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公开(公告)号：KR1020120042867A
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020127002277
申请日：2008-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/32522 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778
Abstract: 본 발명은 피처리 기판을 수용하는 기판 수용 용기가 세트되는 반출입구를 거쳐서, 상기 기판 수납 용기와의 사이에서 상기 피처리 기판의 수수를 실행하는 반송실과, 상기 피처리 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 처리실과, 상기 처리실과 상기 반송실을 접속하는 로드록실과, 상기 반송실과 상기 로드록실 중의 적어도 하나의 실내에 상기 피처리 기판을 반입할 때에,반입하기 직전의 해당 피처리 기판의 온도가 반입하고자 하는 실의 실내온도보다도 높아지도록, 상기 피처리 기판의 온도와 그 실의 실내온도 중의 적어도 한쪽을 조정하는 온도 조정 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치이다.
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公开(公告)号：KR101124035B1
公开(公告)日：2012-03-23
申请号：KR1020107007302
申请日：2009-04-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/02041
Abstract: 본 발명은, 피처리체가 위치하는 분위기에 다운플로를 형성하는 수단과, 피처리체보다 위쪽 위치로서, 위에서 본 레이아웃에서 상기 피처리체를 사이에 두고 대칭으로 배치되고, 각각 상기 다운플로에 대하여 양이온 또는 음이온 중 어느 하나의 이온을 횡방향으로 공급하는 복수의 이오나이저와, 이들 복수의 이오나이저의 전극에 인가되어 있는 전압과 같은 부호의 직류 전압을 상기 피처리체에 인가하는 수단을 포함하며, 상기 대칭으로 배치된 이오나이저는, 서로 마주 보도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 분위기 청정화 장치이다.
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公开(公告)号：KR101062514B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080132188
申请日：2008-12-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/0337 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: A pattern forming method includes (a) forming pairs of deposits on sidewalls of mask portions in first mask patterns by forming a thin film thereon, etching it to leave deposits, and exposing a top surface of a second-layer film between the deposits; (b) forming second mask patterns formed of mask portions corresponding to the deposits by removing the mask portion, plasma etching the second-layer film, and removing the deposits; (c) forming a thin film thereon, and etching it to leave deposits on sidewalls of mask portions facing each other and to expose a third-layer film between the deposits while leaving deposits between adjacent mask portions; and (d) forming grooves thereon by removing the second mask portion, and etching off the third-layer film.
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公开(公告)号：KR101133819B1
公开(公告)日：2012-04-06
申请号：KR1020117002544
申请日：2009-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.
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公开(公告)号：KR101078910B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020087024431
申请日：2007-04-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: 기체중의파티클을제거하는기체청정장치로서, 제 1 필터층과제 2 필터층을갖고, 상기제 1 필터층을구성하는섬유의직경이상기제 2 필터층을구성하는섬유의직경보다굵은것을특징으로하는기체청정장치. 또한, 상기의기체청정장치를이용한반도체제조장치.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110028532A
公开(公告)日：2011-03-18
申请号：KR1020117002544
申请日：2009-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02063 , H01L21/02057 , H01L21/67051
Abstract: 세정액에 의해 표면에 패턴이 형성된 기판을 세정하는 세정 방법으로서, 세정액을 제거 혹은 건조시킬 때에, 패턴의 볼록부의 쓰러짐을 억제하면서 해당 기판을 세정할 수 있는 세정액 방법을 제공한다. 세정 방법은 처리용기 내의 탑재대에 기판을 탑재하는 공정과, 기판을 가열하는 공정과, 상기 기판의 표면에 세정액을 공급하는 공정을 포함한다. 세정액을 공급하는 공정에 있어서, 라이덴 프로스트 현상이 일어나, 기판에 공급되는 세정액의 액체방울과 기판 사이에 상기 세정액의 증기가 개재하도록 기판을 가열하는 공정에 있어서 기판이 가열된다.
