公开(公告)号：KR1020110098619A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020110013287

申请日：2011-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01F1/36 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68792

Abstract: 공급 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 유로에 설치된 차압식 유량계의 유량의 계측치가 참값에서 이탈된 것을 용이하게 검지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 처리액을 공급하는 공급 유로에 설치된 차압식 유량계를 개재하여 접속된 공급 노즐에 의해 기판에 처리액을 공급하고, 공급된 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판으로 처리액을 공급하지 않을 때 공급 유로 내의 압력치를 차압식 유량계 내의 압력 계측부에 의해 계측하는 계측 공정(S15)과, 계측 공정(S15)을 행하여 계측한 압력치와 소정의 압력치를 비교함으로써 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있는지를 판정하는 판정 공정(S16)과, 판정 공정(S16)에서 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있다고 판정했을 때 기판으로 처리액을 공급하는 공급 공정(S11)을 가진다.

公开(公告)号：KR101412095B1

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：KR1020110013287

申请日：2011-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01F1/36 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68792

Abstract: 공급 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 유로에 설치된 차압식 유량계의 유량의 계측치가 참값에서 이탈된 것을 용이하게 검지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 처리액을 공급하는 공급 유로에 설치된 차압식 유량계를 개재하여 접속된 공급 노즐에 의해 기판에 처리액을 공급하고, 공급된 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판으로 처리액을 공급하지 않을 때 공급 유로 내의 압력치를 차압식 유량계 내의 압력 계측부에 의해 계측하는 계측 공정(S15)과, 계측 공정(S15)을 행하여 계측한 압력치와 소정의 압력치를 비교함으로써 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있는지를 판정하는 판정 공정(S16)과, 판정 공정(S16)에서 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있다고 판정했을 때 기판으로 처리액을 공급하는 공급 공정(S11)을 가진다.

公开(公告)号：KR1019980024897A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019970048412

申请日：1997-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  다니야마히로키 ,  야마사카미야코

IPC: C23F1/24

Abstract: 박막의 습식 에칭방법은, (a) 박막의 종류와, 약액의 성분과, 온도로서 규정되는 박막의 에칭레이트를 미리 설정하여 두는 공정과, (b) 박막형성면이 위를 향하도록 기판을 스핀척 상에 재치하는 공정과, (c) 박막의 막두께를 적어도 기판의 둘레 가장자리부와 중앙부에서 각각 검출하는 공정과, (d) 상기 공정 (a)에서 설정해 둔 박막의 에칭레이트와, 상기 공정 (c)에서 얻어진 막두께 검출정보에 의거하여 노즐의 이동속도를 통과지점마다 연산에 의해 각각 구하는 공정과, (e) 스핀척에 의해 기판을 회전시키는 공정과, (f) 회전중인 기판의 박막형성면으로 향하여 노즐로부터 약액을 토출공급하면서 상기 공정 (d)에서 구한 각 통과지점마다의 이동속도로 되도록 노즐의 이동속도를 제어하여, 노즐을 기판의 반경방향으로 스캔 이동시키는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101478859B1

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020100118159

申请日：2010-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치의 각 액 처리 유닛에 처리액을 공급할 때에 유량의 정밀도를 떨어뜨리지 않고 유량 제어 기구를 통합할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
처리액이 흐르는 공급 유로(68a)와, 공급 유로(68a)에 처리액을 공급하는 처리액 공급부(70)와, 공급 유로(68a) 상에 설치되고, 공급 유로(68a)의 유량을 제어하는 유량 제어 기구(131)와, 유량 제어 기구(131)의 하류측에 접속되는 제1 경로(68c) 또는 제1 경로(68c)와 평행하게 접속되는 제2 경로(68d)로 전환하는 전환 기구(135)를 갖는다. 유량 제어 기구(131)는 공급 유로(68a)의 유량을 계측하는 유량 계측부(132)와, 내부에 개폐 가능한 밸브를 구비한 유량 제어 밸브(133)와, 유량 설정값(FS)과 유량 계측값(FM)이 같아지도록, 유량 제어 밸브(133)를 제어하는 유량 제어부(134)를 갖는다.

公开(公告)号：KR100342882B1

公开(公告)日：2002-10-25

申请号：KR1019970048412

申请日：1997-09-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  요네미즈아키라 ,  다니야마히로키 ,  야마사카미야코

IPC: C23F1/24

Abstract: 박막의 습식 에칭방법은, (a) 박막의 종류와, 약액의 성분과, 온도로서 규정되는 박막의 에칭레이트를 미리 설정하여 두는 공정과, (b) 박막형성면이 위를 향하도록 기판을 스핀척 상에 재치하는 공정과, (c) 박막의 막두께를 적어도 기판의 둘레 가장자리부와 중앙부에서 각각 검출하는 공정과, (d) 상기 공정 (a)에서 설정해 둔 박막의 에칭레이트와, 상기 공정 (c)에서 얻어진 막두께 검출정보에 의거하여 노즐의 이동속도를 통과지점마다 연산에 의해 각각 구하는 공정과, (e) 스핀척에 의해 기판을 회전시키는 공정과, (f) 회전중인 기판의 박막형성면으로 향하여 노즐로부터 약액을 토출공급하면서 상기 공정 (d)에서 구한 각 통과지점마다의 이동속도로 되도록 노즐의 이동속도를 제어하여, 노즐을 기판의 반경방향으로 스캔 이동시키는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101197813B1

