公开(公告)号：KR1020040058053A

公开(公告)日：2004-07-03

申请号：KR1020030096184

申请日：2003-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: PURPOSE: A film processing method and a film processing apparatus are provided to improve a film characteristic of an object to be processed by illuminating an electron beam on a surface of the object to be processed with uniform intensity. CONSTITUTION: A film-processing apparatus includes a processing unit(1), an electric-current sensor(21), an electric-current measuring unit(22), a calculating unit(23), and a detecting unit(20). The processing unit irradiates electron beams onto a film on a surface of an object to be processed to conduct a process to the film. The electric-current sensor captures the electron beams as an electric-current in a vicinity of the object to be processed. The electric-current measuring unit measures an electric-current value of the electric-current captured by the electric-current sensor. The calculating unit calculates an amount of electron by means of a time integration of the electric-current value. The detecting unit detects an end point of the process to the film based on the amount of electron.

Abstract translation: 目的：提供一种胶片处理方法和胶片处理装置，通过以均匀的强度照射待加工物体的表面上的电子束来改善待处理物体的胶片特性。 构成：胶片处理装置包括处理单元（1），电流传感器（21），电流测量单元（22），计算单元（23）和检测单元（20）。 处理单元将电子束照射到被处理物体的表面上的膜上，以对膜进行处理。 电流传感器将电子束作为处理对象附近的电流捕获。 电流测量单元测量由电流传感器捕获的电流的电流值。 计算单元通过电流值的时间积分来计算电子量。 检测单元基于电子量检测膜的处理的终点。

公开(公告)号：KR1020080088452A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：KR1020080028259

申请日：2008-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  오니시다다시 ,  노나카료 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: A substrate processing system and a substrate cleaning apparatus are provided to remove fully bevel polymers by injecting a cleaning material and a high-temperature gas. A process module(15) includes a chamber(38) for receiving a wafer(W), a stage(39) arranged at a bottom part within the chamber, a shower head(40) facing the stage, and exhaust hole(41) for exhausting gas of the chamber. The wafer is loaded on the stage. The shower head is arranged in a ceiling part of the chamber. The stage includes a plurality of pusher pins(42) and a plurality of cleaning agent injection holes(43). The cleaning agent injection holes are connected to a cleaning agent supply tube(45) through a cleaning agent vibration unit(44). The cleaning agent supply tube is connected to a cleaning agent supply unit through a pulse generator(47) including a heater(46) and a valve. The shower head includes a buffer chamber(48) connected to a down flow gas supply tube(49). The shower head is connected to the chamber through a plurality of through-holes(50).

Abstract translation: 提供基板处理系统和基板清洁装置，以通过注入清洁材料和高温气体来去除完全斜角的聚合物。 一种处理模块（15）包括用于接收晶片（W）的腔室（38），布置在腔室内的底部的台部（39），面向舞台的喷头（40）和排气孔（41） 用于排出室的气体。 晶片装载在平台上。 淋浴头布置在房间的顶部。 舞台包括多个推杆（42）和多个清洁剂注入孔（43）。 清洁剂注入孔通过清洁剂振动单元（44）连接到清洁剂供给管（45）。 清洗剂供给管通过包括加热器（46）和阀的脉冲发生器（47）连接到清洁剂供给单元。 淋浴头包括连接到下流气体供应管（49）的缓冲室（48）。 淋浴头通过多个通孔（50）连接到腔室。

公开(公告)号：KR101019901B1

公开(公告)日：2011-03-04

申请号：KR1020100023924

申请日：2010-03-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  후지이히로시

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H05B3/143

Abstract: 동일 처리실 내에서, 기판을 급속하게 가열 또는 냉각할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.
처리실(41) 내에서 기판(W)을 처리하는 장치(22)로서, 처리실(41) 내에서 기판(W)을 지지하는 지지 부재(47)와, 지지 부재(47)에 열적으로 접촉하는 제 1 온도 조절 부재(75)와, 지지 부재(47)에 대하여 열적으로 접촉 및 격리 가능한 제 2 온도 조절 부재(80)를 갖고, 제 1 온도 조절 부재(75)와 제 2 온도 조절 부재(80)는 서로 다른 온도로 온도 조절된다. 제 2 온도 조절 부재(80)를 지지 부재(47)에 대하여 열적으로 접촉 및 격리시킴으로써, 지지 부재(47)에 지지된 기판(W)을 급속하게 가열 또는 냉각하는 것이 가능하게 된다.

Abstract translation: 提供了一种能够在同一处理室中快速加热或冷却基板的基板处理装置和基板处理方法。

公开(公告)号：KR101011528B1

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：KR1020080028259

申请日：2008-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  오니시다다시 ,  노나카료 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 본 발명은 기판의 이면이나 주연부에 부착된 이물질을 완전히 제거할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다. 기판 처리 시스템(10)이 구비하는 기판 세정 장치로서의 프로세스 모듈(15)은 웨이퍼(W)를 수용하는 챔버(38)와, 상기 챔버(38) 내의 바닥부에 배치되어 웨이퍼(W)를 탑재하는 스테이지(39)와, 챔버(38) 내의 천장부에 배치되어 스테이지(39)에 대향하는 샤워 헤드(40)를 구비하고, 스테이지(39)는 웨이퍼(W)의 이면이나 주연부를 향하여 액상 및 기상의 2개의 상 상태를 띠는 세정 물질, 예컨대, 순수와, 불활성 가스, 예컨대, 질소 가스가 혼합된 세정제를 분출하고, 샤워 헤드(40)는 웨이퍼(W)의 표면을 향한 다운 플로우를 발생시킨다.

公开(公告)号：KR100643666B1

公开(公告)日：2006-11-10

申请号：KR1020050101545

申请日：2005-10-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부 ,  혼다미노루 ,  미츠오카가즈유키 ,  이와시타미츠아키

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02351 ,  C23C16/56 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/3156 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/312 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67253

Abstract: 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템은 복수의 전자빔 관으로부터 피 처리체에 형성된 막으로 전자빔을 조사하여 막두께를 맞추며, 상기 공정에서 상기 복수의 전자빔 관 각각의 출력 또는 조사 시간을 상기 막두께의 분포에 따라 개별적으로 제어한다. 또한, 박막 처리 방법 및 박막 처리 시스템에 의해 피 처리체의 막에 대전된 전하가 제거된다.

公开(公告)号：KR100576402B1

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：KR1020030096184

申请日：2003-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오니시다다시 ,  하마마나부

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/26 ,  H01J37/304 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/2482 ,  H01J2237/30466 ,  H01J2237/3156

Abstract: 본 발명의 막 처리 방법은, 피처리체 표면의 막에 전자빔을 조사하여 상기 막을 처리하는 처리 공정과, 상기 처리 공정 중에서, 상기 피처리체의 근방에서 전자빔을 포착하여 전류값으로서 측정하는 전류 측정 공정과, 상기 전류값을 시간 적분하여 얻어지는 전자량에 근거하여 막 처리의 종점을 검출하는 검출 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 막 처리 방법이다. 본 발명에 따르면, 피처리체의 막에 대한 전자빔의 과부족(過不足)없는 조사가 실현되어, 적정한 막질을 얻을 수 있다.