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公开(公告)号：KR1020170106468A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020177023715
申请日：2016-01-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/67069
Abstract: 본개시내용은마이크로전자기판의고정밀에칭을위한플라즈마처리시스템및 방법에관한것이다. 시스템은기판의단일층(들)을제거하기위해플라즈마를생성할수 있는플라즈마챔버를포함할수 있다. 플라즈마처리는제1 플라즈마를이용하여마이크로전자기판의표면에얇은흡착층을형성하는 2-단계처리를포함할수 있다. 흡착층은시스템이제2 플라즈마로전환되거나기판을더 높은이온에너지를갖는제1 플라즈마내의다른위치로이동시킬때 제거될수 있다. 하나의특정실시예에서, 제1 및제2 플라즈마간의전환은플라즈마처리조건을변화시키지않거나비교적작게변화시키고소스전극에대한기판의위치를변화시키는것으로가능해질수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及用于微电子衬底的高精度蚀刻的等离子体处理系统和方法。 该系统可以包括能够产生等离子体以去除衬底的单个层的等离子体室。 等离子体处理可以包括使用第一等离子体在微电子衬底的表面上形成薄吸附层的两步过程。 当系统现在切换到两个等离子体时或当基板移动到具有较高离子能量的第一等离子体中的另一个位置时，吸附剂层可被移除。 在一个特定实施例中，第一和第二等离子体之间的切换可以通过改变等离子体处理条件或通过相对较小的改变以及通过改变衬底相对于源电极的位置来实现。
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公开(公告)号：KR1020160015249A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020157034823
申请日：2014-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32357
Abstract: 소스플라즈마를여기시켜전자빔을생성하는플라즈마소스챔버, 및전자빔에대한기판의노출을위해기판을수용하는프로세스챔버를구비하는프로세싱시스템이개시된다. 프로세싱시스템은또한, 전자빔이프로세스챔버에들어갈때 소스플라즈마로부터전자빔 안으로전자를주입하는전자주입기를포함한다. 전자빔은프로세스챔버에서실질적으로동일한수의전자및 정으로하전된이온을포함한다. 일실시형태에서, 프로세싱챔버는또한, 전자빔에포함되는전자를포획하여자기장생성기와기판사이에전압전위를생성하기위해, 프로세스챔버에자기장을생성하는자기장생성기를포함한다. 전압전위는정으로하전된이온을기판으로가속시키고기판에도달하는전자를최소로한다.
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公开(公告)号：KR101186694B1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：KR1020067026275
申请日：2005-05-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
IPC: G05B19/418
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A processing method of processing a substrate is presented that includes: receiving pre-process data, wherein the pre-process data comprises a desired process result and actual measured data for the substrate; determining a required process result, wherein the required process result comprises the difference between the desired process result and the actual measured data; creating a new process recipe by modifying a nominal recipe obtained from a processing tool using at least one of a static recipe and a formula model, wherein the new process recipe provides a new process result that is approximately equal to the required process result; and sending the new process recipe to the processing tool and the substrate.
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4.发明公开반도체 처리 시스템 작동 방법 및 반도체 처리 도구 작동 방법 有权ISO / NESTED CASCADING TRIM CONTROL WITH MODEL FEEDBACK UPDATES
公开(公告)号：KR1020070052746A
公开(公告)日：2007-05-22
申请号：KR1020077002175
申请日：2005-06-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/32139 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명의 방법은 격리 구조물/피쳐와 내포 구조물/피쳐 간의 바이어스가 조정되게 하는 에칭 처리 방법, 임계 트리밍 제어를 가능하게 하면서 격리 구조물/피쳐가 내포 구조물/피쳐보다 더 작게 될 필요가 있고 내포 구조물/피쳐가 격리 구조물/피쳐에 비하여 감소될 필요가 있는 처리의 보정 방법을 포함한다.
