기판 처리 장치
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101915833B1

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:KR1020150021684

    申请日:2015-02-12

    Abstract: [과제] 기판상의위치마다의, 플라즈마의영역을통과하는시간의변동을낮게억제하는동시에, 생성되는플라즈마의균일성을높인다. [해결수단] 개시하는기판처리장치(10)는, 축선(X)을중심으로회전가능하게설치된배치대(14)와, 배치대(14)의회전에의해기판(W)이순차통과하는영역에가스를공급하는가스공급부와, 공급된가스의플라즈마를생성하는플라즈마생성부(22)를구비하고, 플라즈마생성부(22)는, 마이크로파를방사하는안테나(22a)와, 안테나(22a)에마이크로파를공급하는동축도파관(22b)을지니고, 안테나(22a)를축선(X)을따른방향에서본 경우의단면형상을구성하는선분에는, 축선(X)으로부터떨어짐에따라서서로멀어지는 2개의선분이포함되고, 동축도파관(22b)은, 안테나(22a)의무게중심으로부터안테나(22a)에마이크로파를공급한다.

    기판 처리 장치
    2.
    发明公开
    기판 처리 장치 审中-实审
    基板加工设备

    公开(公告)号:KR1020150098199A

    公开(公告)日:2015-08-27

    申请号:KR1020150021684

    申请日:2015-02-12

    Abstract: [과제] 기판 상의 위치마다의, 플라즈마의 영역을 통과하는 시간의 변동을 낮게 억제하는 동시에, 생성되는 플라즈마의 균일성을 높인다.
    [해결수단] 개시하는 기판 처리 장치(10)는, 축선(X)을 중심으로 회전 가능하게 설치된 배치대(14)와, 배치대(14)의 회전에 의해 기판(W)이 순차 통과하는 영역에 가스를 공급하는 가스 공급부와, 공급된 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(22)를 구비하고, 플라즈마 생성부(22)는, 마이크로파를 방사하는 안테나(22a)와, 안테나(22a)에 마이크로파를 공급하는 동축 도파관(22b)을 지니고, 안테나(22a)를 축선(X)을 따른 방향에서 본 경우의 단면 형상을 구성하는 선분에는, 축선(X)으로부터 떨어짐에 따라서 서로 멀어지는 2개의 선분이 포함되고, 동축 도파관(22b)은, 안테나(22a)의 무게 중심으로부터 안테나(22a)에 마이크로파를 공급한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种能够抑制通过等离子体区域的时间变化低的衬底处理装置,同时提高了衬底上每个位置产生的等离子体的均匀性。 根据本发明,基板处理装置(10)包括:围绕轴线(X)可旋转地安装的放置台(14); 气体供给单元,其通过所述放置台(14)的旋转而将基板(W)顺序地通过的区域供给气体; 以及用于产生供应气体的等离子体的等离子体产生单元(22)。 等离子体产生单元(22)包括用于发射微波的天线(22a) 以及用于将微波提供给天线(22a)的同轴波导(22b)。 构成从该轴线(X)的方向观察的天线(22a)的截面形状的部分,具有与轴(X)分离的两个彼此远离的部分,同轴波导 (22b)从天线(22a)的重心将微波提供给天线(22a)。

    성막 장치
    4.
    发明公开
    성막 장치 有权
    成膜装置

    公开(公告)号:KR1020150064075A

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:KR1020157009185

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전함으로써, 기판배치영역에배치된기판이처리용기내의제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 영역에는, 전구체가스가공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마생성부에의해, 반응가스의플라즈마가생성된다. 플라즈마생성부는, 플라즈마원으로서마이크로파를공급하는안테나를갖는다. 안테나는, 유전체제의창 부재및 도파관을포함하고있다. 창부재는, 제2 영역위에설치되어있다. 도파관은, 창부재상에설치되어있다. 도파관은, 축선에대하여방사방향으로연장되는도파로를획정하고있다. 도파관에는, 도파로로부터창 부재를향해마이크로파를통과시키기위한복수의슬롯구멍이형성되어있다. 창부재의하면은, 축선에대하여방사방향으로연장되는홈을획정하고있다.

