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公开(公告)号:KR1020160150035A
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:KR1020160075233
申请日:2016-06-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/02057 , H01L21/324 , H01L21/0257 , H01L21/02052 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02315 , H01L21/265
Abstract: 기판의도핑을제어하는방법이개시되며, 이방법은, 도핑시스템의처리실에기판을제공하는단계와, 돌연성깊이제어기술을이용하여기판의표면에목표선량을부여하도록도핑공정을수행하는단계와, 도핑목적에부합시키기위해플라즈마도핑의선택된동작변수를제어하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种控制衬底掺杂的方法,所述方法包括:将衬底提供在掺杂系统的处理室中; 执行掺杂过程以使用突变深度控制技术在基板的表面上施加目标剂量; 并控制等离子体掺杂的所选操作变量以满足掺杂目的。
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公开(公告)号:KR1020150129022A
公开(公告)日:2015-11-18
申请号:KR1020157029440
申请日:2014-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32256
Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.
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公开(公告)号:KR1020140113464A
公开(公告)日:2014-09-24
申请号:KR1020140029756
申请日:2014-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32256
Abstract: Provided is a plasma tuning rod which can be used with a microwave processing system. A wave guide includes a first dielectric part having a first external diameter. A second dielectric part having a second external diameter which is larger than the first external diameter surrounds the first dielectric part. The axis of the second dielectric part can be equal to the axis of the first dielectric part. In some embodiments of the present invention, the dielectric constant of the first dielectric part can be the same as or greater than the dielectric constant of the second dielectric part.
Abstract translation: 提供了可以与微波处理系统一起使用的等离子体调音杆。 波导包括具有第一外径的第一介电部分。 具有大于第一外径的第二外径的第二电介质部分包围第一电介质部分。 第二电介质部分的轴线可以等于第一电介质部分的轴线。 在本发明的一些实施例中,第一电介质部分的介电常数可以与第二电介质部分的介电常数相同或更大。
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