、60原子％以下的Ti，其余为Mo和不可避免的杂质，相对密度为98％以上。以及扩散接合了该溅射靶的2个以上的至少一边为1000mm以的接合型溅射靶以及接合型溅射靶的制作方法。
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