公开(公告)号：KR1020120055461A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020110121608

申请日：2011-11-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  후지이야스시 ,  세키구치켄지

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/302 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/0274

Abstract: PURPOSE: A liquid treatment method, a recording medium which records a program for executing the same, and a liquid treatment apparatus are provided to eliminate a resist film without eliminating an under-layer by providing a process liquid in which sulfuric acid and acetic acid are mixed. CONSTITUTION: A substrate is retained by a substrate retention part(20). A mixing part mixes sulfuric acid and acetic acid with a predetermined ratio. A supply part(40) supplies the mixed sulfuric acid and acetic acid on the substrate. A resist film is eliminated from the substrate. The temperature of process liquid is 120°C or higher.

Abstract translation: 目的：提供液体处理方法，记录其执行程序的记录介质和液体处理装置，以通过提供其中硫酸和乙酸为 混合。 构成：衬底被衬底保持部分（20）保持。 混合部分以预定的比例混合硫酸和乙酸。 供给部件（40）将混合的硫酸和乙酸供给到基板上。 抗蚀剂膜从基材上除去。 加工液的温度为120℃以上。

公开(公告)号：KR101061921B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020070100321

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  세키구치켄지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051

Abstract: 기판 처리 장치는 챔버와, 챔버 내에 있는 피처리 기판에 대해 하이드로플루오르에테르를 포함하는 세정액을 공급하는 세정액 공급부를 구비하고 있다. 또한, 챔버 내에, 피처리 기판에 하이드로플루오르에테르를 포함하는 세정액이 공급되었을 때에 상기 피처리 기판에 수분이 취입되는 것을 억제하는 기체를 공급하는 기체 공급부가 더 설치되어 있다.

Abstract translation: 基板处理设备具有腔室和清洁液体供应部分，用于将包含氢氟醚的清洁液体供应到腔室中的待处理基板。 此外，在腔室内还设置有气体供给单元，该气体供给单元在向被处理基板供给含有氢氟醚的清洗液时，供给用于抑制向被处理基板导入水的气体。

公开(公告)号：KR1020080046085A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020070100321

申请日：2007-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오노히로키 ,  세키구치켄지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to remove particles on the substrate physically by spraying a micro droplet of hydrofluorether on the processed substrate. A substrate processing apparatus comprises a chamber(1) and a spin chuck(12). A cleaning liquid supply unit is installed to supply a cleaning liquid containing HFE(Hydrofluorether) into a wafer(W) which is supported by the spin chuck. A gas supply unit is installed to supply a gas into a chamber(10), wherein the gas restricts the moisture from penetrating into the wafer. A control unit(80) is installed to control the cleaning liquid supply unit and the gas supply unit. A temperature control unit is installed to restore the wafer temperature which is lowered by the cleaning liquid to the same temperature of the air under lower humidity more than the outside air of the chamber.

Abstract translation: 提供基板处理装置和基板处理方法，通过在加工的基板上喷射氢氟酸的微滴来物理地去除基板上的颗粒。 衬底处理设备包括腔室（1）和旋转卡盘（12）。 安装清洗液供给单元以将含有HFE（氢氟醚）的清洗液供给到由旋转卡盘支撑的晶片（W）中。 安装气体供应单元以将气体供应到室（10）中，其中气体限制水分渗入晶片。 安装控制单元（80）以控制清洁液供应单元和气体供应单元。 安装温度控制单元以将清洁液体降低的晶片温度恢复到比室内的外部空气更低的湿度下的空气的相同温度。

公开(公告)号：KR1020060008952A

公开(公告)日：2006-01-27

申请号：KR1020057020693

申请日：2005-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  세키구치켄지 ,  오리타케히코 ,  오노히로키 ,  타나카사토루 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: A board cleaning apparatus and a board processing method are provided. A brush (3) is brought into contact with a board W while the board W is being rotated, and a cleaning position Sb of the brush (3) is shifted relatively to the board W, directing to a circumference part from a center part of the board W. A process fluid composed of a liquid droplet and a gas is jetted from a two fluid nozzle (5) to the board W. A cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is shifted relatively to the board W, directing to the circumference part from the center part of the board W, and while the cleaning position Sb of the brush (3) is being shifted to the circumference part from the center part, the cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is arranged on a side closer to a center Po than the cleaning position Sb of the brush (3). Thus, contaminants are prevented from transferring from the brush to contaminate the wafer.

Abstract translation: 提供了一种板清洁装置和板处理方法。 在板W旋转的同时，电刷（3）与电路板W接触，并且电刷（3）的清洁位置Sb相对于电路板W移动，从电路板W的中心部分引导到周边部分 由液体液滴和气体组成的工艺流体从两个流体喷嘴（5）喷射到板W.两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn相对于板W移动， 从电路板W的中心部分引导到圆周部分，并且当刷子（3）的清洁位置Sb从中心部分移动到周边部分时，两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn， 布置在比刷子（3）的清洁位置Sb更靠近中心Po的一侧。 因此，防止污染物从刷子转移以污染晶片。

公开(公告)号：KR1020170133265A

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：KR1020170062920

申请日：2017-05-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키구치켄지 ,  칸노이타루 ,  아이바라메이토쿠 ,  타치바나코우조우

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

Abstract: 물에반응하여용해또는부식을일으키는재료로이루어지는기판의표면에영향을주지않고, 기판에부착된불요물을제거하는것이다. 실시형태에따른기판세정방법은성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정과, 용해처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 휘발성분을포함하며기판상에막을형성하기위한성막처리액을기판으로공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다. 용해처리액공급공정은, 박리처리액공급공정후, 처리막에대하여처리막을용해시키는용해처리액을공급한다. 여기서, 성막처리액은극성유기물을함유하고, 박리처리액은수분을포함하지않는비극성용매이며, 용해처리액은수분을포함하지않는극성용매이다.

Abstract translation: 为了除去附着在基材上的附着物而不影响由对水造成溶解或腐蚀的材料制成的基材表面。 根据本实施例的基板清洗方法包括：膜形成处理液供给工序中，剥离处理液供给工序，溶解处理液供给工序。 成膜处理液供给工序包括将挥发成分用的成膜处理液供给到基板上，并在基板上形成膜的工序。 剥离处理液体供应过程中，膜形成处理液凝固或通过挥发固化在衬底上，以挥发性组分，从抗制成的处理膜的基板供给处理液来剥离脱模处理的膜。 在提供解离处理溶液的步骤之后，溶解处理液体供应步骤将用于溶解处理膜的溶解处理溶液供应到处理膜。 在此，成膜处理液是含有极性有机物质的非极性溶剂和不含有水的剥离处理液，溶于处理液是不含水的极性溶剂。

公开(公告)号：KR100648165B1

公开(公告)日：2006-11-28

申请号：KR1020057020693

申请日：2005-04-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아마이마사루 ,  세키구치켄지 ,  오리타케히코 ,  오노히로키 ,  타나카사토루 ,  모리타쿠야

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B1/04 ,  H01L21/67046

Abstract: 기판 세정 장치 및 기판 처리 방법은 기판(W)을 회전시키면서 브러시(3)를 기판(W)에 접촉시키고, 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 이류체 노즐(5)로부터 액적과 가스로 이루어지는 처리 유체를 기판(W)에 분사시키고, 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키는 동안, 상기 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)보다 중심(P0) 측에 배치함으로써 브러시로부터 오염물이 전사되어 웨이퍼가 더러워지는 것을 방지할 수 있다.