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公开(公告)号：KR1020120056842A
公开(公告)日：2012-06-04
申请号：KR1020127006016
申请日：2010-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 본 발명은, 중력에 의한 가스 확산 분리 기술을 통하여 플라즈마를 발생하는 것을 이용하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공할 수 있다. 이러한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에서는, 중력값(즉, 가스상 성분의 분자량과 기준 분자량간의 비)이 서로 다른 불활성 가스와 프로세스 가스를 포함하는 가스를 추가하고 사용함으로써, 2구역 혹은 다구역 플라즈마가 형성될 수 있고, 이 2구역 혹은 다구역 플라즈마에서는, 중력에 의한 확산이 서로 다르기 때문에, 한 종류의 가스가 플라즈마 발생 영역 부근에 많이 구속될 수 있으며, 다른 종류의 가스가 상기 한 종류의 가스로부터 크게 분리될 수 있고 상기 한 종류의 가스보다 웨이퍼 프로세스 영역에 더 근접하게 구속되어 있다.
Abstract translation: 本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。 通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种 气体可以在等离子体产生区域附近受到高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与前述气体大大分离，并且比上述气体更为接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：KR1020130054216A
公开(公告)日：2013-05-24
申请号：KR1020120130575
申请日：2012-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC classification number: H01J1/00 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32174 , H05H1/46 , H05H2001/4652 , H05H2001/4675
Abstract: PURPOSE: A high-frequency power coupling system using multiple RF(Radio Frequency) power coupling elements for the control of plasma characteristics is provided to improve uniformity of RF energy. CONSTITUTION: An RF electrode(12) couples RF power to the plasma in a plasma processing system(10). Multiple power coupling elements(14,16a-16d) electrically couple RF power to multiple power coupling points on the RF electrode. The multiple power coupling elements include a central element(14) located at the center of the RF electrode and m number of surrounding elements(16a-16d), where m is an integer bigger than 1, located away from the center of the RF electrode. A first surrounding RF power signal is coupled to a first surrounding element(16a). A second surrounding RF power signal is coupled to a second surrounding element(16c). [Reference numerals] (18) RF power system; (24) Impedance load
Abstract translation: 目的：提供使用多个RF（射频）功率耦合元件来控制等离子体特性的高频功率耦合系统，以提高RF能量的均匀性。 构成：RF电极（12）在等离子体处理系统（10）中将RF功率耦合到等离子体。 多个功率耦合元件（14,16a-16d）将RF功率电耦合到RF电极上的多个功率耦合点。 多个功率耦合元件包括位于RF电极中心的中心元件（14）和m个周围元件（16a-16d），其中m是大于1的整数，远离RF电极的中心 。 第一周围RF功率信号耦合到第一周围元件（16a）。 第二周围RF功率信号耦合到第二周围元件（16c）。 （附图标记）（18）射频功率系统; （24）阻抗负载
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公开(公告)号：KR101788918B1
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：KR1020150078798
申请日：2015-06-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32238 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/3222 , H01L21/67069
Abstract: 여기에개시된기법들은플라즈마프로세싱챔버내에발생된플라즈마를이용하여기판들을처리하는장치를포함한다. 일실시예에서, 플라즈마시스템의유전체판들은균일한플라즈마를발생시키는것을보조하도록구성된구조적피쳐들을포함할수 있다. 이러한구조적피쳐들은플라즈마를마주한표면에표면형상을정의한다. 이러한구조적피쳐들은거의비선형단면을갖는동심고리세트를포함할수 있고, 유전체판의표면으로부터돌출될수 있다. 이러한구조적피쳐들은피쳐깊이, 폭, 및동심고리에따라깊이및 폭이달라질수 있는주기적패턴들을포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150129022A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：KR1020157029440
申请日：2014-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32256
Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140113464A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020140029756
申请日：2014-03-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32256
Abstract: Provided is a plasma tuning rod which can be used with a microwave processing system. A wave guide includes a first dielectric part having a first external diameter. A second dielectric part having a second external diameter which is larger than the first external diameter surrounds the first dielectric part. The axis of the second dielectric part can be equal to the axis of the first dielectric part. In some embodiments of the present invention, the dielectric constant of the first dielectric part can be the same as or greater than the dielectric constant of the second dielectric part.
