公开(公告)号：KR1020080003383A

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020077025080

申请日：2006-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션

Inventor： 이게타마사노부 ,  와즈다코리 ,  오메아라데이비드엘 ,  쉬어크리스튼 ,  후루카와도시하라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC classification number: C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662

Abstract: The present invention generally provides a method for preparing an oxynitride film on a substrate. A surface of the substrate is exposed to oxygen radicals formed by ultraviolet (UV) radiation induced dissociation of a first process gas comprising at least one molecular composition comprising oxygen to form an oxide film on the surface. The oxide film is exposed to nitrogen radicals formed by plasma induced dissociation of a second process gas comprising at least one molecular composition comprising nitrogen using plasma based on microwave irradiation via a plane antenna member having a plurality of slits to nitridate the oxide film and form the oxynitride film.

Abstract translation: 本发明通常提供了在基板上制备氮氧化物膜的方法。 衬底的表面暴露于通过紫外线（UV）辐射诱导的包含至少一种包含氧的分子组合物的第一工艺气体的解离形成的氧自由基，以在表面上形成氧化膜。 氧化物膜暴露于通过等离子体诱导的包含至少一种包含氮的分子组合物的等离子体诱导解离形成的氮自由基，该等分子组合物基于微波照射经由具有多个狭缝的平面天线构件的等离子体来氮化氧化膜并形成 氧氮化物膜。

公开(公告)号：KR100641762B1

公开(公告)日：2006-11-06

申请号：KR1020047000890

申请日：2002-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 고주파 플라즈마에 의해 질소 라디칼을 형성하고, 산소를 포함하는 절연막 표면에 상기 질소 라디칼을 공급함으로써 상기 절연막 표면을 질화시킨다. 상기 산소를 포함하는 절연막은 0.4nm 이하의 막 두께를 갖고, 상기 표면이 질화된 질화막 상에 고유전체막이 형성된다. 또한, 상기 질소 라디칼은 상기 절연막의 표면을 따라 흐르도록 형성된 기체의 흐름에 의해 제공된다.

公开(公告)号：KR1020040017338A

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：KR1020047000890

申请日：2002-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/482 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/316 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67017 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 고주파 플라즈마에 의해 질소 라디칼을 형성하고, 산소를 포함하는 절연막 표면에 상기 질소 라디칼을 공급함으로써 상기 절연막 표면을 질화시킨다. 상기 산소를 포함하는 절연막은 0.4nm 이하의 막 두께를 갖고, 상기 표면이 질화된 질화막 상에 고유전체막이 형성된다. 또한, 상기 질소 라디칼은 상기 절연막의 표면을 따라 흐르도록 형성된 기체의 흐름에 의해 제공된다.

Abstract translation: 氮化绝缘膜的方法包括以下步骤：通过高频等离子体形成氮自由基，并且通过将氮自由基供应到绝缘膜的表面，在其中含有氧的绝缘膜的表面中引起氮化。 ＆lt;图像＆GT; ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020080002908A

公开(公告)日：2008-01-04

申请号：KR1020077025198

申请日：2006-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와즈다코리 ,  이게타마사노부 ,  레우싱크게르트

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56

Abstract: A method for preparing an interfacial layer for a high-k dielectric layer on a substrate. A surface of said substrate is exposed to oxygen radicals formed by ultraviolet (UV) radiation induced dissociation of a first process gas comprising at least one molecular composition comprising oxygen to form an oxide film. The oxide film is exposed to nitrogen radicals formed by plasma induced dissociation of a second process gas comprising at least one molecular composition comprising nitrogen to nitridate the oxide film to form the interfacial layer. A high-k dielectric layer is formed on said interfacial layer.

