公开(公告)号：KR101751568B1

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：KR1020137006440

申请日：2012-08-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  아이우라가즈히로 ,  신도나오키 ,  하치야요스케

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01L21/465 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 본발명의액처리장치는, 기판(W)을수평으로유지하여회전시키는기판유지부(21)와, 기판유지부에유지된기판에대하여처리액을공급하는처리액노즐(82)과, 기판유지부에유지된기판의둘레가장자리의외측에마련되며, 처리액노즐에의해기판에공급된뒤의처리액을받기위한컵(40)과, 기판유지부에유지된기판을위쪽에서덮는상부판(32)과, 상부판을회전시키는상부판회전구동기구와, 상부판의둘레가장자리를둘러싸는환형의액받이공간(132)을갖는액받이부재(130)를구비하고있다.

公开(公告)号：KR100849254B1

公开(公告)日：2008-07-29

申请号：KR1020010060911

申请日：2001-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  이이노다다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/31138 ,  Y10S134/902

Abstract: 웨이퍼 등의 금속오염이나 파티클의 발생 및 산화막의 성장을 억제하여 레지스트를 제거할 수 있도록 한다.
웨이퍼(W)를 수용하는 처리용기(10)내에 오존 가스(2)를 공급하는 오존 가스공급관로(40)와, 처리용기(10)내에 수증기(1)를 공급하는 수증기공급관로(30)를 설치하여, 오존 가스공급관로(42)에 설치되는 개폐밸브(49)와, 수증기공급관로(34)에 설치되는 개폐밸브(36)와, 오존 가스생성수단(41)의 스위치(48) 및 개폐밸브(49)를, 제어수단인 CPU(100)에 의해서 제어할 수 있도록 형성한다. 이에 따라, 처리용기(10)내에 오존 가스(2)를 공급하여 웨이퍼(W)의 주위분위기를 가압한 후, 처리용기(10)내에 수증기(1)를 공급함과 동시에, 오존 가스(2)를 공급하여, 수증기(1)와 오존 가스(2)에 의해서 웨이퍼(W)의 레지스트 제거나 금속부식 등을 방지할 수 있다.

Abstract translation: 可以抑制晶片等金属的污染，粒子的生成和氧化膜的生长，从而除去抗蚀剂。

公开(公告)号：KR1020080020988A

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：KR1020077025994

申请日：2006-06-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히로시로고우키치 ,  가미카와유지 ,  도시마다카유키 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057

Abstract: Disclosed is a substrate processing apparatus for cleaning and drying a substrate such as a semiconductor wafer. This substrate processing apparatus comprises a liquid processing unit for processing a substrate by immersing the substrate in a stored purified water, a drying unit arranged above the liquid processing unit for drying the substrate, a substrate conveying system for conveying the substrate between the liquid processing unit and the drying unit, a fluid supply mechanism for supplying a fluid mixture composed of vapor or mist of purified water and vapor or mist of a volatile organic solvent into the drying unit, and a control unit for controlling supply of the fluid mixture. ® KIPO & WIPO 2008

Abstract translation: 公开了一种用于清洗和干燥诸如半导体晶片的衬底的衬底处理装置。 该基板处理装置包括：液体处理单元，用于通过将基板浸入存储的净化水中来处理基板;干燥单元，布置在用于干燥基板的液体处理单元的上方;基板输送系统，用于在液体处理单元 以及干燥单元，用于将由净化水的蒸汽或雾以及挥发性有机溶剂的蒸气或雾形成的流体混合物供给到干燥单元中的流体供给机构，以及用于控制流体混合物供给的控制单元。 ®KIPO＆WIPO 2008

公开(公告)号：KR100747618B1

公开(公告)日：2007-08-09

申请号：KR1020067001393

申请日：2005-03-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  야노히로시 ,  츠루사키고타로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67757 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 기판을 처리액에 의해 처리하는 처리조(3)와, 처리조(3) 위쪽에 배치된 건조 처리부(6)와, 처리조(3)와 건조 처리부(6) 사이에서 기판(W)을 이동시키는 이동 기구(8)를 구비하고 있다. 건조 처리부(6)에 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급 라인(21)과, 건조 처리부(6)에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 라인(24, 25)이 접속되어 있다. 또한 건조 처리부(6)에 건조 처리부(6)로부터 압출된 분위기를 배기하는 제1 배기 라인(26)과, 상기 건조 처리부(6)를 강제적으로 배기하는 제2 배기 라인(27)이 접속되어 있다.

