公开(公告)号：KR100723078B1

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020077001030

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.

Abstract translation: 本发明中，通过使用原料气体和反应性气体，在处理装置用于执行膜形成过程中，如相对于所述目标对象（例如，半导体晶片）。 用于接收所述处理容器22中，每个选择原料气体的供给系统50和用于供给源气体和反应性气体流入所述处理容器内的反应性气体供给系统52内的目标对象（W）的装置 以及具有真空泵44和46的真空排气系统36，用于排空处理容器中的气氛。 该装置还包括一个源气体和反应性气体，任选地流动的原料气体旁路系统62和反应性气体旁路系统（66）连接到真空抽吸系统，以从各气体供给系统的绕过每一个处理容器的 和。 每个旁路系统（62,66）的每一个均处于关闭状态，从而防止材料用于防止气体的泄漏和反应气体到真空排气系统中的原料气体的出口阀（X1）和反应气体流出防止阀（Y1）被安装， 是的。

公开(公告)号：KR100980533B1

公开(公告)日：2010-09-06

申请号：KR1020080015698

申请日：2008-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타미츠마사 ,  다나카마사유키 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

Abstract: 처리 용기 내에 금속 불화물로 이루어지는 부생성물이 형성된 경우라 하더라도 HF 등의 유독한 가스를 거의 발생시키지 않고 처리 용기를 대기 개방할 수 있는 처리 용기의 대기 개방 방법을 제공하는 것.
그 속에서 소정의 처리를 행하여 금속 불화물이 부착된 처리 용기를 대기 개방하는 처리 용기의 대기 개방 방법으로서, 상기 처리 용기 내에 대기를 도입하고, 금속 불화물과 대기중의 수분을 반응시키기에 충분한 시간 유지하고나서 배기하는 제1 조작을 복수회 반복하고, 그 후, 상기 처리 용기 내에 대기를 도입하고 배기하여, 주로 상기 제1 조작에 의해 생성한 반응 생성물을 배출하는 제2 조작을 복수회 반복한다.

公开(公告)号：KR1020080078570A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：KR1020080015698

申请日：2008-02-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구보타미츠마사 ,  다나카마사유키 ,  고이즈미마사토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4407 ,  C23C16/4405 ,  H01J37/32862

Abstract: An atmosphere opening method of a processing chamber and a recording medium are provided to prevent the emission of poisonous gas such as HF in atmosphere opening of the processing chamber by causing fluoride to react with moisture completely. An atmosphere opening method of a processing chamber includes the steps of: introducing atmosphere in the processing chamber; waiting for some time for fluoride to react with moisture completely, and discharging HF; repeating the former step.

Abstract translation: 提供处理室和记录介质的气氛打开方法，以通过使氟化物完全与水分反应来防止处理室的大气开放中的HF等有毒气体的排放。 处理室的气氛打开方法包括以下步骤：在处理室中引入气氛; 等待一段时间，氟化物与水分完全反应，放出HF; 重复前一步。

公开(公告)号：KR100758049B1

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：KR1020067006261

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas processing apparatus 1 includes a processing container 2 for applying a processing to a wafer W while using a processing gas, a mount table 5 arranged in the processing container 2 to mount the wafer W, a shower head 22 arranged corresponding to the wafer W on the mount table 5 to discharge the processing gas into the processing container 2 and exhausting means 132 for exhausting the interior of the processing container 2. The shower head 22 has first gas discharging holes 46 arranged corresponding to the wafer W mounted on the mount table 5 and second gas discharging holes 47 arranged around the first gas discharging holes 46 independently to discharge the processing gas to the peripheral part of the wafer W. Thus, with a uniform gas supply to a substrate, it is possible to perform a uniform gas processing.