Abstract translation: 一种制备用于衬底上的高k电介质层的界面层的方法。 所述衬底的表面暴露于由紫外线（UV）辐射引起的包含至少一种包含氧的分子组合物的第一工艺气体的解离形成的氧自由基以形成氧化膜。 将氧化膜暴露于通过包含至少一种包含氮的分子组合物的第二工艺气体的等离子体诱导解离而形成的氮自由基以氮化氧化物膜以形成界面层。 在所述界面层上形成高k电介质层。

公开(公告)号：KR100638931B1

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：KR1020037016484

申请日：2002-12-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시 ,  다카하시츠요시

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/302 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 기판 처리 방법은 실리콘 기판 표면으로부터 탄소를 제거하는 공정과, 상기 탄소가 제거된 실리콘 기판 표면을 평탄화하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060086398A

公开(公告)日：2006-07-31

申请号：KR1020067008883

申请日：2004-11-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이게타마사노부 ,  야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31662

Abstract: A method to solve such a problem that plasma will not ignite in restarting operation of a processing container that has not been operated with the inside kept drawn to vacuum. Gas containing oxygen is passed in a processing container (21), and ultraviolet light is irradiated to the gas while gas inside the processing container (21) is being discharged. After that, a remote plasma source (26) is driven to ignite plasma.

Abstract translation: 一种解决在没有被内部保持抽吸到真空中的处理容器的重新启动操作中等离子体不会点燃的问题的方法。 含有氧的气体通过处理容器（21），并且在处理容器（21）内的气体被排出时，对气体照射紫外线。 之后，驱动远程等离子体源（26）以点燃等离子体。

公开(公告)号：KR100597059B1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：KR1020037000941

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: A radical source is movably provided in a processing vessel holding a substrate, and the location or driving energy of the radical source is set such that the film formed on the substrate has a uniform thickness. Further, a radical source is provided at a first side of the substrate and a radical flow is formed such that the radical flow flows from the first side of the substrate surface to the other side. By optimizing the condition of the radical flow, the film formed on the substrate has a uniform thickness.

公开(公告)号：KR1020050106093A

公开(公告)日：2005-11-08

申请号：KR1020057016664

申请日：2003-12-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야마자키가즈요시 ,  아오야마신타로 ,  이게타마사노부 ,  신리키히로시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/3144 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02326

Abstract: It is intended to efficiently nitride an extremely thin oxide film or oxonitride film of 0.4 nm or less thickness while minimizing a film increase. In particular, oxygen radicals are generated through oxygen radical generating mechanism so as to oxidize a silicon substrate with the generated oxygen radicals, thereby forming an oxide film on the silicon substrate, and further nitrogen radicals are generated through nitrogen radical generating mechanism so as to nitride the surface of the oxide film, thereby forming an oxonitride film.

Abstract translation: 旨在有效地氮化极薄的氧化膜或氧氮化钛膜，其厚度为0.4nm或更小，同时使膜增加最小化。 特别地，通过氧自由基产生机制产生氧自由基，以便利用所产生的氧自由基氧化硅衬底，从而在硅衬底上形成氧化膜，并且通过氮自由基产生机制产生另外的氮自由基，从而氮化物 氧化膜的表面，从而形成氧氮化物膜。

公开(公告)号：KR100502557B1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：KR1020037003856

申请日：2001-09-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기류히데키 ,  다카하시츠요시 ,  아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/308 ,  C23C16/40 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67167 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: This method for film formation has a first step of forming a first insulation film, the essential component of which is a material having a first dielectric constant, on the surface of a semiconductor substrate and a second step of forming a second insulation film, the essential component of which is a material having a second dielectric constant larger than the first dielectric constant, on the first insulation film to be thicker than this first insulation film. Since the process of forming a film of a high dielectric constant material that constitutes the second insulation film is executed successively, following the formation of a barrier layer that is the first insulation film, it is possible to form a gate of a high dielectric constant material stable to the substrate.

公开(公告)号：KR1020050005566A

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：KR1020047020911

申请日：2001-07-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아오야마신타로 ,  신리키히로시 ,  이게타마사노부

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C23C16/482 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45589 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32321 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/67017

Abstract: 피처리 기판을 유지하는 처리 용기 안에 라디칼원을 이동 가능하게 설치하고, 상기 라디칼원의 위치 또는 구동 에너지를 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께가 균일하게 되도록 설정한다. 또한 피처리 기판의 한 쪽에 라디칼원을 설치하고, 피처리 기판 표면의 상기 한 쪽에서 다른 쪽으로 흐르는 라디칼류를 형성하고, 라디칼류의 조건을 최적화함으로써, 상기 피처리 기판 위에 형성되는 막의 막두께를 균일하게 한다.