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公开(公告)号：KR101874526B1
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：KR1020130090350
申请日：2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 패턴손상또는하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한파티클을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정장치는, 제 1 액공급부와제 2 액공급부를구비한다. 제 1 액공급부는, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한처리액을기판으로공급한다. 제 2 액공급부는, 제 1 액공급부에의해기판으로공급되고, 휘발성분이휘발함으로써기판상에서고화또는경화한처리액에대하여처리액의전부를제거하는제거액을공급한다.
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公开(公告)号：KR1020150055591A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140157078
申请日：2014-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02041 , B08B7/0014 , C11D11/0047 , H01L21/02063 , H01L21/67051
Abstract: 하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한입자직경이작은불요물을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 표면이친수성인기판에대하여, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한성막처리액을공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다.
Abstract translation: 本发明是为了抑制底层的侵蚀，除去附着在基板上的小粒径的废弃物。 根据一个实施方式，基板清洗方法包括沉积处理液体供给处理和分层处理液体供给处理。 沉积处理液体供给工序将含有挥发成分的沉积处理液供给到具有亲水性表面的基板上，在基板上形成膜。 脱层处理液体供给工序，使作为处理膜的脱层处理液从基板向处理膜分离，使分层处理液在挥发性成分挥发时固化或固化在基板上。
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公开(公告)号：KR101822950B1
公开(公告)日：2018-01-29
申请号：KR1020130106582
申请日：2013-09-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/04 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/0209 , H01L21/67046 , H01L21/67051 , H01L21/67115 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: 패턴손상또는하지막의침식을억제하면서, 기판에부착한파티클을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 제 1 공급공정과타면처리공정과제 2 공급공정을포함한다. 제 1 공급공정에서는, 휘발성분을포함하고기판의주면전면에막을형성하기위한처리액을기판으로공급한다. 타면처리공정에서는, 처리액으로부터휘발성분이휘발함으로써고화또는경화하여형성된막으로기판의주면전면이덮인상태에서, 기판의타면을처리한다. 제 2 공급공정에서는, 타면처리공정후에, 막의전부를제거하는제거액을기판으로공급한다.
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公开(公告)号：KR1020150024795A
公开(公告)日：2015-03-09
申请号：KR1020140111578
申请日：2014-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76808 , H01L21/6715
Abstract: 생산성을 향상시키는 것이다. 실시예의 일태양에 따른 기판 처리 방법은, 처리 후에 분위기 관리 또는 시간 관리가 필요한 전처리가 행해진 기판에 대하여, 휘발 성분을 포함하고 기판 상에 막을 형성하기 위한 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정과, 상기 휘발 성분이 휘발함으로써 상기 처리액이 고화 또는 경화된 기판을 반송 용기에 수용하는 수용 공정을 포함한다.
Abstract translation: 本发明是为了提高生产率。 根据实施方式的基板处理方法包括：处理液供给工序，其供给含有挥发成分的处理液，在基板上形成膜，所述基板在进行了预处理的情况下进行，所述预处理需要气氛管理或处理后的时间管理; 以及当挥发性成分挥发时，容纳处理液老化或硬化的基板的容纳工序。
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公开(公告)号：KR1020140067892A
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020130105428
申请日：2013-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/68728 , H01L21/68792
Abstract: An objective of the present invention is to remove particles attached to a substrate while preventing damage to a pattern and erosion of an under layer. A substrate cleaning system according to an embodiment includes a first processor and a second processor. The first processor includes a first holder to hold a substrate, and a first supply part to supply, to a substrate, a treatment solution which includes a volatile component and forms a film on an entire portion of a front surface of the substrate. The second processor includes a second holder to hold the substrate and a second supply part to supply, to the substrate, a removal solution which removes the film formed on the substrate by volatilizing volatile components of the treatment solution supplied by the first supply part to be solidified or cured.