반도체 웨이퍼 처리, 격리 구조물, 내포 구조물-
公开(公告)号：KR102236809B1
公开(公告)日：2021-04-05
申请号：KR1020157034823
申请日：2014-05-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
Abstract: 소스플라즈마를여기시켜전자빔을생성하는플라즈마소스챔버, 및전자빔에대한기판의노출을위해기판을수용하는프로세스챔버를구비하는프로세싱시스템이개시된다. 프로세싱시스템은또한, 전자빔이프로세스챔버에들어갈때 소스플라즈마로부터전자빔 안으로전자를주입하는전자주입기를포함한다. 전자빔은프로세스챔버에서실질적으로동일한수의전자및 정으로하전된이온을포함한다. 일실시형태에서, 프로세싱챔버는또한, 전자빔에포함되는전자를포획하여자기장생성기와기판사이에전압전위를생성하기위해, 프로세스챔버에자기장을생성하는자기장생성기를포함한다. 전압전위는정으로하전된이온을기판으로가속시키고기판에도달하는전자를최소로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101311640B1
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：KR1020087026270
申请日：2007-01-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/12
Abstract: 웨이퍼 상의 하나 이상의 격리된 구조(isolated structure)에 대한 계측 데이터, 웨이퍼 상의 하나 이상의 중첩된 구조(nested structure)에 대한 계측 데이터, 이중층 마스크 데이터(bi-layer mask data), 및 BARC층 데이터를 비롯한 웨이퍼에 대한 측정된 계측 데이터를 사용하여 전처리 측정 맵을 생성하는 단계를 포함하는 웨이퍼를 처리하는 방법이 제공된다. 웨이퍼에 대해 적어도 하나의 전처리 예측 맵이 계산된다. 웨이퍼에 대해 전처리 신뢰도 맵이 계산된다. 전처리 신뢰도 맵은 웨이퍼 상의 복수의 다이에 대한 일련의 신뢰도 데이터를 포함한다. 하나 이상의 다이에 대한 신뢰도 데이터가 신뢰도 한계 내에 있지 않을 때, 우선순위 부여된 측정 사이트가 결정된다. 이어서, 우선순위 부여된 측정 사이트를 포함하는 새로운 측정 레시피가 생성된다.
웨이퍼, 예측 맵, 신뢰도 맵, 전처리, 후처리, 측정 사이트-
公开(公告)号：KR101025527B1
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020057005460
申请日：2003-09-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , G05B19/418
CPC classification number: G05B19/4184 , G05B19/41865 , G05B23/0259 , G05B23/0264 , G05B23/0267 , G05B2219/31186 , G05B2219/32126 , G05B2219/32128 , G05B2219/33148 , G05B2219/33225 , G05B2219/45031 , H01L21/67276 , H01L22/20 , Y02P90/14 , Y02P90/18 , Y02P90/20 , Y02P90/86
Abstract: 반도체 처리 시스템에 의해 수행되는 반도체 제조 공정을 모니터링 및 제어하기 위한, 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)들을 포함하는 어드밴스트 프로세스 제어(APC) 시스템이 제시되어 있다. 상기 반도체 처리 시스템은 여러 처리 툴들, 여러 처리 모듈(챔버)들, 및 여러 센서들을 포함하고, 상기 APC 시스템은 APC 서버, 데이터베이스, 인터페이스 서버, 클라이언트 워크스테이션 및 GUI 구성요소를 포함하여 이루어진다. 상기 GUI는 웹기반이며, 웹 브라우저를 이용하여 사용자가 볼 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050016953A
公开(公告)日：2005-02-21
申请号：KR1020057000083
申请日：2003-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G06F17/50 , G05B19/418 , H01L21/00
CPC classification number: G05B19/418 , G05B2219/31334 , G05B2219/32128 , G05B2219/45031 , Y02P90/02 , Y02P90/16 , Y02P90/18 , Y02P90/185 , Y02P90/86
Abstract: 본 발명에 따르면, 반도체 처리 시스템내의 툴 및 프로세스 성능을 모니터링하는 센서들을 구성 및 셋업하기 위한 그래픽 사용자 인터페이스(GUIs)가 제시된다. 상기 반도체 처리 시스템은 다수의 처리 툴, 다수의 처리 모듈(챔버) 및 다수의 센서를 포함한다. 모든 중요한 파라미터들이 명확하고 논리적으로 디스플레이됨으로써, 사용자가 가능한 한 적은 입력으로 원하는 구성 및 셋업의 임무를 수행할 수 있도록 그래픽 디스플레이가 조직된다. GUI는 웹을 기반으로하며 웹 브라우저를 사용하는 사용자에 의하여 뷰잉될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101989629B1
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：KR1020127021404
申请日：2011-01-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H3/00 , H01L21/205 , H01J37/32
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公开(公告)号：KR1020150129022A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020157029440
申请日：2014-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32256
Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.
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