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公开(公告)号：KR101061946B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020070030913
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/048 , B08B3/12
Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 전면으로부터 높은 제거 효율로 파티클을 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 피처리 기판(W)은 세정조(12)에 저류(貯留)된 세정액 내에 침지된다. 다음으로, 상기 세정조(12) 내부의 세정액에 초음파가 발생되고, 피처리 기판(W)이 초음파 세정된다. 이 초음파를 발생시키는 공정은 세정조 내부에 세정액을 공급하면서 상기 세정조 내부에 초음파를 발생시키는 공정을 포함하고 있다. 상기 초음파를 발생시키는 공정 중의 타이밍에 있어서의 상기 세정조 내부에의 상기 세정액의 단위 시간당 공급량과, 상기 초음파를 발생시키는 공정 중의 별도의 타이밍에 있어서의 상기 세정조 내부에의 상기 세정액의 단위 시간당 공급량은 상이하다.
Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够从被处理基板的表面以高去除效率除去粒子的基板清洁方法。 基板W浸渍在清洗槽12内的清洗液中。 接着，在清洗槽12内的清洗液中产生超声波，对基板W进行超声波清洗。 产生超声波的步骤包括在向清洗槽内供应清洗液的同时在清洗槽内产生超声波的步骤。 其中在产生每清洗液体在清洗液中的内部的小时供应单元清洁罐内部的超声波清洗槽的步骤的定时，并产生超声波的步骤的一个单独的定时的单位时间量 是不同的。
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公开(公告)号：KR1020120117682A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020120038571
申请日：2012-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/3105 , H01L21/02164 , H01L21/02359 , H01L21/31111 , H01L21/6708
Abstract: PURPOSE: An etching method, an etching apparatus, and a storage medium are provided to selectively etch a silicon nitride layer with etchants and protect the surface of a silicon oxide layer by a silylation layer. CONSTITUTION: A silicon nitride layer and a silicon oxide layer are exposed to the surface of a substrate. A protection layer composed of a silylation layer is formed on the surface of the silicon oxide layer on the substrate by supplying silylation agents to the substrate with the exposed silicon nitride layer and silicon oxide layer. The silylation layer is removed by supplying a first rinse solution to the substrate. The silicon nitride layer is selectively etched by supplying the etchants to the substrate. [Reference numerals] (AA) Supplying silylation agents; (BB) Supplying IPA; (CC) Supplying a first rinse solution; (DD) Supplying an etchant; (EE) Supplying a second rinse solution; (FF) Drying(IPA for drying); (GG) Removing a silylation film by UV radiation
Abstract translation: 目的：提供蚀刻方法，蚀刻装置和存储介质以选择性地用蚀刻剂蚀刻氮化硅层并通过甲硅烷基层保护氧化硅层的表面。 构成：将氮化硅层和氧化硅层暴露于衬底的表面。 通过向暴露的氮化硅层和氧化硅层的基板供给硅烷化剂，在基板上的氧化硅层的表面上形成由甲硅烷基层构成的保护层。 通过向基底提供第一冲洗溶液来除去甲硅烷基化层。 通过向衬底提供蚀刻剂来选择性地蚀刻氮化硅层。 （AA）供应甲硅烷基化剂; （BB）供应IPA; （CC）提供第一个冲洗液; （DD）提供蚀刻剂; （EE）提供第二冲洗溶液; （FF）干燥（IPA干燥）; （GG）通过紫外线辐射除去甲硅烷基化膜
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公开(公告)号：KR1020110038000A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：KR1020110020020
申请日：2011-03-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/048 , B08B3/12
Abstract: PURPOSE: A method and device for cleaning a substrate, and a program recording medium are provided to remove particles from the surface of a substrate by generating an ultrasonic wave in the cleaning solutions and immersing the substrate in the cleaning solutions. CONSTITUTION: A cleaning bath(12) stores cleaning solutions and receives a substrate which is erected. An ultrasonic generator(30) generates an ultrasonic wave in the cleaning solutions of the cleaning bath. A cleaning solution supply device(40) supplies the cleaning solutions to the cleaning bath. The cleaning solution supply device supplies the cleaning solutions from the lower side of the cleaning bath and the cleaning solutions are discharged through the upper opening of the cleaning bath.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洗基板的方法和装置，以及程序记录介质，用于通过在清洁溶液中产生超声波并将基板浸入清洁溶液中以从基板表面去除颗粒。 构成：清洁浴（12）存储清洁溶液并接收竖立的基底。 超声波发生器（30）在清洗槽的清洗液中产生超声波。 清洁溶液供应装置（40）将清洁溶液供应到清洗浴。 清洗液供给装置从清洗槽的下侧供给清洗液，清洗液通过清洗槽的上部开口排出。
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公开(公告)号：KR1020070111973A
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：KR1020070039728
申请日：2007-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67051
Abstract: A substrate cleaning method, a substrate cleaning apparatus and a program storage medium are provided to remove particles adhering to a substrate to be cleaned by immersing the substrate in a cleaning liquid and generating ultrasonic waves in the cleaning liquid. A substrate is immersed in a cleaning liquid in a cleaning tank(12). Ultrasonic waves are applied to the cleaning liquid contained in the cleaning tank while the cleaning liquid is being supplied into the cleaning tank, wherein a region in the cleaning tank toward which the cleaning liquid is supplied is varied with respect to a vertical level in the step of applying ultrasonic waves in the cleaning liquid while the cleaning liquid is being supplied into the cleaning tank.
