公开(公告)号：KR101269925B1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：KR1020117017379

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 반도체장치의제조방법은, 절연층을어닐링하는단계및 그절연층위에금속원소를포함하는배리어층을형성하는단계를구비한다. 절연층은탄화불소(CFx)막을포함한다. 배리어층은어닐링단계이후에고온스퍼터링공정에의하여형성된다.

Abstract translation: 一种半导体器件的制造方法包括退火绝缘层的步骤和在绝缘层上形成包括金属元素的阻挡层的步骤。 绝缘层包括氟碳（CFx）膜。 在退火步骤之后，通过高温溅射工艺形成阻挡层。

公开(公告)号：KR101139546B1

公开(公告)日：2012-04-27

申请号：KR1020107001702

申请日：2008-07-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  카와무라코헤이

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3148 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/36 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명에 따르면, 불화 절연막 및 상기 불화 절연막 상에 형성된 SiCN막을 포함하는 반도체 소자가 제공되고, 상기 SiCN막 내의 질소 밀도는 불화 절연막과 SiCN막 사이의 계면에서 멀어질수록 감소한다.
본 발명에 있어서, CF
x 막과의 계면 근처에서는 높은 내불소성(fluorine-resistance)을 갖고, 전체적으로는 낮은 유전율을 갖는 SiCN막이 하드 마스크로서 형성될 수 있다.

公开(公告)号：KR101016624B1

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：KR1020097006561

申请日：2007-09-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오케사쿠마사히로 ,  오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사 ,  이노쿠치아츠토시 ,  이시바시키요타카

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3244 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45568 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/3255

Abstract: 플라즈마의 역류 방지를 위해 샤워 플레이트의 세로 구멍 내에 배치되는 가스 방출공 부재(세라믹스 부재 혹은 다공질 가스 유통체)가 극간(gap)없이 일체적으로 소결 결합되어, 샤워 플레이트의 사용시에 세로 구멍으로부터 탈락하는 일이 없고, 또한 각 세로 구멍으로부터의 가스 방출량의 불균일이 없고, 플라즈마의 역류의 발생을 보다 완전히 방지할 수 있어, 효율이 좋은 플라즈마 여기가 가능한 샤워 플레이트를 제공한다. 플라즈마 처리 장치의 처리실(102)에 배치되고, 처리실(102)에 플라즈마를 발생시키기 위해 플라즈마 여기용 가스를 방출하는 샤워 플레이트(106)에 있어서, 플라즈마 여기용 가스의 방출 경로가 되는 다수개의 세로 구멍(105) 내에, 공경이 20㎛ 내지 70㎛의 가스 방출공을 복수개 갖는 세라믹스 부재, 또는 최대 기공경이 75㎛ 이하의 가스 유통 방향으로 연통한 기공을 갖는 다공질 가스 유통체의 어느 일방 또는 양방을 일체적으로 소결 결합하여 배치했다.

公开(公告)号：KR1020100076021A

公开(公告)日：2010-07-05

申请号：KR1020107010462

申请日：2008-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  니시즈카테츠야 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: Disclosed is a plasma processing apparatus (11) comprising an antenna unit (13) for generating plasmas by using microwaves a plasma source so that there are formed within a chamber a first region (25a) wherein the electron temperature of plasmas is relatively high and a second region (25b) wherein the electron temperature of plasmas is lower than that in the first region (25a), a first arrangement means for arranging a semiconductor substrate (W) in the first region (25a), a second arrangement means for arranging the semiconductor substrate (W) in the second region (25b), and a plasma generation stopping means for stopping plasma generation by the plasma generating means, while having the semiconductor substrate (W) arranged in the second region (25b).

Abstract translation: 公开了一种等离子体处理装置（11），其包括用于通过使用微波产生等离子体源来产生等离子体的天线单元（13），使得在腔室内形成第一区域（25a），其中等离子体的电子温度相对较高，并且 第二区域（25b），其中等离子体的电子温度低于第一区域（25a）中的电子温度;第一布置装置，用于在第一区域（25a）中布置半导体衬底（W）;第二布置装置， 在第二区域（25b）中的半导体衬底（W）和等离子体产生停止装置，用于在半导体衬底（W）布置在第二区域（25b）中的同时停止等离子体产生装置的等离子体产生。

公开(公告)号：KR1020100011899A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：KR1020090055994

申请日：2009-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  이데신지 ,  키쿠치요시유키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3148

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve reliability by preventing a metal element from being diffused to an intermediate layer arranged on a conductive layer. CONSTITUTION: An intermediate layer(20) is formed on a substrate(10). An opening is formed on the intermediate layer. A conductive layer(30) is formed on the opening. A cap film is formed on a surface of the conductive layer. When forming the cap film, the reduction process of the surface of the conductive layer and the film formation process are performed at the same.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过防止金属元件扩散到布置在导电层上的中间层来提高可靠性。 构成：在基板（10）上形成中间层（20）。 在中间层上形成开口。 在开口上形成导电层（30）。 在导电层的表面上形成盖膜。 当形成盖膜时，导电层的表面的还原过程和成膜工艺也是这样进行的。