Abstract translation: 本发明的目的是除去附着在基板上的颗粒，同时防止图案的损伤和下层的侵蚀。 根据实施例的基板清洁系统包括第一处理器和第二处理器。 第一处理器包括用于保持基板的第一保持器和用于向基板提供包括挥发性成分并且在基板的前表面的整个部分上形成膜的处理溶液的第一供给部。 第二处理器包括用于保持基板的第二保持器和第二供应部件，以向基板提供去除溶液，该去除溶液通过使由第一供应部件供应的处理溶液的挥发性成分挥发而除去形成在基板上的膜， 凝固或固化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130110005A
公开(公告)日：2013-10-08
申请号：KR1020130013773
申请日：2013-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67742
Abstract: PURPOSE: A substrate processing system, a substrate processing method, and a storage medium suppress the absorption of moisture for a drying prevention liquid by supplying low-humidity gas with less moisture contents to a substrate when the substrate is transferred. CONSTITUTION: A liquid processing device processes a liquid by supplying a processing solution to a substrate (W). The liquid processing device supplies a drying prevention liquid to the surface of the substrate. A supercritical processing device (4) substitutes a high-pressure liquid for the liquid on the surface of the substrate and removes the liquid within a container (41) which receives the substrate. A substrate transfer device transfers the substrate from the liquid processing device to the supercritical processing device along a transfer path. A low-humidity gas supply unit (23) supplies low-humidity gas around the substrate transferred from the transfer path. [Reference numerals] (1) Washing processing system; (2) Wafer returning equipment; (3) Washing device; (4) Supercritical processing device; (5) Control unit
Abstract translation: 目的：基板处理系统，基板处理方法和存储介质通过在转印基板时向基板供给具有较少水分含量的低湿度气体来抑制对防干燥液体的吸湿。 构成：液体处理装置通过向基板（W）提供处理溶液来处理液体。 液体处理装置向基板的表面供给防干燥液。 超临界处理装置（4）将高压液体代替在基板表面上的液体，并将容纳基板的容器（41）内的液体除去。 基板转印装置沿着传送路径将基板从液体处理装置传送到超临界处理装置。 低湿度气体供给单元（23）在从传送路径传送的基板周围供给低湿气体。 （附图标记）（1）洗涤处理系统; （2）晶圆返回设备; （3）清洗装置; （4）超临界处理装置; （5）控制单元
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公开(公告)号：KR101971098B1
公开(公告)日：2019-04-22
申请号：KR1020180058989
申请日：2018-05-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/02
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公开(公告)号：KR101841789B1
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：KR1020130013773
申请日：2013-02-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 본발명은고압유체를이용하여, 기판의표면을덮는건조방지용액체가제거되는고압유체처리장치의용기내에의수분유입을저감시킬수 있는기판처리시스템등을제공하는것을과제로한다. 기판처리시스템(1)에있어서, 액처리장치(3)는표면에패턴이형성된기판(W)에처리액을공급함으로써액 처리를행하고, 이어서그 기판(W) 표면에건조방지용액체를공급한다. 고압유체처리장치(4)는기판(W)을수용하는용기(41) 내에서상기기판(W) 표면의액체를고압유체와치환하여제거한다. 기판반송기구(2)는표면이건조방지용액체로덮인기판(W)을, 액처리장치(3)로부터고압유체처리장치(4)로반송로를따라반송하고, 저습기체공급부(23)는건조방지용액체에대한수분의흡수를억제하기위해서, 반송로에서반송되는기판(W)의주위에저습기체를공급한다.
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公开(公告)号：KR1020150055590A
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：KR1020140157077
申请日：2014-11-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 기판의표면에영향을주지않고, 기판에부착한입자직경이작은불요물을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정과, 용해처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한성막처리액을기판에공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다. 용해처리액공급공정은, 박리처리액공급공정후, 처리막에대하여처리막을용해시키는용해처리액을공급한다.
Abstract translation: 本发明的目的是除去具有小粒径的不需要的材料，并且附着在基板上而不影响基板的表面。 根据本发明实施方案的基材清洗方法包括成膜溶液供应过程，剥离溶液供应过程和熔融溶液供应过程。 成膜溶液供给工序提供具有挥发性成分的成膜溶液，在基板上形成膜。 汽提溶液供应过程提供一种汽提溶液，用于去除在基材上形成的工艺膜，使其随着挥发成分蒸发而使成膜溶液凝固或固化。 熔解液供给工序在剥离溶液供给工序之后，提供熔融溶液，使其处理膜熔融。
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公开(公告)号：KR1020140019741A
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020130090350
申请日：2013-07-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/0206 , B08B3/08 , H01L21/02041 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/68728
Abstract: The present invention is to remove particles attached to a substrate while preventing the erosion of an underlayer or pattern damage. According to the embodiment, a substrate cleaning device comprises a first solution supply part and a second solution supply part. The first solution supply part supplies a process solution for forming a layer on the substrate and including a volatile component to the substrate. The second solution supply part supplies a removal solution for removing all process solution including a solidified or a harden process solution supplied by the first solution supply part from the substrate. [Reference numerals] (9) Decompression device
Abstract translation: 本发明是为了除去附着在基材上的颗粒，同时防止底层或图案损伤的侵蚀。 根据实施例，基板清洗装置包括第一溶液供给部和第二溶液供给部。 第一溶液供应部件提供用于在基板上形成层并且包含挥发性组分的工艺解决方案。 第二溶液供应部件提供去除溶液，用于从基材除去包括由第一溶液供应部分提供的固化或硬化工艺溶液的所有工艺溶液。 （附图标记）（9）减压装置
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