Abstract translation: 提供了可以与微波处理系统一起使用的等离子体调音杆。 波导包括具有第一外径的第一介电部分。 具有大于第一外径的第二外径的第二电介质部分包围第一电介质部分。 第二电介质部分的轴线可以等于第一电介质部分的轴线。 在本发明的一些实施例中，第一电介质部分的介电常数可以与第二电介质部分的介电常数相同或更大。
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公开(公告)号：KR101730755B1
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：KR1020157029440
申请日：2014-02-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32256
Abstract: 플라즈마에인접한공진캐비티에서공진마이크로파에너지를생성하는것에의해소망의 EM파모드의전자기(EM) 에너지를플라즈마에커플링하도록구성되는하나이상의공진캐비티를갖는공진기시스템(100, 200, 300, 400, 1000, 1100, 1200, 1300)이제공된다. 공진기시스템은하나이상의인터페이스어셈블리(165a, 165b, 265a, 265b, 365a, 365b, 465a, 465b, 1065) 및분리어셈블리(164a-c, 264a-c, 364a-c, 464a-d, 1164a)를사용하여프로세스챔버(110, 210, 310, 410, 1010, 1110, 1210, 1310)에커플링될수 있고, 각각의공진캐비티는자신에게커플링되는복수의플라즈마튜닝로드(170a-c와 175a-c, 270a-c와 275a-c, 370a-c와 375a-c, 470a-d와 475a-d, 570a-d와 575a-d, 670a-d와 675a-d, 770a-d와 775a-d, 1070a와 1075a, 1170a와 1175a)를구비할수 있다. 플라즈마튜닝로드는공진캐비티로부터의 EM 에너지를프로세스챔버내의프로세스공간(115, 215, 315, 415)으로커플링하도록구성될수 있다.
Abstract translation: 在邻近由具有至少一个谐振腔由期望的能量的EM波模式的电磁（EM）的耦合到所述等离子体（100，200，300，400中产生能量的等离子体共振微波谐振器系统的谐振腔， 1000,1100,1200,1300）。 使用谐振器系统的至少一个接口组件（165A，165B，265A，265B，365A，365B，465A，465B，1065）和分隔组件（164A-C，264A-C，364A-C，464A-d，1164A） C和175a-c，其耦合到处理室110,210,310,410,1010,1110,1210,1310， 器270a-c和275A-C，370A-C和375A-C，470A-d和475A-d，570A-d和575A-d，670A-d和675A-d，770A-d和775A-d，1070A和 1075a，1170a和1175a。 等离子体调谐杆可以被配置成耦合从谐振腔中的EM能量转换成在处理室中的处理空间（115，215，315，415）。
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公开(公告)号：KR101689916B1
公开(公告)日：2016-12-26
申请号：KR1020127006016
申请日：2010-08-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3213 , H01L21/311 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/32137
Abstract: 본발명은, 중력에의한가스확산분리기술을통하여플라즈마를발생하는것을이용하는기판처리장치및 기판처리방법을제공할수 있다. 이러한기판처리장치및 기판처리방법에서는, 중력값(즉, 가스상성분의분자량과기준분자량간의비)이서로다른불활성가스와프로세스가스를포함하는가스를추가하고사용함으로써, 2구역혹은다구역플라즈마가형성될수 있고, 이 2구역혹은다구역플라즈마에서는, 중력에의한확산이서로다르기때문에, 한종류의가스가플라즈마발생영역부근에많이구속될수 있으며, 다른종류의가스가상기한 종류의가스로부터크게분리될수 있고상기한 종류의가스보다웨이퍼프로세스영역에더 근접하게구속되어있다.
Abstract translation: 本发明可以提供使用通过重力引起的气体扩散分离技术的等离子体生成来处理衬底的装置和方法。 通过添加或使用气体，包括不同重量的惰性气体和工艺气体（即气态成分的分子量与参考分子量之间的比例），可以形成两区或多区等离子体，其中一种 气体可以在等离子体产生区域附近受到高度约束，并且由于差分重力感应扩散，另一种气体可以与前述气体大大分离，并且比上述气体更为接近晶片处理区域。
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公开(公告)号：KR101970362B1
公开(公告)日：2019-04-18
申请号：KR1020120130575
申请日：2012-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/205
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公开(公告)号：KR1020170106468A
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：KR1020177023715
申请日：2016-01-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/67069
Abstract: 본개시내용은마이크로전자기판의고정밀에칭을위한플라즈마처리시스템및 방법에관한것이다. 시스템은기판의단일층(들)을제거하기위해플라즈마를생성할수 있는플라즈마챔버를포함할수 있다. 플라즈마처리는제1 플라즈마를이용하여마이크로전자기판의표면에얇은흡착층을형성하는 2-단계처리를포함할수 있다. 흡착층은시스템이제2 플라즈마로전환되거나기판을더 높은이온에너지를갖는제1 플라즈마내의다른위치로이동시킬때 제거될수 있다. 하나의특정실시예에서, 제1 및제2 플라즈마간의전환은플라즈마처리조건을변화시키지않거나비교적작게변화시키고소스전극에대한기판의위치를변화시키는것으로가능해질수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及用于微电子衬底的高精度蚀刻的等离子体处理系统和方法。 该系统可以包括能够产生等离子体以去除衬底的单个层的等离子体室。 等离子体处理可以包括使用第一等离子体在微电子衬底的表面上形成薄吸附层的两步过程。 当系统现在切换到两个等离子体时或当基板移动到具有较高离子能量的第一等离子体中的另一个位置时，吸附剂层可被移除。 在一个特定实施例中，第一和第二等离子体之间的切换可以通过改变等离子体处理条件或通过相对较小的改变以及通过改变衬底相对于源电极的位置来实现。
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