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公开(公告)号：KR100979615B1
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：KR1020087009129
申请日：2007-07-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 다무라아키타케
IPC: H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67778 , H01L21/67766
Abstract: 웨이퍼 유지 보트에 있어서의 임의의 유지판과의 사이에서 기판의 주고받음을 가능하게 하면서, 유지판의 피치를 종래 이상으로 좁게 한다. 기판 이송 장치(300)는, 선회 및 승강 가능하게 구성된 기대(310)와, 기대에 진퇴 가능하게 마련되고, 웨이퍼를 탑재하여 반송하기 위한 반송 포크부(322)를 갖는 제 1 아암(320)과, 기대에 진퇴 가능하게 마련되고, 기도 가능한 기판 들어올림 기구(340)를 마련한 들어올림 포크부(332)를 갖는 제 2 아암(330)을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020090107521A
公开(公告)日：2009-10-13
申请号：KR1020097016200
申请日：2008-01-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01J37/34 , H01J37/32522 , H01J37/3476 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/67248 , H01L21/67766 , H01L21/67772 , H01L21/67778
Abstract: Any particle adhesion onto the surface of treatment subject substrate is prevented. There is provided a substrate treating apparatus characterized by including a delivery chamber for, via a carry-in-and-out port to which a substrate accommodating container for accommodation of treatment subject substrate is set, performing transfer of the treatment subject substrate between the same and the substrate accommodating container; a treating chamber for applying a given treatment to the treatment subject substrate; a load lock chamber for linking the treating chamber with the delivery chamber; and temperature regulating means for, at the stage ofcarrying of the treatment subject substrate into at least one of the delivery chamber and load lock chamber, so as for the temperature of the treatment subject substrate right before the carrying in thereof to be higher than the temperature of the interior of the chamber into which the treatment subject substrate is carried, regulating at least one of the temperature of the treatment subject substrate and the temperature of the interior of the chamber.
Abstract translation: 防止在处理对象基板的表面上的任何颗粒附着。 提供了一种基板处理装置，其特征在于包括：输送室，用于经由进出口，设置用于容纳处理对象基板的基板容纳容器，执行处理对象基板在其之间的转移 和基板容纳容器; 处理室，用于对处理对象衬底施加给定的处理; 负载锁定室，用于将处理室与输送室连接; 以及温度调节装置，用于在将处理对象衬底运送到输送室和装载锁定室中的至少一个中的步骤中，以使得处理对象衬底在其运送之前的温度高于温度 处理对象衬底被承载到其中的室内部，调节处理对象衬底的温度和室内部的温度中的至少一个。
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公开(公告)号：KR100915722B1
公开(公告)日：2009-09-04
申请号：KR1020077015352
申请日：2006-06-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4404 , C23C16/403 , C23C16/405 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/45561 , Y10T428/265
Abstract: 반도체 처리 장치에 사용되는 구성 부재(10)는, 구성 부재의 형상을 규정하는 기재(10a)와, 기재의 소정의 표면을 피복하는 보호막(10c)을 구비한다. 보호막(10c)은 알루미늄, 실리콘, 하프늄, 지르코늄, 이트륨으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 제 1 원소의 산화물의 아몰퍼스로 이루어진다. 보호막은 1% 미만의 기공률을 갖고, 또한 1㎚ 내지 10㎛의 두께를 갖는다.
Abstract translation: 用于半导体处理装置的部件（10）包括限定部件形状的矩阵（10a）和覆盖矩阵的预定表面的保护膜（10c）。 保护膜（10c）基本上由选自铝，硅，铪，锆和钇的第一元素的无定形氧化物组成。 保护膜（10c）的孔隙率小于1％，厚度为1nm〜10μm。
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公开(公告)号：KR1020080106333A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：KR1020087024431
申请日：2007-04-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B01D46/521 , B01D46/0023
Abstract: A gas purifying apparatus for removing particles from a gas is characterized in that the apparatus is provided with a first filter layer and a second filter layer, and the diameter of a fiber constituting the first filter layer is larger than that of a fiber constituting the second filter layer. A semiconductor manufacturing apparatus using such gas purifying apparatus is also provided. ® KIPO & WIPO 2009
Abstract translation: 用于从气体中除去颗粒的气体净化装置的特征在于，该装置设置有第一过滤层和第二过滤层，构成第一过滤层的纤维的直径大于构成第二过滤层的纤维的直径 过滤层。 还提供了使用这种气体净化装置的半导体制造装置。 ®KIPO＆WIPO 2009
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