公开(公告)号：KR1020170143447A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020170077688

申请日：2017-06-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  사이토히토시

IPC: H01J37/32

Abstract: (과제) 직사각형의피처리기판의외주측의영역에대해서, 둘레방향을향해서보다균일한플라즈마처리를실시하는기술을제공한다. (해결수단) 플라즈마처리장치(1)는직사각형의피처리기판(G)에대해, 캐소드전극(13)과직사각형의애노드전극부(3)의사이에형성되는처리가스의용량결합플라즈마(P)에의한플라즈마처리를실행한다. 이때, 애노드전극부(3)는직경방향을향해서복수의직경방향분할전극(34, 33, 32)으로분할되고, 외주측의직경방향분할전극(32)은모서리부측의모서리부분할전극(32b)과변부측의변부분할전극(32a)으로더 분할되어있다. 이들모서리부분할전극(32b)과변부분할전극(32a)의적어도한쪽의접지단(104) 측에는임피던스조정부(52, 51)가마련된다.

Abstract translation: （要解决的问题）提供一种在周向方向上更均匀地执行等离子体处理到矩形目标基板的外周侧上的区域的技术。 （P）相对于矩形目标基板（G）形成在阴极电极（13）和矩形阳极电极单元（3）之间的工艺气体， 等离子体处理被执行。 此时，阳极电极部3在径向上被分割为多个径向分割电极34,33,32，外周侧的径向分割电极32被分割成电极32b 并进一步分成过电压侧的电极32a。 阻抗调节部分52和51安装在电极32b和32a的接地端104侧。

公开(公告)号：KR101768744B1

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：KR1020140012982

申请日：2014-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 대형피처리기판에대해, 분할타입의유전체창을이용해서균일한플라즈마처리를행할수 있는유도결합플라즈마처리장치를제공한다. 직사각형형상의기판에유도결합플라즈마처리를실시하는유도결합플라즈마처리장치는, 기판을수용하는처리실과, 처리실내의기판이배치되는영역에유도결합플라즈마를생성하기위한고주파안테나와, 유도결합플라즈마가생성되는플라즈마생성영역과고주파안테나사이에배치되며, 기판에대응해서마련된직사각형형상을이루는유전체창을구비하고, 고주파안테나는유전체창에대응하는면 내에주회하도록마련되고, 유전체창(2)은긴 변(2a)을포함하는제 1 분할편(201)과, 짧은변(2b)을포함하는제 2 분할편(202)을포함하도록, 금속제의지지빔(6)에의해복수의분할편으로분할되며, 제 2 분할편(202)의직경방향의폭 a와제 1 분할편(201)의직경방향의폭 b의비 a/b가 0.8 이상 1.2 이하의범위가되도록분할되어있다.

公开(公告)号：KR1020150106359A

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：KR1020150032889

申请日：2015-03-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지나가모토키 ,  다카토데츠야 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/0234 ,  H01L29/7869 ,  H05H1/46

Abstract: 산화물 반도체의 특성의 저하를 억제하면서 박막 트랜지스터를 제조하는 것이 가능한 플라즈마 처리 장치 등을 제공한다.
플라즈마 처리 장치(2)는, 박막 트랜지스터(8)가 형성되는 기판 F에 대해서 플라즈마 처리를 실행하고, 상기 플라즈마 처리가 행해지는 처리 용기(31)는, 상층측의 금속막이 에칭 처리되어 산화물 반도체층(84)이 노출한 상태의 기판 F가 탑재되는 탑재대(331)를 구비한다. 진공 배기부(314)는 처리 용기(31)내의 진공 배기를 행하고, 가스 공급부(360)로부터 플라즈마 발생용의 가스인 수증기, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스가 공급된다. 플라즈마 발생부(34)는 상기 플라즈마 발생용의 가스를 플라즈마화하여, 산화물 반도체층(84)을 수증기에서 유래하거나, 또는 불소를 포함하는 가스와 산소 가스의 혼합 가스에서 유래하는 플라즈마에 노출하는 플라즈마 처리를 실행한다.

Abstract translation: 提供了能够制造薄膜晶体管并抑制氧化物半导体的特征劣化的等离子体处理装置。 等离子体处理装置（2）对其上形成有薄膜晶体管（8）的基板F进行等离子体处理。 执行等离子体处理的处理容器（31）包括：安装台（331），其安装基板F以通过蚀刻上层的金属层来暴露氧化物半导体层（84）。 真空排气单元（314）将处理容器（31）排出真空。 气体供给单元（360）供给氧气和包含作为用于产生等离子体的气体的氟或蒸气的气体的混合气体。 等离子体发生单元（34）通过将用于产生等离子体的气体改变为由氧气和包含氟的气体的混合气体产生的等离子体，进行等离子体处理以将氧化物半导体层（54）暴露于等离子体 蒸汽。

公开(公告)号：KR1020150071642A

公开(公告)日：2015-06-26

申请号：KR1020140172838

申请日：2014-12-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무 ,  이시다히로시

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/56

Abstract: (과제) 유기물에의한발광부의유기화합물의열화를방지할수 있는유기 EL 소자구조를제공한다. (해결수단) 유기 EL 소자구조(10)는, 소자구동회로층(11) 위에있어서차례로적층된애노드막(15), 유기화합물을포함하는발광부(16) 및캐소드막(17)으로이루어지는소자적층부(12)를갖고, 소자구동회로층(11) 및소자적층부(12)의사이에봉지막(14)이배치된다.

