公开(公告)号：KR1020040106381A

公开(公告)日：2004-12-17

申请号：KR1020047017091

申请日：2003-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  다나카스미 ,  사이토데츠야 ,  야마모토노리히코 ,  야나기타니겐이치

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 장치내로 공급하는 것이 가능한 처리 시스템을 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 장치(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 시스템(24)을 갖는 처리 시스템에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 시스템은 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100758049B1

公开(公告)日：2007-09-11

申请号：KR1020067006261

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas processing apparatus 1 includes a processing container 2 for applying a processing to a wafer W while using a processing gas, a mount table 5 arranged in the processing container 2 to mount the wafer W, a shower head 22 arranged corresponding to the wafer W on the mount table 5 to discharge the processing gas into the processing container 2 and exhausting means 132 for exhausting the interior of the processing container 2. The shower head 22 has first gas discharging holes 46 arranged corresponding to the wafer W mounted on the mount table 5 and second gas discharging holes 47 arranged around the first gas discharging holes 46 independently to discharge the processing gas to the peripheral part of the wafer W. Thus, with a uniform gas supply to a substrate, it is possible to perform a uniform gas processing.

Abstract translation: 气体处理装置1具备：使用处理气体对晶圆W进行处理的处理容器2;配置在处理容器2内并载置晶圆W的载置台5;与晶圆W对应配置的喷头22 将处理气体向处理容器2内排出的处理气体排出装置132和对处理容器2内进行排气的排气装置132.喷头22具有与载置于载置台上的晶片W对应配置的第一气体排出孔46 以及独立地布置在第一气体排放孔46周围的第二气体排放孔47，以将处理气体排放到晶片W的周边部分。因此，通过均匀地向基板供应气体，可以执行均匀的气体处理 。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020070026877A

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020077002763

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas treating device (1) comprises a treating vessel (2) for applying a treatment to a wafer (W) by using a treating gas, a mounting block (5) disposed in the treating vessel (2) and adapted to have the wafer (W) mounted thereon, a shower head (22) disposed in opposed relation to the wafer (W) on the mounting block (5) and adapted to deliver a treating gas to the treating vessel (2), and an exhaust means (132) for exhausting the treating vessel (2), the shower head (22) having first gas delivery holes(46) opposed to the wafer (W) mounted on the mounting block (5), and second gas delivery holes (47) formed around the first gas delivery holes (46) separately from the first gas delivery holes (46) and adapted to deliver the treating gas around the wafer (W) on the mounting block (5). And, the gas can be uniformly fed to a base plate to apply a uniform gas treatment. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 气体处理装置（1）包括处理容器（2），用于通过使用处理气体对晶片（W）进行处理，设置在处理容器（2）中的安装块（5）并且适于具有晶片 （W），安装在所述安装块（5）上与所述晶片（W）相对的并适于将处理气体输送到所述处理容器（2）的淋浴头（22）和排气装置（132） ），用于排出处理容器（2）的喷淋头（22），具有与安装在安装块（5）上的晶片（W）相对的第一气体输送孔（46）的喷淋头（22）和形成在第一气体输送孔 所述第一气体输送孔（46）与所述第一气体输送孔（46）分开并且适于将处理气体输送到所述安装块（5）上的所述晶片（W）周围。 并且，可以将气体均匀地供给到基板以进行均匀的气体处理。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR100710929B1

公开(公告)日：2007-04-23

申请号：KR1020057000404

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  야마모토노리히코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 본 발명의 성막장치(100)는 소스 가스를 생성하기 위한 원료를 넣는 원료 용기(10)와, 반도체 기판(101)에 성막 처리를 실행하기 위한 처리 용기(120)와, 원료 용기(10)로부터 처리 용기(120)에 상기 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급라인(30)과, 터보분자 펌프(14) 및 드라이 펌프(16)로 이루어지는 진공 펌프 시스템을 가진, 처리 용기(120)를 배기하기 위한 배기라인(32)과, 원료 공급라인(30)으로부터 분기하여 처리 용기(120) 및 터보분자 펌프(14)를 바이패스하여 배기라인(32)에 합류하는 프리 플로우 라인(33)을 구비하고, 원료 공급라인(30)은 6.4mm보다 큰 내경의 배관을 포함하고, 프리 플로우 라인(33)에 터보분자 펌프(15)가 마련된 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060032668A

