公开(公告)号：KR1020110127285A

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：KR1020117025754

申请日：2010-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠자키가즈요시 ,  나가세키스미에

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67389

Abstract: 종래의 온도 조정 방법에 비해, 반도체 웨이퍼의 균일한 온도 조정 및 고응답성을 실현할 수 있는 반도체 제조 장치 및 온도 조정 방법을 제공한다. 내부에 공동(21)을 갖는 웨이퍼 탑재대(2)와, 웨이퍼 탑재대(2)의 온도를 프로세스 온도로 조정하기 위해, 프로세스 온도 이하의 물을 공동(21)의 내벽에 분사하는 노즐(64a)을 구비하는 반도체 제조 장치로서, 공동(21)내의 압력을 검출하는 압력 센서(71)와, 압력 센서(71)에서 검출된 압력이, 노즐(64a)로부터 분사되는 물의 온도에 대한 포화 증기압 이상, 프로세스 온도에 대한 포화 증기압 이하가 되도록 공동(21)내의 기체를 배출하는 진공 펌프를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020090091332A

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：KR1020097014829

申请日：2007-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사와다이쿠오 ,  벤체크피타 ,  오시타다츠로 ,  마츠자키가즈요시 ,  강송윤

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32568 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541

Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus wherein good temperature controllability is obtained in the side wall of the processing vessel and damage to the substrate by plasma is suppressed. Specifically disclosed is a plasma processing apparatus (1) comprising a first electrode (31) and a second electrode (32) so arranged in the upper portion of a processing vessel (11) as to face a stage (2), a gas supplying unit (4) for supplying a process gas between the first electrode (31) and the second electrode (32), a high-frequency power supply unit (33) for applying a high-frequency power between the first electrode (31) and the second electrode (32) for changing the process gas supplied between the electrodes (31, 32) into a plasma, and an evacuation system (14) for vacuum evacuating the atmosphere within the processing vessel (11) from the lower portion of the processing vessel (11). Since the electron temperature in the plasma is low near a substrate B on the stage (2), damage to the substrate B caused by the plasma can be suppressed. In addition, since a metal can be used as a material for the processing vessel (11), the processing vessel (11) can have good temperature controllability. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置，其在处理容器的侧壁中获得良好的温度可控性，并且抑制了通过等离子体对基板的损坏。 具体公开了一种等离子体处理装置（1），其包括第一电极（31）和第二电极（32），所述第一电极（31）和第二电极（32）被布置在处理容器（11）的上部以面向台（2），气体供应单元 （4），用于在第一电极（31）和第二电极（32）之间提供处理气体;高频电源单元（33），用于在第一电极（31）和第二电极 电极（32），用于将在电极（31,32）之间供给的工艺气体改变为等离子体;以及抽真空系统（14），用于从处理容器的下部真空排空处理容器（11）内的气氛 11）。 由于在载物台（2）上的基板B附近的等离子体中的电子温度低，所以能够抑制由等离子体引起的对基板B的损伤。 此外，由于金属可以用作处理容器（11）的材料，处理容器（11）可以具有良好的温度可控性。 ®KIPO＆WIPO 2009