Abstract translation: 提供了能够防止由于有机材料引起的发光单元的有机化合物的劣化的有机EL器件结构。 有机EL器件（10）包括：器件堆叠部分（12），其包括阳极层（15），包含有机化合物的发光单元（16）和连续堆叠在有机化合物上的阴极层（17） 器件驱动电路层（11）。 封装层（14）设置在器件驱动电路层（11）和器件堆叠部分（12）之间。

公开(公告)号：KR1020140103838A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020140012982

申请日：2014-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도조도시히로 ,  사토요시츠토무 ,  사사키가즈오

IPC: H01J37/32 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H05H1/46

Abstract: Disclosed is an inductively coupled plasma processing apparatus which performs a uniform plasma processing against a large treated substrate by means of a division type dielectric window. The inductively coupled plasma processing apparatus which performs the inductively coupled plasma processing on a rectangular substrate comprises: a processing room accommodating the substrate; a high frequency antenna to make inductively coupled plasma on the area whereby the substrate accommodated in the processing room is located; and a rectangular dielectric window arranged corresponding to the substrate and located between the plasma producing area and the high frequency antenna. The high frequency antenna is arranged on a surface corresponding to the dielectric window and is capable of winding. The dielectric window (2) is divided into a plurality of divisions by a support beam (6) of a metal material to include a first division (201) having a long side (2a) and a second division (202), wherein a width ratio of the width (a) of the second division (202) in a diameter direction and the width (b) of the first division (201) in a diameter direction is between 0.8 or more and 1.2 or less.

Abstract translation: 公开了一种电感耦合等离子体处理装置，其通过分割型电介质窗对大的经处理的基板执行均匀的等离子体处理。 在矩形基板上进行电感耦合等离子体处理的电感耦合等离子体处理装置包括：容纳基板的处理室; 高频天线，用于在容纳在处理室中的基板所在的区域上形成电感耦合等离子体; 以及相对于衬底布置并位于等离子体产生区域和高频天线之间的矩形电介质窗口。 高频天线布置在与电介质窗口相对应的表面上并能够卷绕。 电介质窗（2）由金属材料的支撑梁（6）分成多个分隔，以包括具有长边（2a）和第二分割（202）的第一分割（201），其中宽度 第二分割部202的直径方向的宽度（a）与第一分割部（201）的直径方向的宽度（b）之比为0.8以上且1.2以下。

公开(公告)号：KR1020130085963A

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：KR1020130002780

申请日：2013-01-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카세이지 ,  사토요시츠토무

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/67011 ,  C23C16/45565 ,  H01L21/67184

Abstract: PURPOSE: A gas supply heat and a substrate treatment apparatus are provided to spread gas improving unevenness in a discharged gas flow rate. CONSTITUTION: A first gas holes row (102a) is composed of multiple gas discharge holes. A second gas holes row (102b) is arranged in parallel with the first gas holes row in the same surface and is composed of the multiple gas discharge holes. The gas discharge hole which comprises a gas diffusion chamber (101a) is connected through a gas flow path which composes the first gas holes row. The gas discharge hole which comprises a gas diffusion chamber (101b) is connected through a gas flow path which composes the first gas holes row. The other gases are supplied to a first gas diffusion chamber and a second diffusion chamber. [Reference numerals] (AA) First gas; (BB) Second gas

Abstract translation: 目的：提供一种气体供应热和一种基板处理装置，用于在排出的气体流量中扩散改善不均匀性的气体。 构成：第一气孔排（102a）由多个排气孔组成。 第二气孔排（102b）与同一表面中的第一气孔排平行布置，并且由多个气体排出孔组成。 包括气体扩散室（101a）的排气孔通过构成第一气孔排的气体流路相连接。 包括气体扩散室（101b）的排气孔通过构成第一气孔排的气体流路相连接。 其他气体被供应到第一气体扩散室和第二扩散室。 （附图标记）（AA）第一气体; （BB）第二气体

公开(公告)号：KR100702726B1

公开(公告)日：2007-04-03

申请号：KR1020040057249

申请日：2004-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무

IPC: H01L21/3065

Abstract: 2주파 중첩 인가방식에 있어서 정합 회로의 소형화 및 저비용화를 실현하는 플라즈마 에칭장치에 관한 것이다.
본 플라즈마 에칭장치에 있어서, 상부전극(18)은 챔버(10)를 통해서 그라운드 전위에 접속(접지)되고, 하부전극(16)에는 각각 제 1 및 제 2 정합기(36, 38)를 통해서 제 1 고주파 전원(40)(예컨대 13.56MHz) 및 제 2 고주파 전원(42)(예컨대 3.2MHz)이 전기적으로 접속되어 있다. 저주파측의 제 2 정합기(38)는 최종 출력단에 코일(62)을 갖는 T형 회로로 구성되어 있고, 상기 코일(62)에 제 1 고주파 전원(40)으로부터의 고주파(13.56MHz)를 차단하기 위한 하이 컷 필터(cut filter)를 겸용시키고 있다.