    Abstract translation: 在根据一个方面的成膜装置中,批料围绕轴线旋转,使得设置在基材设置区域中的基材顺序地通过处理容器中的第一区域和第二区域。 在第一区域中,提供前体气体。 在第二区域中,反应气体的等离子体由等离子体产生部分产生。 等离子体发生器具有用于供应微波作为等离子体源的天线。 天线包括由电介质材料和波导构成的窗部件。 窗部件设置在第二区域上。 波导安装在窗口部件上。 波导限定了相对于轴线在径向方向上延伸的波导。 在波导中,形成多个用于从波导向窗口部件传送微波的槽孔。 窗部件的下表面限定了相对于轴线在径向方向上延伸的凹槽。

    플라즈마 처리 장치
    5.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020140110752A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:KR1020140025055

    申请日:2014-03-03

    CPC classification number: H01J37/32293 H01J37/32229

    Abstract: The present invention is to enhance the controllability of the position of plasma generation. A plasma processing apparatus includes: a processing container having a cylindrical columnar shape centering around a predetermined axis and defining a processing space therein; a plurality of columnar dielectric bodies installed at a top side of the processing space; a microwave generator configured to generate microwaves; a waveguide unit configured to connect the microwave generator and the plurality of columnar dielectric bodies; and a stage installed within the processing container to intersect with the predetermined axis. The plurality of columnar dielectric bodies are arranged at predetermined intervals along a circumferential direction around the predetermined axis within the processing space. The waveguide unit branches microwaves input from the microwave generator and supplies the branched microwaves to the plurality of columnar dielectric bodies.

    Abstract translation: 本发明是为了提高等离子体产生位置的可控性。 一种等离子体处理设备包括:处理容器,具有围绕预定轴线定中心的圆柱形柱状,并在其中限定处理空间; 安装在处理空间的顶侧的多个柱状介电体; 构造成产生微波的微波发生器; 波导单元,被配置为连接所述微波发生器和所述多个柱状介电体; 以及安装在处理容器内以与预定轴相交的平台。 多个柱状电介质体在处理空间内围绕预定轴线沿圆周方向以预定间隔布置。 波导单元分支从微波发生器输入的微波,并将分支的微波提供给多个柱状介电体。

    플라즈마 처리 장치
    6.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子处理设备

    公开(公告)号:KR1020170094222A

    公开(公告)日:2017-08-17

    申请号:KR1020177016292

    申请日:2015-12-01

    Abstract: 피처리체에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치는, 피처리체를수용하는처리용기와, 상기처리용기의상부의개구부를밀봉하도록마련되고, 상기처리용기내에마이크로파를투과시키는유전체창과, 상기유전체창의상면에마련되고, 상기유전체창에마이크로파를방사하기위한복수의슬롯이형성된슬롯판을가지고, 상기유전체창의하면에는, 그하면으로부터하방으로돌기한돌기부가상기슬롯에대응하는위치에마련되며, 마이크로파의파장(λ)에대하여, 상기돌기부의폭은λ/4±λ/8이다.

    Abstract translation: 这对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理装置,包括:用于容纳待处理的对象的处理容器中,提供密封的处理容器的开口,介电窗,电介质窗口的用于处理容器传送微波的上表面的上部 提供的是,具有用于辐射微波的多个狭槽的电介质窗缝隙板,并且具有当介电窗口,突起的突起向下从其下在对应于微波波长的槽的位置上设置 (θ),突出部分的宽度为λ/4λ/ 8。

    성막 장치
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101660615B1

    公开(公告)日:2016-09-27

    申请号:KR1020147022711

    申请日:2013-02-12

    Abstract: 일실시형태의성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전가능하게설치되어있다. 배치대를수용하는처리실은제1 영역및 제2 영역을포함한다. 배치대의회전에따라상기배치대의기판배치영역이축선에대하여둘레방향으로이동하여제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 가스공급부는, 배치대에대면하도록설치된분사부로부터제1 영역에전구체가스를공급한다. 배기부는, 분사부의주위를둘러싸는폐로를따라연장되도록형성된배기구로부터배기를행한다. 제2 가스공급부는, 배기구의주위를둘러싸는폐로를따라연장되도록형성된분사구로부터퍼지가스를공급한다. 플라즈마생성부는, 제2 영역에서반응가스의플라즈마를생성한다. 이성막장치에서는, 제1 영역이상기축선에대하여둘레방향으로연장되는각도범위보다, 제2 영역이상기축선에대하여둘레방향으로연장되는각도범위가크다.