公开(公告)号：KR1020020027202A

公开(公告)日：2002-04-13

申请号：KR1020010060911

申请日：2001-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도시마다카유키 ,  신도나오키 ,  이이노다다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/31138 ,  Y10S134/902

Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing a substrate is provided to eliminate resists, by suppressing metallic contamination of a wafer, generation of particles and growth of an oxide layer. CONSTITUTION: An ozone gas feed system(40) for feeding ozone gas(2) into a processing vessel(10) holding wafers(W), and a steam feed unit(30) for feeding steam(1) into the processing vessel are provided. An on-off valve(49) inserted in the ozone gas feed pipe(42), an on-off valve(36) inserted in the steam feed pipe(34), and a switch(48) and the on-off valve(49) of an ozone gas generator(41) are connected to a CPU(100) which is a control unit and are controlled by the CPU. Ozone gas is fed into the processing vessel to pressurize the atmosphere surrounding the wafers, and then steam is fed into the processing vessel while ozone gas is fed into the processing vessel, whereby a resist of the wafers can be removed with the steam and the ozone gas while metal corrosion, etc., can be prevented.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理基板的装置，通过抑制晶片的金属污染，产生颗粒和生长氧化物层来消除抗蚀剂。 提供了一种用于将臭氧气体（2）供给到容纳晶片（W）的处理容器（10）中的臭氧气体供给系统（40）和用于将蒸汽（1）供入处理容器的蒸汽供给单元（30） 。 插入臭氧气体供给管（42）中的开闭阀（49），插入蒸汽供给管（34）中的开关阀（36）以及开关（48）和开闭阀（ 一个臭氧气体发生器（41）的控制单元（49）连接到作为控制单元并由CPU控制的CPU（100）。 将臭氧气体进料到处理容器中以对晶片周围的气氛加压，然后将蒸汽进料到处理容器中，同时将臭氧气体进料到处理容器中，由此可以用蒸汽和臭氧去除晶片的抗蚀剂 气体，同时金属腐蚀等，可以防止。

公开(公告)号：KR1019990029867A

公开(公告)日：1999-04-26

申请号：KR1019980038363

申请日：1998-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카미카와유지 ,  신도나오키 ,  키타하라시게노리

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼나 LCD용유리기판 등의 피처리체를 세정 또는 건조하는 처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치에서는 세정액을 저장함과 동시에 저장된 세정액중에 반도체웨이퍼(W)를 침적하여 그 표면을 세정하는 세정조(30)과, 상기 세정조(30)과 순수공급원(31)을 접속하는 세정액공급관(33)과, 약액을 저장하기 위한 액약저장용기(34)와, 상기 세정액공급관(33)과 상기 약액저장용기(34)를 접속하는 약액공급관(36)과, 상기 약액공급관(36)에 설치된 주입개폐절환밸브(35)와, 상기 약액공급관(36)에 약액공급수단으로서 왕복구동식 펌프 예를 들어 다이어프램 펌프(37)이 설치되어 이루어지는 처리장치가 제공된다.
따라서, 본 발명에 관계하는 처리장치에서는 왕복구동식 펌프에 의한 약액의 반송에 의해, 순수나 건조가스용 반송가스의 유량 또는 압력의 변동에 영향받는 일 없이 소정량의 약액을 순수중 또는 건조가스생성부에 주입하여 소정농도의 약액을 얻고, 이것을 세정 또는 건조에 제공할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019940018925A

公开(公告)日：1994-08-19

申请号：KR1019940001233

申请日：1994-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 니시미쓰오 ,  신도나오키 ,  야마구치가즈야

IPC: H01L21/304

公开(公告)号：KR101191549B1

公开(公告)日：2012-10-15

申请号：KR1020070024996

申请日：2007-03-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베즈카사 ,  신도나오키 ,  후루카와다카히로 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B08B3/12 ,  B01F15/00207 ,  B01F15/0022 ,  B01F15/0429 ,  B08B3/00 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/67057

