公开(公告)号：KR101020357B1

公开(公告)日：2011-03-08

申请号：KR1020080106009

申请日：2008-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노나카료 ,  무라카미고이치

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G05D23/1934

Abstract: 탑재대에 탑재된 피처리 기판을 복수의 영역으로 나누고, 각 영역에서의 탑재대와 기판간의 열의 수수량을 바꾸어, 영역마다 기판의 온도를 조절하는 수단을 제공한다.
피처리 기판을 영역별로 소정의 온도로 조절하기 위한 온도 계통별의 온도 조절부를 복수 구비한 탑재대와, 이 온도 조절부를 지나 온도 계통별로 유체가 순환해서 흐르는 순환 유로와, 순환 유체보다 높은 온도의 가열 유체가 흐르는 가열 유로와, 순환 유체보다 낮은 온도의 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 마련하고, 탑재대의 근방에서 순환 유로와 가열 유로와 냉각 유로의 유체를 온도 계통별로 합류시키는 동시에, 상기 온도 조절부에 출력하는 유체의 각 유로로부터의 유량비를 조절하는 유량 조절 수단을 포함하는 합류부를 구비한 피처리 기판의 온도 조절 장치.

公开(公告)号：KR1019970003611A

公开(公告)日：1997-01-28

申请号：KR1019960025037

申请日：1996-06-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오가사와라마사히로 ,  노나카료 ,  고바야시요시유키

IPC: H01L21/3065

Abstract: 정전 척에 플러스 직류 전압을 인가함으로써, 발생하는 정전기력을 이용하여 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키는 한편, 처리실내에 처리 가스를 공급하면서 플라즈마를 발생시키고, 웨이퍼에 대해 플라즈마 처리를 시행한다. 처리를 한 웨이퍼를 정전 척상으로부터 떼어낸 후, 다음의 웨이퍼를 정전 척상에 흡착시키기 전에, 처리실 내에 질소 가스를 도입한 상태에서, 정전 척에 대해 마이너스의 직류 전압을 인가하여 직류 방전시킨다. 이에 의해, 기체속의 전하가 정전 척에 이끌려 정전 척의 표면이 플러스로 대전하고, 흡착 불량이 발생하지 않게 된다.

公开(公告)号：KR1020090045857A

公开(公告)日：2009-05-08

申请号：KR1020080106009

申请日：2008-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노나카료 ,  무라카미고이치

IPC: H01L21/324

CPC classification number: G05D23/1934

Abstract: 탑재대에 탑재된 피처리 기판을 복수의 영역으로 나누고, 각 영역에서의 탑재대와 기판간의 열의 수수량을 바꾸어, 영역마다 기판의 온도를 조절하는 수단을 제공한다.
피처리 기판을 영역별로 소정의 온도로 조절하기 위한 온도 계통별의 온도 조절부를 복수 구비한 탑재대와, 이 온도 조절부를 지나 온도 계통별로 유체가 순환해서 흐르는 순환 유로와, 순환 유체보다 높은 온도의 가열 유체가 흐르는 가열 유로와, 순환 유체보다 낮은 온도의 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로를 마련하고, 탑재대의 근방에서 순환 유로와 가열 유로와 냉각 유로의 유체를 온도 계통별로 합류시키는 동시에, 상기 온도 조절부에 출력하는 유체의 각 유로로부터의 유량비를 조절하는 유량 조절 수단을 포함하는 합류부를 구비한 피처리 기판의 온도 조절 장치.

