마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드
    12.
    发明公开
    마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드 有权
    微波谐振器等离子体等离子体调谐器

    公开(公告)号:KR1020150129022A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:KR1020157029440

    申请日:2014-02-10

    CPC classification number: H01J37/32247 H01J37/32256

    Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.

    플라즈마 처리에 플라즈마 튜닝 봉을 이용하는 방법 및 시스템
    13.
    发明公开
    플라즈마 처리에 플라즈마 튜닝 봉을 이용하는 방법 및 시스템 审中-实审
    用于等离子体处理的等离子体调谐器的方法和系统

    公开(公告)号:KR1020140113464A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:KR1020140029756

    申请日:2014-03-13

    CPC classification number: H01J37/32256

    Abstract: Provided is a plasma tuning rod which can be used with a microwave processing system. A wave guide includes a first dielectric part having a first external diameter. A second dielectric part having a second external diameter which is larger than the first external diameter surrounds the first dielectric part. The axis of the second dielectric part can be equal to the axis of the first dielectric part. In some embodiments of the present invention, the dielectric constant of the first dielectric part can be the same as or greater than the dielectric constant of the second dielectric part.

    Abstract translation: 提供了可以与微波处理系统一起使用的等离子体调音杆。 波导包括具有第一外径的第一介电部分。 具有大于第一外径的第二外径的第二电介质部分包围第一电介质部分。 第二电介质部分的轴线可以等于第一电介质部分的轴线。 在本发明的一些实施例中,第一电介质部分的介电常数可以与第二电介质部分的介电常数相同或更大。

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