Abstract: 본 발명은, 피처리 기판의 전면으로부터 파티클을 높은 제거 효율로 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공한다. 본 발명에 의한 기판 세정 방법에 있어서, 피처리 기판(W)은 세정조(12)에 저류된 세정액 속에 침지된다. 이어서, 상기 세정조(12) 내의 세정액에 초음파가 발생되게 되어, 피처리 기판(W)이 초음파 세정된다. 피처리 기판(W)이 세정되는 동안, 세정조 내의 세정액에 용해된 가스의 용존 농도를 변화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR101061946B1

公开(公告)日：2011-09-05

申请号：KR1020070030913

申请日：2007-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와타나베츠카사 ,  신도나오키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  B08B3/048 ,  B08B3/12

Abstract: 본 발명은 피처리 기판의 전면으로부터 높은 제거 효율로 파티클을 제거할 수 있는 기판 세정 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 피처리 기판(W)은 세정조(12)에 저류(貯留)된 세정액 내에 침지된다. 다음으로, 상기 세정조(12) 내부의 세정액에 초음파가 발생되고, 피처리 기판(W)이 초음파 세정된다. 이 초음파를 발생시키는 공정은 세정조 내부에 세정액을 공급하면서 상기 세정조 내부에 초음파를 발생시키는 공정을 포함하고 있다. 상기 초음파를 발생시키는 공정 중의 타이밍에 있어서의 상기 세정조 내부에의 상기 세정액의 단위 시간당 공급량과, 상기 초음파를 발생시키는 공정 중의 별도의 타이밍에 있어서의 상기 세정조 내부에의 상기 세정액의 단위 시간당 공급량은 상이하다.

Abstract translation: 本发明的目的在于提供一种能够从被处理基板的表面以高去除效率除去粒子的基板清洁方法。 基板W浸渍在清洗槽12内的清洗液中。 接着，在清洗槽12内的清洗液中产生超声波，对基板W进行超声波清洗。 产生超声波的步骤包括在向清洗槽内供应清洗液的同时在清洗槽内产生超声波的步骤。 其中在产生每清洗液体在清洗液中的内部的小时供应单元清洁罐内部的超声波清洗槽的步骤的定时，并产生超声波的步骤的一个单独的定时的单位时间量 是不同的。

公开(公告)号：KR100899609B1

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：KR1020010086491

申请日：2001-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 신도나오키 ,  이이노타다시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 이 기판처리장치는 밀폐된 처리용기(10)내에 수용된 웨이퍼(W)에 오존가스와 수증기를 공급하여, 웨이퍼(W)를 처리하는 기판처리장치에 있어서, 처리용기(10)내에 오존가스를 공급하는 오존가스생성수단(40)과, 처리용기(10)내에 수증기를 공급하는 수증기생성수단(30)과, 처리용기(10)내에 배설되면서, 수증기생성수단(30)에 접속되는 수증기공급노즐(35)을 구비하여, 수증기공급노즐(35)은, 적당간격을 두고 설치되는 복수의 수증기분사공(35f)을 갖는 노즐본체(35a)와, 이 노즐본체(35a)내의 수증기의 결로를 방지하는 히터(35h)를 구비하고, 밀폐된 처리용기내에서의 입자 등의 발생원과 세정(에칭)번짐 등의 원인이 되는 용매증기의 결로를 억제하여, 처리효율의 향상을 꾀할 수 있는 기술을 제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法，衬底处理装置包括：基板处理来处理臭氧气体，并通过包含在封闭处理容器10的晶片（W）上供给水蒸汽，将晶片（W） 该设备包括用于将臭氧气体供应到处理容器10中的臭氧气体生成装置40，用于供应处理容器10中的水蒸气的蒸汽生成装置30， 与水蒸汽产生装置30连接的水蒸汽供应喷嘴35.水蒸气供应喷嘴35包括具有以适当间隔设置的多个蒸汽喷射孔35f的喷嘴体35a， 另外，为了抑制密封处理容器内的微粒等的产生，以及引起清洗（蚀刻）的溶剂蒸汽的结露，防止喷嘴主体35a内的水蒸气冷凝的加热器35h， 并提供了能够提高处理效率的技术。