Abstract translation: 气体处理装置1具备：使用处理气体对晶圆W进行处理的处理容器2;配置在处理容器2内并载置晶圆W的载置台5;与晶圆W对应配置的喷头22 将处理气体向处理容器2内排出的处理气体排出装置132和对处理容器2内进行排气的排气装置132.喷头22具有与载置于载置台上的晶片W对应配置的第一气体排出孔46 以及独立地布置在第一气体排放孔46周围的第二气体排放孔47，以将处理气体排放到晶片W的周边部分。因此，通过均匀地向基板供应气体，可以执行均匀的气体处理 。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100723079B1

公开(公告)日：2007-05-29

申请号：KR1020057021540

申请日：2004-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카마사유키 ,  가이고우조 ,  무라카미세이시 ,  미야시타데츠야

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4412 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562

Abstract: 본 발명은, 원료 가스와 반응성 가스를 이용하여, 피 처리체(예를 들면 반도체 웨이퍼)에 대하여 성막 처리 등을 실행하기 위한 처리 장치에 관한 것이다. 이 장치는, 내부에 피 처리체(W)를 수용하는 처리 용기(22), 처리 용기내로 원료 가스 및 반응성 가스를 각각 선택적으로 공급하는 원료 가스 공급계(50) 및 반응성 가스 공급계(52), 그리고 처리 용기내의 분위기를 진공 배기하기 위한, 진공 펌프(44,46)를 갖는 진공 배기계(36)를 구비한다. 이 장치는 또한, 원료 가스 및 반응성 가스를, 각각의 가스 공급계로부터 각각의 처리 용기를 우회하여 진공 배기계에 선택적으로 유동시키는 원료 가스 바이패스계(62) 및 반응성 가스 바이패스계(66)를 구비한다. 각각의 바이패스계(62,66)에는, 각각 닫힌 상태에서, 진공 배기계로의 원료 가스 및 반응성 가스의 유출을 방지하는 원료 가스 유출 방지 밸브(X1) 및 반응성 가스 유출 방지 밸브(Y1)가 설치된다.

公开(公告)号：KR1020070026877A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020077002763

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas treating device (1) comprises a treating vessel (2) for applying a treatment to a wafer (W) by using a treating gas, a mounting block (5) disposed in the treating vessel (2) and adapted to have the wafer (W) mounted thereon, a shower head (22) disposed in opposed relation to the wafer (W) on the mounting block (5) and adapted to deliver a treating gas to the treating vessel (2), and an exhaust means (132) for exhausting the treating vessel (2), the shower head (22) having first gas delivery holes(46) opposed to the wafer (W) mounted on the mounting block (5), and second gas delivery holes (47) formed around the first gas delivery holes (46) separately from the first gas delivery holes (46) and adapted to deliver the treating gas around the wafer (W) on the mounting block (5). And, the gas can be uniformly fed to a base plate to apply a uniform gas treatment. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 气体处理装置（1）包括处理容器（2），用于通过使用处理气体对晶片（W）进行处理，设置在处理容器（2）中的安装块（5）并且适于具有晶片 （W），安装在所述安装块（5）上与所述晶片（W）相对的并适于将处理气体输送到所述处理容器（2）的淋浴头（22）和排气装置（132） ），用于排出处理容器（2）的喷淋头（22），具有与安装在安装块（5）上的晶片（W）相对的第一气体输送孔（46）的喷淋头（22）和形成在第一气体输送孔 所述第一气体输送孔（46）与所述第一气体输送孔（46）分开并且适于将处理气体输送到所述安装块（5）上的所述晶片（W）周围。 并且，可以将气体均匀地供给到基板以进行均匀的气体处理。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020030068566A

公开(公告)日：2003-08-21

申请号：KR1020037008686

申请日：2001-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카스미 ,  다나카마사유키 ,  한다다츠야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/481 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68721

Abstract: 처리 용기와, 웨이퍼(W)가 탑재되는 탑재대와, 웨이퍼(W)의 표면측에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 수단과, 웨이퍼(W)를 유지하는 링형의 기판 유지 부재와, 웨이퍼(W)의 이면측에 형성되는 공간에 퍼지 가스를 공급하는 퍼지 가스 공급 수단과, 상기 공간내의 퍼지 가스를 웨이퍼(W)와 상기 기판 유지 부재와의 사이로부터 그 상방으로 유도하는 퍼지 가스 유로와, 상기 공간의 압력이 상기 처리 용기내에서의 상기 공간의 외측 공간의 압력보다 소정치 이상 높아졌을 경우에 상기 퍼지 가스를 방출하는 가스 방출 기구(30)를 설치한다. 또한, 서셉터에 내장하는 온도 센서 등의 이종 부재와 동일하거나 또는 그 이하의 열선 투과율을 갖는 재료로 서셉터를 구성하였다.