公开(公告)号：KR101267641B1

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：KR1020070105089

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028

Abstract: 본발명에서는린스처리시에린스액의액면위치(LV1)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV2)까지의거리(t1)가, 약액처리시의약액의액면위치(LV3)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV4)까지의거리(L2)보다도짧아지도록피처리체를갖는다. 혹은린스처리시에, 린스액의액면위치(LV1)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의상단위치(LV2)까지의거리(L1)가, 린스액의바닥면위치(LV5)로부터피처리체[웨이퍼(2)]의하단위치(LV6)까지의거리(L3)보다도짧아지도록피처리체를갖는다.

公开(公告)号：KR1020110089255A

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020117007883

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  야마시타고지 ,  가미토모신고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B01D53/78 ,  B01D53/185 ,  B01D2252/103 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/67017

Abstract: 본발명은, 배기중의처리유체농도를저감시켜, 기판처리장치에접속된배기설비로유입되는처리유체가저감되어, 배기설비에대한부담을경감시키는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)는, 기판(2)을처리하기위한기판처리부(21)와, 기판(2)을처리하는처리유체를기판처리부(21)에공급하기위한처리유체공급부(22)와, 기판처리부(21)로부터배출된처리유체를함유하는배기가유입되는배기처리부(23)를포함하고있다. 배기처리부(23)는, 배기를향해처리유체를용해하는용매를분무하는분무노즐(48, 49)을포함하며, 이것에의해배기중의처리유체농도를저감시킨다. 또한, 상기배기처리부(23)는, 내부에배기를분산시키기위한다공형의분산판(52, 53, 54)을포함하고있다.

Abstract translation: 本发明的目的在于降低排气中的处理流体的浓度并减少流入与基板处理装置连接的排气系统的处理流体的量，从而减轻排气系统的负担。 基板处理装置1具有：处理基板2的基板处理部21;向基板处理部21供给用于处理基板2的处理液的处理液供给部22; 并且排放处理部分23，其中包含从基板处理部分21排放的处理流体的排放物流入该排放处理部分23中。 排气处理部分23包括喷嘴48和49，用于将用于溶解处理流体的溶剂喷向排气，由此减少排气中处理流体的浓度。 排气处理部分23包括用于分散废气的球形分散板52,53和54。

公开(公告)号：KR1020110060789A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：KR1020100090504

申请日：2010-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  다카시마도시히데

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67253

Abstract: PURPOSE: A substrate processing device, a substrate processing method, and a storage medium are provided to suppress the density decrease of sulfuric acid due to water from hydrogen peroxide by firstly evaporating water among sulfuric acid, hydrogen peroxide, and water comprising mixture. CONSTITUTION: A substrate(W) is immersed in the mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide in a process bath(21). A circulating path(410) circulates mixture in the process bath. A heating unit heats the mixture. A sulfuric acid supply unit(430) supplies sulfuric acid to the mixture. A hydrogen peroxide supply unit(420) supplies hydrogen peroxide to the mixture.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以通过首先在硫酸，过氧化氢和包含混合物的水中蒸发水来抑制由过氧化氢的水引起的硫酸浓度的降低。 构成：将衬底（W）浸入处理浴（21）中的硫酸和过氧化氢的混合物中。 循环路径（410）将混合物循环在处理浴中。 加热单元加热混合物。 硫酸供应单元（430）向混合物供应硫酸。 过氧化氢供应单元（420）向混合物中提供过氧化氢。

公开(公告)号：KR1020080035489A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：KR1020070105089

申请日：2007-10-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카히로시 ,  햐쿠타케히로노부 ,  가미카와유지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67057 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67757 ,  H01L21/68707 ,  Y10S414/141

Abstract: A liquid processing apparatus, a liquid processing method, and a storage medium having a liquid processing program stored are provided to reduce the time required for raising specific resistance of rinsing liquid up to a predetermined level by reducing a distance between a surface of the rinsing liquid and an upper side of an object to be processed. A liquid processing apparatus comprises a processing tank(49), a support(36), a chemical liquid supply unit, a rinsing liquid supply unit, a lifting mechanism, and a control unit. The support is installed within the processing tank to be lifted or lowered, to support an object to be processed(2). The chemical liquid supply part supplies chemical liquid into the processing tank. The rinsing liquid supply part supplies rinsing liquid into the processing tank. The lifting mechanism lifts and lowers the support. The control unit controls the lifting mechanism such that the control unit moves or holds the support after chemical liquid process is done by using the chemical liquid, and performs a rinsing process at a position where the object to be processed is lifted with respect to a liquid surface that the level set for the chemical liquid process.

Abstract translation: 提供液体处理装置，液体处理方法和存储有液体处理程序的存储介质，以通过减少冲洗液体的表面之间的距离来减少将冲洗液的比电阻提高到预定水平所需的时间 和待处理物体的上侧。 液体处理装置包括处理罐（49），支撑件（36），化学液体供应单元，冲洗液体供应单元，提升机构和控制单元。 支撑件安装在处理罐内以被提升或降低，以支撑待处理物体（2）。 化学液体供应部分将化学液体供应到处理罐中。 冲洗液供给部件将冲洗液供给到处理槽中。 提升机构提升和降低支撑。 控制单元控制提升机构，使得控制单元在通过使用化学液体进行化学液体处理之后移动或保持支撑件，并且在被处理物体相对于液体提升的位置处进行漂洗处理 表面为化学液体过程设定的水平。