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公开(公告)号：KR100170419B1
公开(公告)日：1999-03-30
申请号：KR1019930007016
申请日：1993-04-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: G01N21/68
Abstract: 반도체 웨이퍼의 ECR에칭장치에 있어서, 에칭가스로서 HBr, CL2, 캐리어 가스로서 Ar가 사용된다.
생성 플라즈마의 발광광이 제1 및 제2 분광기에 의해 분광되어, 플라즈마의 제1 및 제2 파장의 스펙트럼의 강도가 검출된다. 양 스펙트럼은 Ar원자의 스펙트럼에서 선택된다. CPU는 검출한 스펙트럼 강도의 비의 형상치를 미리 입력된 이 비의 선택치와 비교하여, 형상치가 선택치에 가까워지도록 자장강도를 조정한다. 자장강도의 조정은 전자코일의 통전류치를 변경함으로써 행해진다. 자장강도는, 플라즈마의 전자온도를 조정하는 파라미터이며, 자장강도의 조정에 의해 플라즈마의 전자온도가 조정된다.-
12.发明公开액정 디스플레이 기판의 제조방법, 그 제조 시스템, 반도체 결정 박막의 제조장치 및 반도체 결정의 평가방법 无效液晶显示基板的制造方法，其制造系统，半导体晶体薄膜的制造装置以及半导体晶体的评价方法
公开(公告)号：KR1019940012565A
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019930024290
申请日：1993-11-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
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公开(公告)号：KR1019930022483A
公开(公告)日：1993-11-24
申请号：KR1019930007016
申请日：1993-04-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
Abstract: 슬러리 폴리셔에서 폴리싱 페드로부터 삽입된 부스러기와 그리트를 제거하도록 초음파로 교반되며, 이에 의해 재료 제거의 균일화를 증진하고, 패드의 수명을 연장시키며, 연마된 표면상이 스크래치와 홈을 방지할 수 있다. 특히 이 방법은 삽입된 재료에 의해 발생된 비평탄화가 처리 수율에 영향을 미치는 반도체 웨이퍼상의 점착층을 평탄화하는데 슬러리 폴리싱이 이용되는 적용시에 특히 유용하다. 이 장치는 에너지가 패드상에 집중되도록 슬러리에 초음파 에너지를 가하는 것으로 기재되어 있다.
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公开(公告)号：KR1019930005132A
公开(公告)日：1993-03-23
申请号：KR1019920014511
申请日：1992-08-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 내용 없음.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100294529B1
公开(公告)日：2001-10-24
申请号：KR1019940004203
申请日：1994-03-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/205
Abstract: 반도체 제조공정에 있어서의 스퍼터링 공정, 애싱공정, CVD공정, 또는 에칭공정 등에 사용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 둘레벽과, 일단벽과, 다른 단벽과, 이들 벽으로 둘러싸인 처리실을 가지는 처리용기(11)와, 이 처리실 내에 피처리면을 가지는 피처리체를 지지하는 수단과, 이 처리실 내에 처리가스를 공급하는 수단과, 처리용기(11) 외부에 설치되고, 처리실 내에, 고주파 전압이 인가됨으로써 상기 피처리면에 거의 수평면을 따라서 상기 고주파에 동기하여 이동하는 전자계를 형성함과 동시에, 전자파를 공급하여 상기 처리가스의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생수단(13)과 상기 처리용기와 플라즈마 발생수단 사이에 배치되는 정전 결합 방지 시이트를 구비하였기 때문에, 종래와 같이 평행평판 전극 사이의 캡 길이에 제약� �는 일이 없이 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 처리용기(11) 내를 종래보다 1자리수 내지 2 자리수정도, 예를 들면 0.005Torr 이하의 고진공으로 하여도 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 초미세 가공의 요구에 부응한 플라즈마 처리를 할 수가 있다.
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公开(公告)号：KR1019940027041A
公开(公告)日：1994-12-10
申请号：KR1019940008916
申请日：1994-04-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/00
Abstract: 엘렉트로 사이클로트론 공명(ECR)에 의하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 피처리체(W)를 수납하는 수납부(11)와, 이 처리부에 이어진 플라즈마 발생부(12)를 가지는 처리용기(10)와, 이 처리용기(10)의 플라즈마 발생부(12) 내에 전자파를 발생하는 슬로트 안테너(20)와, 상기 플라즈마 발생부(12) 내에 자계를 인가하여 상기 전자파와 공동하여 플라즈마를 발생시키는 전자 인가 수단을 구비한다.
따라서, 플라즈마 발생실(12) 내에서 프로세스 가스(G)에 대하여 엘렉트로 사이클로트론 공명에 의한 플라즈마를 발생시키도록 하였기 때문에, 14가우스라고 하는 낮은 자장에서도 반도체 웨이퍼(W)를 에칭할 수 있으며, 플라즈마 발생실(12) 내에서 자장이 편재하고 있어도 저자장 때문에 플라즈마 밀도의 불균일을 완화할 수 있고, 또 반도체 웨이퍼(W)에서의 챠지업을 억제할 수 있으며, 반도체 웨이퍼(W)에 고정도의 에칭을 할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019940022771A
公开(公告)日：1994-10-21
申请号：KR1019940004203
申请日：1994-03-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이마하시잇세이
IPC: H01L21/205
Abstract: 반도체 제조공정에 있어서의 스퍼터링공정, 애싱공정, CVD공정, 또는 에칭공정 등에 사용되는 플라즈마 처리장치에 관한 것으로서, 둘레벽과, 일단벽과, 다른 단벽과, 이들 벽으로 둘러싸인 처리실을 가지는 처리 용기(11)와, 이 처리실내에 피처리면을 가지는 피처리체를 지지하는 수단과, 이 처리실내에 처리가스를 공급하는 수단과, 처리용기(11) 외부에 설치되고, 처리실내에, 고주파 전압이 인가됨으로써 상기 피처리면에 거의 수평면을 따라서 상기 고주파에 동기하여 이동하는 전자계를 형성함과 동시에, 전자파를 공급하여 상기 처리가스의 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생수단(13)을 구비하였기 때문에, 종래와 같이 평행 평판 전극사이의 캡 길이에 제약되는 일이 없이 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 처리용기(11)내를 종래보다 1행 내 2행정도, 예를들면 0.005Torr 이하의 고진공으로 하여도 플라즈마를 발생시킬 수 있으며, 초미세 가공의 요구에 부응한 플라즈마 처리를 할 수가 있다.
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公开(公告)号：KR1019930020203A
公开(公告)日：1993-10-19
申请号：KR1019930004900
申请日：1993-03-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/1337
Abstract: LCD제조 프로세서에 있어서의 폴리 크리스탈 실린콘막의 형성 방법에 있어서, 먼저, LCD의 화소부 및 드라이버부로 되는 영역에 걸쳐 유리기판상에 플라즈마 CVD에 의하여 수소화 어멀퍼스 실리콘막이 형성된다.
다음에 상기 드라이버로 되는 영역상의 상기 막이 선택되는 영역에 레이저광 빔이 조사된다. 레이저광 빔의 에너지 최초 상기 막을 결정화되지 않고, 상기 막을 파괴하는 일없이 상기 막내에 수소가 방출되도록 설정된다. 레이저광 빔의 에너지는 최종적으로 상기 막이 폴리 크리스탈 실리콘으로 변화되는 강도로 설정된다. 이에 의하여 수소의 방출에 의하여 막의 손상을 주는 일없이 수소화 어멀퍼스 실리콘막을 다결정화 할수가 있다. -
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