公开(公告)日：2012-11-05

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: 본 발명은 처리실을 밀폐시키지 않고서 처리실로부터의 가스의 누설을 방지하여, 기판 이면측에 가스가 감도는 것을 억제하는 것이다.
용기 본체(2)의 상부측 개구부를 덮개(3)로 덮음으로써 처리실(20)을 형성하고, 상기 처리실(20)의 중앙 상부로부터 상기 적재대(4) 상의 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하는 한편, 처리 가스 배기로에 의해, 상기 웨이퍼(W)보다도 외측으로부터 처리실(20) 안을 배기한다. 또한 상기 용기 본체(2)의 주연부와 상기 덮개(3)의 주연부의 사이에 형성된 버퍼실(7)에 퍼지 가스 공급로(71)로부터 퍼지 가스를 공급한다. 상기 처리 가스의 공급 유량은 상기 처리 가스 배기로에서의 배기 유량보다 작게 설정되어 있기 때문에, 이들의 유량의 차에 의해 생긴 처리실(20) 내의 부압에 의해, 버퍼실(7) 내의 퍼지 가스가, 상기 용기 본체(2)와 덮개(3)의 간극으로 이루어지는 퍼지 가스 공급구(74)를 통해 처리실(20)에 인입된다.

公开(公告)号：KR1020090012049A

公开(公告)日：2009-02-02

申请号：KR1020080052573

申请日：2008-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구도히로유키 ,  모리히데토 ,  오카다신지 ,  츠루다도요히사

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: A substrate processing device is provided to prevent the gas leakage within the process chamber by supplying the purge gas from the gap of the peripheral part of the process chamber into the process chamber. The upper side opening of the enclosure body(2) is covered with the cover(3). The process chamber(20) is for supplying the process gas to the wafer (W) on the loading table(4). The process gas exhaust duct(81) exhausts the gas within the process chamber. The buffer room(7) is formed between the peripheral part of the enclosure body and the peripheral part of cover. The fuzzy gas supply furnace(71) supplies the purge gas. The supply flux of the process gas is smaller than the exhaust flux of the process gas exhaust duct.

Abstract translation: 提供了一种衬底处理装置，用于通过将处理室的周边部分的间隙中的净化气体供应到处理室来防止处理室内的气体泄漏。 外壳主体（2）的上侧开口被盖（3）覆盖。 处理室（20）用于将处理气体供应到装载台（4）上的晶片（W）。 处理气体排出管道（81）排出处理室内的气体。 缓冲室（7）形成在外壳主体的周边部分和盖的周边部分之间。 模糊气体供给炉（71）供给净化气体。 工艺气体的供给通量小于工艺气体排气管的排气通量。

公开(公告)号：KR100299114B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019950034071

申请日：1995-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  아키모토마사미 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/68

Abstract: 복수의 처리위치에서 피반송기판의 받음 및 받아넘김을 하고, 상기 처리위치 사이에서 피 반송기판을 반송하는 기판반송장치는, 장치본체와; 기판을 지지하여 반송하며, 상기 장치본체에 지지된 제 1 끝단부 및 장치본체에 구속되지 않은 제 2 끝단부를 가지고, 동일평면 내에서 복수의 다른 지지위치에서 기판을 지지하는 복수의 지지수단을 구비하며, 이 지지수단은 기판이 그에 대응하는 지지위치 이외의 지지위치에 있는 경우에는 상기 기판에 접촉하지 않고, 인접하는 지지위치에서의 상기 기판의 존재영역은 서로 일부 오버랩하고 있으며, 기판의 외주 끝단부의 서로 마주보는 위치에서 기판을 지지하는 제 1 및 제 2 지지부를 가지는 반송아암부재와; 상기 반송아암부재에 대한 상기 기판의 받고 받아넘김 동작을 하기 위해 반송아암부재를 이동하는 이동수단과; 상기 반송아암부재를 상기 동일평면 내에서 평행이동 시프트시키는 것에 의해 상기 복수의 다른 지지위치 사이에서 상기 제 1지지부재와 제 2지지부재를 전환하는 전환수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020110065340A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：KR1020100118159

申请日：2010-11-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67017

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, a recording media for a program implementing the method are provided to maintain the accuracy of the flow rate when processing liquid is supplied into processing units and integrates components for a flow rate controlling unit. CONSTITUTION: A processing liquid supplying part(70) supplies processing liquid to a supplying flow path(68a). A flow rate controlling unit(131) controls the flow rate of the supplying flow path. The flow rate controlling unit includes a flow rate measuring part(132), a flow rate controlling valves(133), a flow rate setting value and flow rate controlling part(134). A converting unit implements a converting operation between a first flow path(68c) and a second flow path(68d).

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法，用于执行该方法的程序的记录介质，以在将处理液体供应到处理单元中时保持流量的精度并且对流量控制单元进行积分。 构成：处理液供给部（70）向供给流路（68a）供给处理液。 流量控制单元（131）控制供给流路的流量。 流量控制单元包括流量测量部（132），流量控制阀（133），流量设定值和流量控制部（134）。 转换单元在第一流路（68c）和第二流路（68d）之间实现转换操作。

公开(公告)号：KR1019960015840A

公开(公告)日：1996-05-22

申请号：KR1019950034071

申请日：1995-10-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론큐우슈우가부시끼가이샤

Inventor： 우에다잇세이 ,  아키모토마사미 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/68

Abstract: 복수의 처리위치에서 피반송기판의 받음 및 받아넘김을 하며, 이들 처리위치 사이에서 피반송기판을 반송하는 반송장치는, 장치본체와; 동일평면 내의 서로 다른 위치에서 기판을 지지하는 복수의 지지부를 가지며, 장치본체에 이동가능하게 설치되어 피반송기판을 지지하고 반송하는 반송부재와; 반송부재에 대한 상기 기판의 받고 받아넘김 동작을 하기 위해 반송부재를 이동하는 이동기구와; 반송부재의 위치를, 상기 각 지지부로 상기 기판의 받음 및 받아넘김을 하기 위한 복수의 위치 사이에서 전환하는 전환기구를 구비한다.