公开(公告)号：KR100556983B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020030006909

申请日：2003-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무

IPC: G02F1/13

Abstract: 본 발명은 대형 기판에 대하여 용량 결합 성분에 의한 플라즈마 밀도의 저하 및 전계 분포의 편차에 의한 플라즈마 밀도의 불균일이 발생하지 않고, 보다 고밀도인 플라즈마로 균일한 플라즈마 처리를 할 수 있는 유도 결합 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
고주파 안테나(13)에 고주파 전력을 공급함으로써 처리실(4)내에 유도 결합 플라즈마를 형성하여 기판(G)에 플라즈마 처리를 실시하는 플라즈마 처리 장치에 있어서, 고주파 안테나(13)는 안테나선(46, 47, 48, 49, 50, 51, 52)의 존재 밀도가 성긴 부분(63)과 조밀한 부분(61, 62)을 갖는 동시에, 그 중심 부분(60)에 안테나선이 존재하지 않도록 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1020040010260A

公开(公告)日：2004-01-31

申请号：KR1020030049342

申请日：2003-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사토요시츠토무

IPC: H05H1/26

Abstract: PURPOSE: To provide an inductively coupled plasma processing apparatus that can suppress deflection of a partition structure partitioning a treatment chamber, including a dielectric wall and an antenna chamber from each other, without making the support portion of the dielectric wall larger in size nor making the dielectric wall larger in thickness. CONSTITUTION: This inductively coupled plasma processing apparatus comprises the treatment chamber 4 in which plasma processing is performed on a substrate G, a process gas supply system 20 which supplies process gas into the processing chamber 4, and an exhaust system 30, which exhausts the gas in the chamber 4. This device also comprises the dielectric wall 2, constituting the top wall of the treatment chamber 4, a high-frequency antenna 15 provided above the wall 2, and the antenna chamber 3 which is provided above the treatment chamber 4 and houses the antenna 15 and the bottom wall of which is formed of the dielectric wall 2 and vertical walls 5, which divide the antenna chamber 3 into a plurality of small chambers 6 and supported by the sidewalls 3a of the chamber 3. The dielectric wall 2 is split into a plurality of pieces, corresponding to the small chambers 6, and each split piece 2a of the wall 2 is supported by the sidewalls 3a of the antenna chamber 3 and vertical walls 5.

Abstract translation: 目的：提供一种电感耦合等离子体处理装置，其能够抑制将包括电介质壁和天线室的处理室分隔开的分隔结构的偏转，而不会使电介质壁的支撑部分尺寸变大， 电介质壁厚度较大。 构成：这种电感耦合等离子体处理装置包括处理室4，其中在基板G上进行等离子体处理，将处理气体供应到处理室4中的处理气体供应系统20和排出气体的排气系统30 该装置还包括构成处理室4的顶壁的电介质壁2，设置在壁2上方的高频天线15和设置在处理室4上方的天线室3和 容纳天线15，其底壁由电介质壁2和垂直壁5构成，垂直壁5将天线室3分成多个小室6并由室3的侧壁3a支撑。电介质壁2 被分成对应于小室6的多个片，壁2的每个分割片2a由天线室3的侧壁3a和垂直壁5支撑。

公开(公告)号：KR1020030028394A

公开(公告)日：2003-04-08

申请号：KR1020020058297

申请日：2002-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키가즈오 ,  스에키히데히토 ,  사토요시츠토무 ,  니시무라미치오

IPC: H05H1/26

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to be capable of preventing foreign substance from being attached at a dielectric part between a high frequency antenna and a plasma generating part. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus(100) is provided with a high frequency antenna(112), a high frequency supply voltage source(160) connected to the high frequency antenna, and a susceptor(106) for loading a process object body. The plasma processing apparatus further includes a dielectric part(120) between the high frequency antenna and the susceptor, a conductive part(170) between the high frequency antenna and the dielectric part, a ground circuit(180) connected to the conductive part, and an inductor(302) installed at the ground circuit.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置，以能够防止异物附着在高频天线和等离子体产生部件之间的介质部分。 构成：等离子体处理装置（100）设置有高频天线（112），连接到高频天线的高频电源（160），以及用于加载处理对象体的基座（106）。 等离子体处理装置还包括在高频天线和基座之间的介质部分（120），高频天线和电介质部分之间的导电部分（170），连接到导电部分的接地电路（180），以及 安装在接地电路上的电感器（302）。