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公开(公告)号：CN102959137B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180032013.1
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文的实施例是关于一种片材生产装置。容器用以固持材料的熔化物，且冷却板接近所述熔化物而安置。此冷却板用以在所述熔化物上形成所述材料的片材。使用泵，在一个例子中，此泵包含气源以及与所述气源流体连通的管道，在另一例子中，此泵将气体注入至熔化物中。所述气体可使所述熔化物上升或将动量提供至所述熔化物。
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公开(公告)号：CN102187474B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN200980141470.7
申请日：2009-10-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042 , H01L21/20
CPC classification number: C30B11/003 , C30B11/001 , C30B28/06 , C30B29/02 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/403 , C30B29/64 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521 , Y10S588/90 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
Abstract: 冷却一材料的熔化物且在此熔化物中形成此材料的板材。输送此板材，将此板材切割成至少一片段，再于冷却腔室中冷却此片段。此材料可为硅、硅及锗、镓、或氮化镓。冷却是为了避免对此片段造成应力或应变。在一实例中，此冷却腔室具有气体冷却。
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公开(公告)号：CN103025924A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180022324.X
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本发明揭示关于片材生产的实施例。冷却材料的熔化物以在所述熔化物上形成所述材料的片材。以第一片材高度在第一区域中形成所述片材。将所述片材平移至第二区域，使得所述片材具有高于所述第一片材高度的第二片材高度。接着将所述片材与所述熔化物分离。可使用晶种晶圆来形成所述片材。
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公开(公告)号：CN102959137A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180032013.1
申请日：2011-03-04
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Abstract: 本文的实施例是关于一种片材生产装置。容器经组态以固持材料的熔化物，且冷却板接近所述熔化物而安置。此冷却板经组态以在所述熔化物上形成所述材料的片材-使用泵，在一个例子中，此泵包含气源以及与所述气源流体连通的管道，在另一例子中，此泵将气体注入至熔化物中。所述气体可使所述熔化物上升或将动量提供至所述熔化物。
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公开(公告)号：CN101385112B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200780005339.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭露一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中，用于修改离子束的电磁铁包括：包括六个侧面的铁磁箱体结构；在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口；以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线，内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面，其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101385112A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005339.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/05 , H01J37/141
CPC classification number: H01J37/05 , H01J37/141 , H01J37/1472 , H01J37/3171 , H01J2237/0042 , H01J2237/057 , H01J2237/141 , H01J2237/142 , H01J2237/1508 , H01J2237/152 , H01J2237/31701 , H01J2237/31705
Abstract: 本发明是揭示一种包括主动式场束缚的电磁铁及相关离子注入器系统。电磁铁提供在高的大间隙内的具有最小强度失真及劣化的偶极磁场。在一实施例中，用于修改离子束的电磁铁包括：包括六个侧面的铁磁箱体结构；在铁磁箱体结构的第一侧面及第二相对侧面中的每一侧面中的供离子束通过的开口；以及具有沿铁磁箱体结构的内表面的路径的多个载流导线，内表面包括第一侧面及第二相对侧面以及第三侧面及第四相对侧面，其中多个载流导线经定位以围绕第一侧面及第二相对侧面的开口中的每一侧面延伸。
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公开(公告)号：CN101322217A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045586.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 罗伯特·C·林德柏格 , 肯尼士·H·波什 , 泰勒·B·洛克威尔 , 詹姆士·史帝夫·贝福 , 安东尼·雷诺
IPC: H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
Abstract: 本发明揭示一种缎带状离子束的成形技术。在一特定例示性实施例中，可将该技术实现为用于缎带状离子束的成形装置。装置可包含具有实质上为矩形的用于使缎带状离子束穿过的孔径的静电透镜，其中多个聚焦元件沿孔径的短边缘而定位，且其中每一聚焦元件经各别地偏压且定向以成形缎带状离子束。
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公开(公告)号：CN109923246B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201780068754.2
申请日：2017-08-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 布莱恩·D·柯南 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 孙大伟 , 大卫·莫雷尔
Abstract: 一种形成结晶片的设备及方法。所述设备可包括：结晶器，包括第一气体通道及第二气体通道，其中所述第一气体通道及所述第二气体通道穿过所述结晶器延伸到上游边缘与下游边缘之间的所述结晶器的下表面。所述第一气体通道可比所述第二气体通道更靠近所述下游边缘设置。第一气体源可耦合到所述第一气体通道，其中所述第一气体源包含氦气或氢气，且第二气体源可耦合到所述第二气体通道，其中所述第二气体源不含有氢气或氦气。
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公开(公告)号：CN106133208B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 本发明提供一种用于控制熔体内的热流的装置及其处理方法。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。所述装置用以容纳或限制热流，所以表面的热流会受规范。
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公开(公告)号：CN106458687B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580024930.3
申请日：2015-05-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 菲德梨克·M·卡尔森 , 彼德·L·凯勒曼 , 大卫·莫雷尔 , 布莱恩·梅克英特许 , 南帝斯·德塞
IPC: C03B27/012 , C03B23/00
Abstract: 本发明涉及一种用于处理熔体的设备及方法与控制熔体内的热流的系统。所述用于处理熔体的设备可包含经配置以容纳所述熔体的坩埚，其中所述熔体具有与所述坩埚的底部分开第一距离的暴露表面。所述设备可进一步包含浸没式加热器，所述浸没式加热器包括加热元件以及安置于所述加热元件与所述熔体之间的壳体，其中所述加热元件不接触所述熔体。所述加热元件可安置在相对于所述熔体的所述暴露表面的第二距离处，所述第二距离小于所述第一距离。
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