Abstract translation: 提供基板清洗方法，基板清洁装置和程序存储介质，以通过将基板浸入清洗液中并在清洗液中产生超声波来去除附着在待清洁基板上的颗粒。 将基板浸入清洗槽（12）中的清洗液中。 当清洁液被供给到清洗槽中时，将超声波施加到清洗槽中所含的清洗液体，其中，清洗槽中供应清洗液体的区域相对于步骤 当清洗液被供给到清洗槽中时，在清洗液中施加超声波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101523348B1
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020120038571
申请日：2012-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/3105 , H01L21/02164 , H01L21/02359 , H01L21/31111 , H01L21/6708
Abstract: 실리콘산화막에대한실리콘질화막의높은에칭선택비를달성하는기술을제공한다. 에칭방법은실리콘질화막및 실리콘산화막이표면에노출된기판으로, 실릴화제를공급하여실리콘산화막표면에실릴화막으로이루어지는보호막을형성하는공정을가지고있다. 이후, 상기기판으로에칭액을공급한다. 이에의해, 실리콘질화막만을선택적으로에칭한다.
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公开(公告)号：KR101062255B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020110020020
申请日：2011-03-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/048 , B08B3/12
Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 전면으로부터 높은 제거 효율로 파티클을 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 피처리 기판(W)은 세정조(12)에 저류(貯留)된 세정액 내에 기립되어 침지된다. 다음으로, 상기 세정조(12) 내부의 세정액에 세정조(12)의 아랫쪽으로부터 초음파가 발생되고, 피처리 기판(W)이 초음파 세정된다. 이 초음파를 발생시키는 공정에서는, 세정액의 단위 시간당 공급량이 단계적 또는 연속적으로 감소하도록 하여 세정조 내로 세정조 아래쪽으로부터 세정액을 공급하고, 세정조의 위쪽 개구로부터 세정액을 배출한다.
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公开(公告)号：KR101049842B1
公开(公告)日：2011-07-15
申请号：KR1020070039728
申请日：2007-04-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67051
Abstract: 피처리 기판으로부터 균일하게 파티클을 높은 제거 효율로 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 세정 방법은, 세정조(12) 내에 저류되는 세정액 내에 피처리 기판(W)을 침지하는 공정과, 상기 세정조 내의 세정액에 초음파를 발생시키는 공정을 구비하고 있다. 초음파를 발생시키는 공정의 적어도 한 기간, 세정조 내에 세정액이 공급된다. 상기 세정조 내에 세정액을 공급하면서 세정조 내의 세정액에 초음파를 발생시키고 있는 동안, 세정조 내에서의 세정액이 공급되는 수직 방향 위치는 변화한다.
세정액, 피처리 기판, 초음파, 세정조, 파티클Abstract translation: 并且提供一种能够以高去除效率从待处理的基板上均匀地去除颗粒的基板清洁方法。
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公开(公告)号：KR1020100094360A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020100011525
申请日：2010-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , B24C7/0046 , H01L21/02057 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning substrates, an apparatus for cleaning the substrates, and a computer-readable storage media are provided to clean the substrates by colliding cleaning particles in dry air or flowing inert gas to the substrates. CONSTITUTION: An external chamber(2) receives substrates. A cleaning nozzle-arm housing houses a cleaning nozzle-arm(31). A rinse liquid nozzle-arm housing houses a rinse liquid nozzle-arm(32) for supplying rinse liquid. A spin chuck(12) is loaded in an inner cup(11) for supporting substrates. An under plate(13) upwardly and downwardly moves in order to correspond to the substrates which are supported by the spin chuck.
Abstract translation: 目的：提供一种清洁基板的方法，用于清洁基板的装置和计算机可读存储介质，以通过将干燥空气中的清洁颗粒碰撞或将惰性气体流到基板来清洁基板。 构成：外部室（2）接收衬底。 清洁喷嘴臂壳体容纳清洁喷嘴臂（31）。 冲洗液体喷嘴臂壳体容纳用于供应冲洗液体的冲洗液体喷嘴臂（32）。 旋转卡盘（12）装载在用于支撑基底的内杯（11）中。 向下和向下移动底板（13）以对应于由旋转卡盘支撑的基板。
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公开(公告)号：KR1020070101768A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：KR1020070030913
申请日：2007-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B3/048 , B08B3/12
Abstract: A substrate cleaning method, a substrate cleaning apparatus and a program recording medium are provided to improve a particle removing efficiency on a substrate by using an ultrasonic wave generating process. A process object substrate is dipped into a cleaning solution, wherein the cleaning solution is stored in a cleaning bath(12). An ultrasonic wave is generated in the cleaning solution of the cleaning bath. The ultrasonic wave is applied to the cleaning solution of the cleaning bath, while the cleaning solution is supplied into the cleaning bath. The ultrasonic wave generating process is performed under various period conditions. An amount of supplying the cleaning solution in one period of the ultrasonic wave generating process is different from that in another period of the ultrasonic wave generating process.
Abstract translation: 提供基板清洗方法，基板清洁装置和程序记录介质，以通过使用超声波产生处理来提高基板上的颗粒去除效率。 将处理对象基板浸入清洁溶液中，其中清洁溶液存储在清洗浴（12）中。 在清洗槽的清洗液中产生超声波。 将超声波施加到清洗槽的清洗液中，同时将清洗液供给到清洗槽中。 在各种周期条件下进行超声波发生处理。 在超声波发生处理的一个周期内供给清洗液的量与超声波发生处理的其他期间不同。
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