公开(公告)号：KR100742487B1

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020017008130

申请日：1999-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다구치치히로 ,  노나카료

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 도전성 재료로 이루어지는 기대(2)와, 이 기대(2)상에 마련되어, 웨이퍼(W)가 탑재되는 유전체층(4) 및 이 유전체층(4)의 내부에 기대(2)와는 전기적으로 절연하여 마련된 전극(5)을 갖는 정전 흡착 부재(3)와, 전극(5)에 한쪽 단부가 접속된 제 1 배선(7)과, 제 1 배선 (7)의 다른쪽 단부에 접속된 직류 전원(8)과, 기대(2)에 한쪽 단부가 접속된 제 2 배선(10)과, 제 2 배선(10)의 다른쪽 단부에 접속된 고주파 전원(11)과, 제 1 배선(7)과 제 2 배선(10)을 접속하는 제 3 배선(14)과, 제 3 배선(14)상에 마련된 캐패시터(13)에 의해 하부 전극 구조(1)가 구성된다. 이 하부 전극 구조(1)가 챔버(21)내에 배치되어, 플라즈마 처리가 행해진다.

公开(公告)号：KR1020010099955A

公开(公告)日：2001-11-09

申请号：KR1020017008130

申请日：1999-12-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다구치치히로 ,  노나카료

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 도전성 재료로 이루어지는 기대(2)와, 이 기대(2)상에 마련되어, 웨이퍼(W)가 탑재되는 유전체층(4) 및 이 유전체층(4)의 내부에 기대(2)와는 전기적으로 절연하여 마련된 전극(5)을 갖는 정전 흡착 부재(3)와, 전극(5)에 한쪽 단부가 접속된 제 1 배선(7)과, 제 1 배선 (7)의 다른쪽 단부에 접속된 직류 전원(8)과, 기대(2)에 한쪽 단부가 접속된 제 2 배선(10)과, 제 2 배선(10)의 다른쪽 단부에 접속된 고주파 전원(11)과, 제 1 배선(7)과 제 2 배선(10)을 접속하는 제 3 배선(14)과, 제 3 배선(14)상에 마련된 캐패시터(13)에 의해 하부 전극 구조(1)가 구성된다. 이 하부 전극 구조(1)가 챔버(21)내에 배치되어, 플라즈마 처리가 행해진다.

公开(公告)号：KR1020090020499A

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：KR1020080081728

申请日：2008-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하야시다이스케 ,  노나카료

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683

CPC classification number: F15B15/24 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68792

Abstract: A mechanism for varying a cylinder stop position and a substrate processing apparatus including same are provided to remarkably reduce the generation of dust by decreasing the vibration caused by the elevation. A stopper(109) is fitted on a shaft(108). A pair of limiters(110a,110b) stop the movement of piston(107) by contacting with the stopper. A limiter transfer mechanism varies the limiter location. The cylinder is driven by the fluid pressure. The limiter transfer mechanism is prepared at a pair of limiter and independently control the position. The limiter transfer mechanism is controlled by the motor. The limiter transfer mechanism comprises a sensor(117) detecting the location of limiter. The limiter transfer mechanism comprises the sensor for detecting the location of stopper.

Abstract translation: 提供了用于改变气缸停止位置的机构和包括其的基板处理设备，以通过减小由高度引起的振动来显着地减少灰尘的产生。 止动件（109）安装在轴（108）上。 一对限制器（110a，110b）通过与止动器接触来停止活塞（107）的运动。 限制器传输机制改变了限制器的位置。 气缸由流体压力驱动。 限制器传送机构在一对限制器上准备并独立地控制位置。 限位器传送机构由电机控制。 限制器传送机构包括检测限位器的位置的传感器（117）。 限位器传送机构包括用于检测挡块位置的传感器。

公开(公告)号：KR1020080088452A

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：KR1020080028259

申请日：2008-03-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모리야츠요시 ,  오니시다다시 ,  노나카료 ,  니시무라에이치

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: A substrate processing system and a substrate cleaning apparatus are provided to remove fully bevel polymers by injecting a cleaning material and a high-temperature gas. A process module(15) includes a chamber(38) for receiving a wafer(W), a stage(39) arranged at a bottom part within the chamber, a shower head(40) facing the stage, and exhaust hole(41) for exhausting gas of the chamber. The wafer is loaded on the stage. The shower head is arranged in a ceiling part of the chamber. The stage includes a plurality of pusher pins(42) and a plurality of cleaning agent injection holes(43). The cleaning agent injection holes are connected to a cleaning agent supply tube(45) through a cleaning agent vibration unit(44). The cleaning agent supply tube is connected to a cleaning agent supply unit through a pulse generator(47) including a heater(46) and a valve. The shower head includes a buffer chamber(48) connected to a down flow gas supply tube(49). The shower head is connected to the chamber through a plurality of through-holes(50).

