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    기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기억 매체
    12.
    发明公开
    기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기억 매체 审中-实审
    基板处理方法，基板处理系统和存储介质

    公开(公告)号：KR1020150024794A

    公开(公告)日：2015-03-09

    申请号：KR1020140111577

    申请日：2014-08-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

    IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: B05B12/14 ,  B05B7/00 ,  B05B7/2497 ,  B05B13/0228 ,  B05B16/20 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6715

    Abstract: 드라이 에칭 후 또는 애싱 후에 기판 상에 잔존하는 반응 생성물을 기판에의 데미지를 억제하면서 제거하는 것이다. 실시예에 따른 기판 처리 방법은, 처리액 공급 공정과 제거액 공급 공정을 포함한다. 처리액 공급 공정은, 드라이 에칭 후 또는 애싱 후의 기판에 대하여, 휘발 성분을 포함하고 기판 상에 막을 형성하기 위한 처리액을 공급한다. 제거액 공급 공정은, 휘발 성분이 휘발함으로써 기판 상에서 고화 또는 경화된 처리액에 대하여 처리액을 제거하는 제거액을 공급한다.

    Abstract translation: 本发明是在干蚀刻或灰化之后除去留在基板上的反应产物，同时抑制对基板的损伤。 根据实施例的基板处理方法包括处理液供给处理和去除剂供给处理。 处理液供给处理装置含有挥发性成分的处理液，在干蚀刻或灰化之后，在基板上形成薄膜至基板。 去除剂供应过程在挥发性成分挥发时，将除去处理液的去除剂相对于在基材上老化或固化的处理液体去除。

    에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체
    13.
    发明公开
    에칭 방법, 에칭 장치 및 기억 매체 有权
    蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质

    公开(公告)号：KR1020120117682A

    公开(公告)日：2012-10-24

    申请号：KR1020120038571

    申请日：2012-04-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 와타나베츠카사 ,  에가시라케이스케 ,  가네코미야코 ,  오리이타케히코

    IPC: H01L21/306

    CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/6708

    Abstract: PURPOSE: An etching method, an etching apparatus, and a storage medium are provided to selectively etch a silicon nitride layer with etchants and protect the surface of a silicon oxide layer by a silylation layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer and a silicon oxide layer are exposed to the surface of a substrate. A protection layer composed of a silylation layer is formed on the surface of the silicon oxide layer on the substrate by supplying silylation agents to the substrate with the exposed silicon nitride layer and silicon oxide layer. The silylation layer is removed by supplying a first rinse solution to the substrate. The silicon nitride layer is selectively etched by supplying the etchants to the substrate. [Reference numerals] (AA) Supplying silylation agents; (BB) Supplying IPA; (CC) Supplying a first rinse solution; (DD) Supplying an etchant; (EE) Supplying a second rinse solution; (FF) Drying(IPA for drying); (GG) Removing a silylation film by UV radiation

    Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质以选择性地用蚀刻剂蚀刻氮化硅层并通过甲硅烷基层保护氧化硅层的表面。 构成：将氮化硅层和氧化硅层暴露于衬底的表面。 通过向暴露的氮化硅层和氧化硅层的基板供给硅烷化剂，在基板上的氧化硅层的表面上形成由甲硅烷基层构成的保护层。 通过向基底提供第一冲洗溶液来除去甲硅烷基化层。 通过向衬底提供蚀刻剂来选择性地蚀刻氮化硅层。 （AA）供应甲硅烷基化剂; （BB）供应IPA; （CC）提供第一个冲洗液; （DD）提供蚀刻剂; （EE）提供第二冲洗溶液; （FF）干燥（IPA干燥）; （GG）通过紫外线辐射除去甲硅烷基化膜

    기판 세정 시스템, 기판 세정 방법 및 기억 매체
    16.
    发明授权
    기판 세정 시스템, 기판 세정 방법 및 기억 매체 有权

    公开(公告)号：KR101932160B1

    公开(公告)日：2018-12-24

    申请号：KR1020130105428

    申请日：2013-09-03

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

    IPC: H01L21/302

    Abstract: 패턴 손상 또는 하지막의 침식을 억제하면서, 기판에 부착한 파티클을 제거하는 것이다. 실시예에 따른 기판 세정 시스템은 제 1 처리부와 제 2 처리부를 구비한다. 제 1 처리부는 기판을 보지하는 제 1 보지부와, 휘발 성분을 포함하고 기판의 주면 전면에 막을 형성하기 위한 처리액을 기판으로 공급하는 제 1 공급부를 포함한다. 제 2 처리부는 기판을 보지하는 제 2 보지부와, 제 1 공급부에 의해 기판으로 공급된 처리액으로부터 휘발 성분이 휘발함으로써 기판 상에서 고화 또는 경화하여 형성된 막의 전부를 제거하는 제거액을 기판으로 공급하는 제 2 공급부를 포함한다.

    기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템
    18.
    发明公开
    기판 세정 방법 및 기판 세정 시스템 审中-实审
    基板清洗方法和基板清洗系统

    公开(公告)号：KR1020140067893A

    公开(公告)日：2014-06-05

    申请号：KR1020130106582

    申请日：2013-09-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 가네코미야코 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루

    IPC: H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

    Abstract: An objective of an embodiment is to remove particles attached to a substrate while preventing damage to a pattern and erosion of a under layer. A substrate cleaning method according to the embodiment includes a first supply process, an opposite surface treating process, and a second supply process. The first supply process supplies a treatment solution including a volatile component onto a front surface of a substrate. The opposite surface treating process processes an opposite surface of the substrate in the state where the entire front surface of the substrate is covered with a film formed by volatilizing the volatile component of the treatment solution and solidifying or curing the treatment solution. The second supply process supplies a removal solution which removes the entire film to the substrate after the opposite surface treating process.

    Abstract translation: 一个实施方案的目的是去除附着到基底上的颗粒，同时防止图案的损伤和下层的侵蚀。 根据实施例的基板清洗方法包括第一供应处理，相对表面处理处理和第二供给处理。 第一供给工序将包含挥发成分的处理液供给到基板的前表面。 相反的表面处理工艺在基板的整个前表面被通过挥发处理溶液的挥发性组分而形成的膜覆盖的状态下处理基板的相对表面，并固化或固化处理溶液。 第二种供给方法提供一种去除溶液，其在相对表面处理过程之后将整个膜移除到基底上。

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