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公开(公告)号：KR1020050077502A
公开(公告)日：2005-08-02
申请号：KR1020050065118
申请日：2005-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1020050076842A
公开(公告)日：2005-07-28
申请号：KR1020050065121
申请日：2005-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR1020010039769A
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：KR1020000043817
申请日：2000-07-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: Provided is a substrate treatment method having high treatment capacity, and a processor. CONSTITUTION: This is a method of washing a wafer(W), and here the liquid film(31) of pure water is made on the surface of the wafer(W), while the liquid film of ozone water is created by dissolving ozone gas(20) in the liquid film(31) of pure water, and the resist film(30) made on the surface of the wafer(W) is removed. A washer can execute such a washing method suitably.
Abstract translation: 目的：提供具有高处理能力的基板处理方法和处理器。 构成：这是洗涤晶片（W）的方法，这里在晶片（W）的表面上形成纯水的液膜（31），而臭氧水的液膜是通过溶解臭氧气体 （20）在纯水的液膜（31）中，并且去除在晶片（W）的表面上制成的抗蚀剂膜（30）。 垫圈可以适当地执行这种洗涤方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100709982B1
公开(公告)日：2007-04-20
申请号：KR1020050065118
申请日：2005-07-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31133 , G03F7/423 , H01L21/67051 , H01L21/67057 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 반도체 웨이퍼(W)를 세정하기 위하여, 처리용기 내에 웨이퍼를 수용하고, 그 웨이퍼의 표면에 순수(純水)의 액막을 형성하고, 그 액막에 오존기체를 용해시켜 오존수의 액막을 형성시켜, 상기 오존수의 액막에 의해 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거하고, 순수의 액막은, 웨이퍼 표면에 대한 수증기의 응축에 의해 형성되며, 또한 그 대신에 처리용기 내에 수증기와 오존기체를 공급하여, 이들 반응에 의해 수산기 라디칼 등을 발생시킴으로써 웨이퍼 표면의 레지스트막을 제거할 수도 있으며, 이들 방법에 의해 높은 레지스트 제거능력을 얻을 수 있는 기술이 제시된다.
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公开(公告)号：KR100455904B1
公开(公告)日：2005-01-13
申请号：KR1019980037119
申请日：1998-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/02052 , B08B3/08 , B24B37/013 , H01L21/67057 , H01L22/26 , Y10S134/902
Abstract: A cleaning equipment generally comprises: a cleaning bath 30 for storing therein a cleaning solution to allow a semiconductor wafer W to be dipped in the cleaning solution to clean the surface of the wafer W; a cleaning solution supply pipe 33 for connecting the cleaning bath 30 to a pure water supply source 31; a chemical storing container 34 for storing therein a chemical; a chemical supply pipe 36 for connecting the cleaning solution supply pipe 33 to the chemical storing container 34 via an injection shut-off valve 35; and a diaphragm pump 37 for injecting a predetermined amount of chemical from the chemical storing container 34 into pure water flowing through the cleaning solution supply pipe 33. The temperature of the cleaning solution in the cleaning bath 30 is detected by, e.g., a temperature sensor 44. On the basis of a detection signal outputted from the temperature sensor 44, the amount of the chemical injected by the diaphragm pump 37 is controlled so that the concentration of the chemical is a predetermined concentration. Thus, a predetermined amount of chemical can be injected so as to clean the wafer W with a predetermined concentration of chemical.
Abstract translation: 清洁设备通常包括：清洁槽30，用于在其中存储清洁溶液以允许半导体晶片W浸入清洁溶液中以清洁晶片W的表面; 用于将清洁槽30连接到纯水供应源31的清洁溶液供应管33; 化学品储存容器34，用于在其中储存化学品; 将清洗液供给管33经由注入切断阀35与化学品收容容器34连接的药液供给管36， 以及隔膜泵37，用于将来自化学品存储容器34的预定量的化学品注入流过清洁溶液供应管33的纯水中。清洁槽30中的清洁溶液的温度由例如温度传感器 基于从温度传感器44输出的检测信号，控制由隔膜泵37注入的化学药品的量，使得化学品的浓度为预定浓度。 因此，可以注入预定量的化学制品，以便用预定浓度的化学制品清洁晶片W.
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公开(公告)号：KR100344968B1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：KR1019970051365
申请日：1997-10-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 야마사카미야코
IPC: H01L21/304
Abstract: 기판의 세정건조방법은, (a) 약액으로 처리된 면이 위쪽을 향하도록 기판을 스핀척 위에 얹어 놓는 공정과, (b) 스핀척에 의해 기판을 회전시키면서 제 1 노즐에서 약액 처리면으로 세정액을 뿌려 상기 피처리면을 청정화하는 세정공정과, (c) 기판의 회전중에, 제 2 노즐을 기판의 중앙부에서 가장자리부까지 스캔 이동시키면서 제 2 노즐로부터 상기 피처리면으로 가스를 분사하여, 상기 피처리면에서 액체성분을 제거하는 건조공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR100342882B1
公开(公告)日：2002-10-25
申请号：KR1019970048412
申请日：1997-09-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23F1/24
Abstract: 박막의 습식 에칭방법은, (a) 박막의 종류와, 약액의 성분과, 온도로서 규정되는 박막의 에칭레이트를 미리 설정하여 두는 공정과, (b) 박막형성면이 위를 향하도록 기판을 스핀척 상에 재치하는 공정과, (c) 박막의 막두께를 적어도 기판의 둘레 가장자리부와 중앙부에서 각각 검출하는 공정과, (d) 상기 공정 (a)에서 설정해 둔 박막의 에칭레이트와, 상기 공정 (c)에서 얻어진 막두께 검출정보에 의거하여 노즐의 이동속도를 통과지점마다 연산에 의해 각각 구하는 공정과, (e) 스핀척에 의해 기판을 회전시키는 공정과, (f) 회전중인 기판의 박막형성면으로 향하여 노즐로부터 약액을 토출공급하면서 상기 공정 (d)에서 구한 각 통과지점마다의 이동속도로 되도록 노즐의 이동속도를 제어하여, 노즐을 기판의 반경방향으로 스캔 이동시키는 공정을 구비한다.
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公开(公告)号：KR1019990029657A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980037119
申请日：1998-09-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 LCD용 유리 기판과 같은 처리용 대상을 약액 또는 순수와 같은 세정액에 침적하여 세정하기 위한 세정처리방법 및 세정처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 피처리체를 세정하기 위해 순수에 침적하는 공정과, 그리고 상기 순수에 약액을 주입해서 되는 세정액에서 상기 약액의 농도를 제어하며, 상기 피처리체를 세정하기 위해 상기 세정액에 침적하는 공정을 포함하여, 상기 피처리체가 순수에 침적되어 세정된 후, 약액이 순수에 주입해서 되는 세정액에 상기 피처리체가 침적되어 세정되는 때, 상기 세정액에서의 약액의 농도가 단시간내에 소정농도로 변화될 수 있고, 상기 피처리체에 대한 약액세정효율을 향상시킬 수 있으며, 전 세정에 대한 처리량을 향상시킬 수 있는 세정처리방법 및 그 장치를 제시하고 있다.
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