公开(公告)日：2006-04-17

申请号：KR1020067006261

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas treating device (1) comprises a treating vessel (2) for applying a treatment to a wafer (W) by using a treating gas, a mounting block (5) disposed in the treating vessel (2) and adapted to have the wafer (W) mounted thereon, a shower head (22) disposed in opposed relation to the wafer (W) on the mounting block (5) and adapted to deliver a treating gas to the treating vessel (2), and an exhaust means (132) for exhausting the treating vessel (2), the shower head (22) having first gas delivery holes(46) opposed to the wafer (W) mounted on the mounting block (5), and second gas delivery holes (47) formed around the first gas delivery holes (46) separately from the first gas delivery holes (46) and adapted to deliver the treating gas around the wafer (W) on the mounting block (5). And, the gas can be uniformly fed to a base plate to apply a uniform gas treatment.

Abstract translation: 气体处理装置（1）包括处理容器（2），用于通过使用处理气体对晶片（W）进行处理，设置在处理容器（2）中的安装块（5）并且适于具有晶片 （W），安装在所述安装块（5）上与所述晶片（W）相对的并适于将处理气体输送到所述处理容器（2）的淋浴头（22）和排气装置（132） ），用于排出处理容器（2）的喷淋头（22），具有与安装在安装块（5）上的晶片（W）相对的第一气体输送孔（46）的喷淋头（22）和形成在第一气体输送孔 所述第一气体输送孔（46）与所述第一气体输送孔（46）分开并且适于将处理气体输送到所述安装块（5）上的所述晶片（W）周围。 并且，可以将气体均匀地供给到基板以进行均匀的气体处理。

公开(公告)号：KR1020040017845A

公开(公告)日：2004-02-27

申请号：KR1020047001496

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 처리 가스를 사용하여 웨이퍼(W)에 처리를 실시하는 처리 용기(2)와, 상기 처리 용기(2)내에 배치되어, 웨이퍼(W)가 재치되는 재치대(5)와, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)에 대응하여 설치되어, 상기 처리 용기(2)내로 처리 가스를 토출하는 샤워 헤드(shower head)(22)와, 상기 처리 용기(2)내를 배기하는 배기 수단(132)을 구비하고, 상기 샤워 헤드(22)는, 상기 재치대(5)에 재치된 웨이퍼(W)에 대응하여 설치된 제 1 가스 토출 구멍(46)과, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)과는 별개로, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)의 주위에 설치되어, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)의 주변부에 처리 가스를 토출하는 제 2 가스 토출 구멍(47)을 갖는다. 그리고, 기판에 대하여 가스를 균일하게 공급하여 균일한 가스 처리를 실시할 수 있다.

公开(公告)号：KR100754537B1

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：KR1020047001496

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: 가스 처리 장치(1)는 처리 가스를 사용하여 웨이퍼(W)에 처리를 실시하는 처리 용기(2)와, 상기 처리 용기(2)내에 배치되어, 웨이퍼(W)가 재치되는 재치대(5)와, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)에 대응하여 설치되어, 상기 처리 용기(2)내로 처리 가스를 토출하는 샤워 헤드(shower head)(22)와, 상기 처리 용기(2)내를 배기하는 배기 수단(132)을 구비하고, 상기 샤워 헤드(22)는, 상기 재치대(5)에 재치된 웨이퍼(W)에 대응하여 설치된 제 1 가스 토출 구멍(46)과, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)과는 별개로, 상기 제 1 가스 토출 구멍(46)의 주위에 설치되어, 상기 재치대(5)상의 웨이퍼(W)의 주변부에 처리 가스를 토출하는 제 2 가스 토출 구멍(47)을 갖는다. 그리고, 기판에 대하여 가스를 균일하게 공급하여 균일한 가스 처리를 실시할 수 있다.