公开(公告)号：KR1020090094842A

公开(公告)日：2009-09-08

申请号：KR1020097014713

申请日：2007-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠

Inventor： 오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  테라모토아키노부 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32 ,  H01L21/265 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/265 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/20 ,  H01J2237/26 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/30 ,  H01L29/7833

Abstract: At the time of injecting ions of positive charges into an object substrate, a charge-up damage may occur in the object substrate. In order that the object substrate may be less charged up by emitting secondary electrons at the time of injecting the ions of positive charges, a conductive member is disposed at a position to confront the object substrate, thereby to ground the conductive member electrically in high frequencies to the earth. Alternatively, the field intensity to occur in the object substrate may also be reduced by controlling the RF power to be applied to the object substrate, in a pulsating manner.

Abstract translation: 在将正电荷的离子注入到对象基板中时，可能在对象基板中发生电荷损坏。 为了在注入正电荷的离子时，通过发射二次电子可以使对象基板的电荷较少，导电部件设置在与物体基板对置的位置，从而以高频电接地 到地球 或者，也可以通过以脉动的方式控制要施加到对象基板的RF功率，来减少在对象基板中发生的场强。

公开(公告)号：KR101215939B1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：KR1020117006061

申请日：2009-08-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 마츠오카타카아키 ,  오오미타다히로

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/3212 ,  B24B37/04

Abstract: (과제) 다마신프로세스에있어서유기계의 low-k막으로이루어지는층간절연막상에퇴적된구리의연마시에있어서스크래치나디싱의발생을방지한다. (해결수단) 이 CMP 장치에서는, 연마패드(12)를접착한회전헤드(10)의회전중심축과, 반도체웨이퍼(100)를페이스업(face up)으로장착하는회전테이블(14)의회전중심축을동일한연직선(N) 상에정렬시켜, 회전헤드(10) 및회전테이블(14)을동 방향으로스핀회전시키면서, 회전헤드(10)를강하시켜연마패드(12)를회전테이블(14) 상의반도체웨이퍼(100)에맞닿게하여, 반도체웨이퍼(100) 표면의전역에서연마패드(12)가역방향으로문지르지않도록한다.

公开(公告)号：KR101203038B1

公开(公告)日：2012-11-20

申请号：KR1020107010462

申请日：2008-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 우에다히로카즈 ,  니시즈카테츠야 ,  노자와토시히사 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/511 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32954 ,  H05H1/46

Abstract: 플라즈마 처리 장치(11)는, 마이크로파를 플라즈마원으로 하고, 챔버 내에 상대적으로 플라즈마의 전자 온도가 높은 제1 영역(25a)과, 제1 영역(25a)보다도 플라즈마의 전자 온도가 낮은 제2 영역(25b)을 형성하도록 플라즈마를 발생시키는 안테나부(13)와, 반도체 기판(W)을 제1 영역(25a) 내에 위치시키는 제1 배치 수단과, 반도체 기판(W)을 제2 영역(25b) 내에 위치시키는 제2 배치 수단과, 반도체 기판(W)을 제2 영역(25b)에 위치시킨 상태에서, 플라즈마 발생 수단에 의한 플라즈마의 발생을 정지시키는 플라즈마 발생 정지 수단을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020120031520A

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：KR1020127003928

申请日：2010-07-16

Applicant: 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  고토테츠야 ,  마츠오카타카아키

IPC: C23C14/02 ,  H05K3/14 ,  C23C14/35

CPC classification number: H05K3/16 ,  C23C14/022 ,  C23C14/024 ,  C23C14/046 ,  C23C14/165 ,  C23C14/352 ,  C23C14/568 ,  H05K3/381 ,  H05K3/388 ,  H05K2203/095 ,  H05K2203/1572

Abstract: 본 발명의 과제는, 배선 기판의 제조에 있어서 스퍼터 프로세스를 채용하면서, 스루풋의 향상 및 러닝 코스트의 저감이 가능한 배선 기판 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 배선 기판 플라즈마 처리 장치는, 동일의 플라즈마 처리실 내에, 플라즈마원을 구비하고, 피처리 기판의 전처리를 행하는 표면 처리부와, 복수의 막에 의해 형성된 시드층을 형성하는 복수의 스퍼터 성막부를 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR101126536B1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：KR1020107010542

申请日：2008-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 오오미타다히로 ,  마츠오카타카아키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/52 ,  C23C14/22 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45561 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813

Abstract: 플라즈마 처리 시스템은, 복수의 막을 성막 또는 에칭하는 플라즈마 처리 장치와, 복수의 막을 성막 또는 에칭하기 위해 필요한 모든 가스를 공급하는 가스 공급원을 갖고 있다. 그리고, 제어 장치에 의해, 복수의 막의 각 막을 성막 또는 에칭하기 위해 필요한 가스가, 가스 공급원으로부터 가스 배관을 지나, 선택적으로 플라즈마 처리 장치 내에 공급된다. 이에 따라, 하나의 플라즈마 처리 장치 내에서 상이한 조성의 복수의 막을 성막 또는 에칭할 수 있다.