Abstract translation: 提供基板处理系统和基板清洁装置，以通过注入清洁材料和高温气体来去除完全斜角的聚合物。 一种处理模块（15）包括用于接收晶片（W）的腔室（38），布置在腔室内的底部的台部（39），面向舞台的喷头（40）和排气孔（41） 用于排出室的气体。 晶片装载在平台上。 淋浴头布置在房间的顶部。 舞台包括多个推杆（42）和多个清洁剂注入孔（43）。 清洁剂注入孔通过清洁剂振动单元（44）连接到清洁剂供给管（45）。 清洗剂供给管通过包括加热器（46）和阀的脉冲发生器（47）连接到清洁剂供给单元。 淋浴头包括连接到下流气体供应管（49）的缓冲室（48）。 淋浴头通过多个通孔（50）连接到腔室。

公开(公告)号：KR100349064B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。

公开(公告)号：KR101672859B1

公开(公告)日：2016-11-04

申请号：KR1020100099915

申请日：2010-10-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키야스하루 ,  노나카료 ,  나가야마노부유키

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67248 ,  H01L21/67109

Abstract: 기판의온도상승을신속하게행할수 있고, 열에너지의손실을저감할수 있는기판재치대의온도제어시스템을제공한다. 히터유닛(14)과열 매체유로(15)를내장하고, 플라즈마에칭처리가실시되는웨이퍼(W)를재치하는서셉터(12)의냉매순환시스템은, 열매체유로(15)에접속되어비교적저온의냉매를열 매체유로(15)로공급하는냉매공급장치(20)와, 열매체유로(15)와냉매공급장치(20)의사이에배치되고비교적고온의고온매체를저장하는고온매체저장탱크(21)와, 냉매공급장치(20) 및고온매체저장탱크(21)와열 매체유로(15)의사이에배치되고, 서셉터(12)의온도를상승시킬때에냉매공급장치(20)로부터열 매체유로(15)로의냉매의공급을정지하고, 또한고온매체저장탱크(21)로부터열 매체유로(15)로고온매체를공급하는제 1 밸브군(23)을구비한다.

Abstract translation: 温度控制系统包括：传热介质供给，其构造成将第一温度的第一传热介质供给到传热介质路径中; 设置在传热介质路径和传热介质之间的至少一个传热介质存储器供应并构造成存储第二温度高于第一温度的第二传热介质; 传热介质供给控制装置，设置在所述传热介质供给与所述传热介质路径之间，以及所述传热介质储存部和所述传热介质路径之间，并且被配置为停止向所述传热介质供给所述第一传热介质 并且当加热单元产生热量时，从传热介质储存器将第二传热介质供应到传热介质路径中。

公开(公告)号：KR1020140044862A

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：KR1020147001311

申请日：2012-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노나카료

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67103 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

Abstract: 재치대의 면내 전체의 설정 온도에 대하여 면내의 원하는 부위만을 국부적으로 설정 온도보다 높게 하거나 낮게 할 수 있도록 한다. 재치대(200) 내에 그 면내 전체에 걸쳐 형성한 주 유로(320)와, 재치대 내에 주 유로의 상측에 이간하여 재치대의 면내 일부에 형성한 보조 유로(330)와, 소정의 설정 온도로 조정한 온조 매체를 주 유로로 공급하여 순환시키고, 또한 그 온조 매체를 분류시켜, 또한 상기 설정 온도보다 높은 온도 또는 낮은 온도로 조정한 다음 보조 유로로 공급하여 순환시키는 온조 매체 순환 기구를 설치했다.