Abstract translation: 气体处理装置1具备：使用处理气体对晶圆W进行处理的处理容器2;配置在处理容器2内并载置晶圆W的载置台5;与晶圆W对应配置的喷头22 将处理气体向处理容器2内排出的处理气体排出装置132和对处理容器2内进行排气的排气装置132.喷头22具有与载置于载置台上的晶片W对应配置的第一气体排出孔46 以及独立地布置在第一气体排放孔46周围的第二气体排放孔47，以将处理气体排放到晶片W的周边部分。因此，通过均匀地向基板供应气体，可以执行均匀的气体处理 。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100741180B1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：KR1020077002763

申请日：2002-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  야마모토노리히코 ,  다나카마사유키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/14 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45521 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877

Abstract: A gas processing apparatus 1 includes a processing container 2 for applying a processing to a wafer W while using a processing gas, a mount table 5 arranged in the processing container 2 to mount the wafer W, a shower head 22 arranged corresponding to the wafer W on the mount table 5 to discharge the processing gas into the processing container 2 and exhausting means 132 for exhausting the interior of the processing container 2. The shower head 22 has first gas discharging holes 46 arranged corresponding to the wafer W mounted on the mount table 5 and second gas discharging holes 47 arranged around the first gas discharging holes 46 independently to discharge the processing gas to the peripheral part of the wafer W. Thus, with a uniform gas supply to a substrate, it is possible to perform a uniform gas processing.

公开(公告)号：KR100697895B1

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020047017091

申请日：2003-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  다나카스미 ,  사이토데츠야 ,  야마모토노리히코 ,  야나기타니겐이치

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/67017 ,  C23C16/4481 ,  Y10T137/0324

Abstract: 재료 저류조내에서 발생시킨 원료 가스를 거의 압력 손실을 발생시키지 않고, 처리 기구내로 공급하는 것이 가능한 처리 장치를 제공한다. 피처리체(W)에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위해서 처리 용기(26)내에 증기압이 낮은 금속 화합물 재료(M)로 이루어지는 소정의 원료 가스를 분사하는 가스 분사 수단(42)을 설치한 처리 기구(22)와, 상기 가스 분사 수단에 상기 소정의 연료 가스를 공급하는 가스 공급 장치(24)를 갖는 처리 장치에 있어서, 상기 가스 분사 수단은 샤워 헤드부이고, 상기 가스 공급 장치는 상기 샤워 헤드부로부터 상방으로 연장되는 가스 통로(56)와, 상기 가스 통로의 상단부에 장착되어서 상부로 상기 금속 화합물 재료를 수용하는 재료 저류조(58)와, 상기 가스 통로를 개폐하는 개폐 밸브(60)를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020050021450A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020057000404

申请日：2003-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마사키히데아키 ,  가와노유미코 ,  야마모토노리히코

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 본 발명의 성막장치(100)는 소스 가스를 생성하기 위한 원료를 넣는 원료 용기(10)와, 반도체 기판(101)에 성막 처리를 실행하기 위한 성막실(120)과, 원료 용기(10)로부터 성막실(120)에 상기 소스 가스를 공급하기 위한 원료 공급로(30)와, 터보분자 펌프(14) 및 드라이 펌프(16)로 이루어지는 진공 펌프 시스템을 가진, 성막실(120)을 배기하기 위한 배기 유로(32)와, 원료 공급로(30)로부터 분기하여 성막실(120) 및 터보분자 펌프(14)를 바이패스하여 배기 유로(32)에 합류하는 프리 플로우 유로(33)를 구비하고, 원료 공급로(30)는 6.4mm보다 큰 내경의 배관을 포함하고, 프리 플로우 유로(33)에 터보분자 펌프(15)가 마련된 것을 특징으로 한다.