公开(公告)号：KR1020090006769A

公开(公告)日：2009-01-15

申请号：KR1020080066984

申请日：2008-07-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠 ,  미야타니고타로

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/42 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203

Abstract: A method for depositing porous film and a computer-readable recording medium are provided to improve yield of a film by preventing particle generated in finishing deposition process. A substrate processing apparatus(11) is made of conductive material including Al etc with cathode oxidation process, and has a processing container(12) exhausted by an air exhauster(14) of a turbo molecular pump etc through an exhaust pipe. In the processing container, a susceptor(17) maintains a processed substrate(W), and is installed in a susceptor supporting table(16) of cylinder type. The susceptor is used as a bottom electrode of the substrate processing apparatus. An insulator(18) of ceramic etc is installed between the susceptor supporting table and the susceptor.

Abstract translation: 提供沉积多孔膜的方法和计算机可读记录介质，以通过防止在精加工沉积过程中产生的颗粒来提高膜的产率。 基板处理装置（11）由包含Al等的具有阴极氧化工艺的导电材料制成，并且具有通过排气管由涡轮分子泵等的排气器（14）排出的处理容器（12）。 在处理容器中，基座（17）保持经处理的基板（W），并安装在圆筒型的基座支撑台（16）中。 基座用作基板处理装置的底部电极。 陶瓷等的绝缘体（18）安装在基座支撑台和基座之间。

公开(公告)号：KR1020080003346A

公开(公告)日：2008-01-07

申请号：KR1020077023692

申请日：2007-01-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시마야스히로 ,  이데신지 ,  가시와기유사쿠 ,  미야타니고타로

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/31695 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633

Abstract: Surface of SiOCH film produced by plasma CVD technique using a raw material of organosilicon compound is subjected to oxygen plasma treatment to thereby form a surface densified layer and further subjected to hydrogen plasma treatment to thereby attain emission at controlled rate of CHx group and OH group through the surface densified layer from the SiOCH film lying under the surface densified layer. Thus, a porous film with low dielectric constant is stably formed.

Abstract translation: 对使用有机硅化合物的原料的等离子体CVD技术制造的SiOCH膜的表面进行氧等离子体处理，从而形成表面致密化层，进一步进行氢等离子体处理，由此以CHx基和OH基的控制速率发光 来自SiOCH膜的表面致密化层位于表面致密层下面。 因此，稳定地形成具有低介电常数的多孔膜。

公开(公告)号：KR1020050021475A

公开(公告)日：2005-03-07

申请号：KR1020057000687

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: 적어도 산소 및 수소를 포함하는 처리 가스의 존재하에서, 산소 및 수소에 근거하는 플라즈마를 전자 디바이스용 기재의 표면에 조사하여, 해당 전자 디바이스용 기재의 표면에 산화막을 형성한다. 산화막의 막두께 제어가 용이하고, 또한, 양질의 산화막을 부여하는 산화막 형성 방법 및 산화막 형성 장치, 및 이러한 양질의 산화막을 갖는 전자 디바이스 재료가 제공된다.

公开(公告)号：KR101152203B1

公开(公告)日：2012-06-15

申请号：KR1020090055994

申请日：2009-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  이데신지 ,  키쿠치요시유키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method for a semiconductor device, the method includes a process for forming an interlayer film on a substrate, a process for forming an opening in the interlayer, a process for forming a conductive layer which fills the opening, and a process for forming a cap film on the surface of the conductive layer. In the process for forming the cap film, a reduction process for the surface of the conductive layer and the forming of the film are performed simultaneously.

公开(公告)号：KR100930432B1

公开(公告)日：2009-12-08

申请号：KR1020077017648

申请日：2003-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타가와준이치 ,  이데신지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/31662

Abstract: In the presence of a process gas comprising at least an oxygen gas and a hydrogen gas, the surface of a substrate for electronic device is irradiated with plasma based on oxygen and hydrogen, to thereby form an oxide film on the substrate for electronic device. There is provided a process for forming an oxide film and an apparatus for forming oxide film which can provide a high-quality oxide film and can easily control the thickness of the oxide film, and a material for electronic device having such a high-quality oxide film.

Abstract translation: 在包含至少一种氧气和氢气的处理气体的存在下，用基于氧和氢的等离子体照射电子器件用基板的表面，从而在用于电子器件的基板上形成氧化物膜。 提供了一种形成氧化物膜的方法和形成氧化物膜的装置，该装置能够提供高质量的氧化物膜并且可以容易地控制氧化物膜的厚度，并且提供了具有这种高质量氧化物的电子装置用材料 电影。

公开(公告)号：KR100912321B1

公开(公告)日：2009-08-14

申请号：KR1020067010790

申请日：2004-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  이데신지 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 잔사 유기물나 자연 산화물을 충분히 제거할 수 있고, 또한, 비어홀의 측벽 절연막에 대미지를 가하는 일없이, k값에 악영향을 끼치는 일이 없는 반도체 기판 도전층 표면의 청정화 방법을 제공한다.
반도체 기판의 도전층(1) 표면 상에 절연막(2, 3)이 형성되고, 절연막(3)에는 도전층(1)의 일부를 노출하는 비어홀(4)이 형성된 반도체 장치를 반응 용기내에 반입하여, 반응 용기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 발생시켜, 비어홀(4) 바닥부의 도전층(1) 상을 청정화하고, 애싱에 의해 잔사 유기물(6)을 분해 제거하여, 도전층(1) 표면 상의 동산화막(7)을 Cu로 환원한다.

公开(公告)号：KR1020070100409A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020077019956

申请日：2006-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  오시마야스히로 ,  가시와기유사쿠

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L23/5329 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: Disclosed is a method for forming an SiOCH film which is characterized in that an SiOCH film is formed on a substrate by repeating, a plurality of times, a unit film forming process which includes a deposition step wherein an SiOCH film element is deposited by a plasma CVD method using an organosilicon compound as the raw material, and a hydrogen plasma processing step wherein the deposited SiOCH film element is treated with hydrogen plasma.

Abstract translation: 公开了一种形成SiOCH膜的方法，其特征在于，通过重复多次重复多次制备包括沉积步骤的单元成膜工艺在基板上形成SiOCH膜，其中通过等离子体沉积SiOCH膜元件 使用有机硅化合物作为原料的CVD法和氢等离子体处理工序，其中沉积的SiOCH膜元件用氢等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020070049671A

公开(公告)日：2007-05-11

申请号：KR1020077006120

申请日：2005-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 서셉터(2)의 윗쪽에는 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)가 마련되어 있다. 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)는 석영 등의 내열성 절연체로 구성되고, 소정 간격, 예컨대 5mm의 간격을 두고 서로 이격되어 평행하게 배치되어 있고, 복수의 관통 구멍(60a 또는 61a)을 갖고 있다. 2장의 플레이트를 중첩한 상태로, 하측 플레이트(61)의 관통 구멍(61a)과 상측 플레이트(60)의 관통 구멍(60a)이 겹치지 않도록 위치를 어긋나게 해서 형성되어 있다.