    마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드
    8.
    发明公开
    마이크로파 공진기 플라즈마 소스에서의 플라즈마 튜닝 로드 有权
    微波谐振器等离子体等离子体调谐器

    公开(公告)号:KR1020150129022A

    公开(公告)日:2015-11-18

    申请号:KR1020157029440

    申请日:2014-02-10

    CPC classification number: H01J37/32247 H01J37/32256

    Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.

    마이크로파 플라즈마 처리 장치, 슬롯 안테나 및 반도체 장치
    9.
    发明公开
    마이크로파 플라즈마 처리 장치, 슬롯 안테나 및 반도체 장치 审中-实审
    微波等离子体加工设备,天线和半导体器件

    公开(公告)号:KR1020150007260A

    公开(公告)日:2015-01-20

    申请号:KR1020140086645

    申请日:2014-07-10

    Abstract: 본 발명은 마이크로파 플라즈마 처리 장치를 적절하게 냉각시키는 것을 목적으로 한다.
    마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 하나의 실시형태에 있어서, 냉각 플레이트를 갖는다. 또한, 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 냉각 플레이트의 처리 용기측에 간격을 두고 설치되는 중간 금속체로서, 간격은 마이크로파의 도파로를 형성하고, 냉각 플레이트와 도파로의 일부를 차단하도록 배치된 하나 또는 복수의 볼록부에서 접촉하고 있는 중간 금속체를 갖는다. 또한, 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 도파로에 마이크로파를 공급하기 위한 동축 도파관과, 도파로를 경유한 마이크로파를 방사하는 슬롯 안테나판과, 슬롯 안테나판의 처리 용기측에 설치되는 유전체창과, 유전체창에 의해 밀폐되도록 설치되는 처리 용기를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明的目的是适当地冷却微波等离子体处理装置。 根据本发明的实施例的微波等离子体处理装置具有冷却板。 此外,微波等离子体处理装置涉及在冷却板的处理容器中以规则的间隔安装的中间金属,形成微波的波导,并且与一个或多个块单元接触,该块单元布置成阻挡冷却板 和波导的一部分。 另外,微波等离子体处理装置具有:向波导供给微波用的同轴波导管,辐射穿过波导的微波的缝隙天线板,安装在槽型天线板的加工容器侧的电介质窗; 并且所述处理容器安装成由所述电介质窗封闭。

    마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 공급 방법
    10.
    发明公开
    마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 공급 방법 审中-实审
    微波等离子体加工设备和微波炉供应方法

    公开(公告)号:KR1020150007257A

    公开(公告)日:2015-01-20

    申请号:KR1020140086626

    申请日:2014-07-10

    Abstract: 본 발명은, 마이크로파에 의해 여기되는 플라즈마의 분포 균일성을 유지하는 것을 과제로 한다.
    본 발명의 마이크로파 플라즈마 처리 장치는, 처리 공간을 구획하는 처리 용기와, 처리 공간에 도입되는 처리 가스를 플라즈마화하기 위한 마이크로파를 발생하는 마이크로파 발생기와, 마이크로파를 복수의 도파관에 분배하는 분배기와, 처리 공간을 밀폐하도록 처리 용기에 설치되며, 분배기에 의해서 복수의 도파관에 분배되는 마이크로파를 처리 공간에 방사하는 안테나와, 복수의 도파관의 각각의 전압을 모니터하는 모니터부와, 모니터부에 의해서 모니터된 전압의 모니터치와 미리 정해진 전압의 기준치의 차에 대응하는 분배기의 분배비의 제어치를, 차와, 이 차에 대응하는 분배기의 분배비의 제어치를 대응시켜 기억하는 기억부로부터 취득하고, 취득한 제어치에 기초하여 분배기의 분배비를 제어하는 제어부를 구비한다.

    Abstract translation: 提供本发明以保持由微波激发的等离子体的分布均匀性。 本发明的微波等离子体处理装置包括:分割处理空间的处理容器; 微波发生器,其产生微波以制造以等离子体形式进入处理空间的处理气体; 将微波分配到多个波导中的分配器; 安装在处理容器中的天线,以便密封处理空间并发射由分配器分配到多个波导的微波加工到处理空间; 监视单元,其监视所述多个波导中的每一个的电压; 以及控制单元,其通过将与所述控制器的所述差异进行匹配而从存储单元获取对应于所述监视单元监视的电压的预定电压和监视值之间的差异的所述分配器的分配率的控制值 值,其对应于分配器的分配率的差异,并且基于获得的控制值来控制分配器的分配率。

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