公开(公告)号：KR101816960B1

公开(公告)日：2018-01-09

申请号：KR1020140033873

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

Abstract: 본발명은높은유전율로누설전류가낮은유전체막을갖는고집적화가능한반도체장치의제조방법을제공하는것을과제로한다. 반도체기판상에유전체막을형성하는성막공정과, 상기유전체막을열처리하는열처리공정과, 상기열처리후의유전체막에이온화된가스클러스터를조사하는조사공정을포함하는것을특징으로하는반도체장치의제조방법을제공함으로써상기과제를해결한다.

Abstract translation: 本发明将是零，并且提供一种制造能够具有高介电常数的电介质膜的低漏电流的高度集成的半导体器件的方法。 提供一种制造半导体装置，其特征在于它包括照射在膜形成电介质膜的工序的半导体基板上形成的气体团簇离子化的照射步骤，和热处理后的热处理在电介质膜，电介质膜的热处理工序的方法 从而解决上述问题。

公开(公告)号：KR1020170095757A

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：KR1020170020584

申请日：2017-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와부치요스케 ,  다치바나고우조우 ,  나카모리미츠노리 ,  오오이시고타로 ,  에가시라게이스케 ,  다나카고지 ,  이나도미히로아키 ,  야마시타마사미 ,  후쿠다요시테루 ,  야마시타고지 ,  츠리후네유 ,  마스즈미다쿠로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324

Abstract: 기판의표면의발수화처리를행하면서, 기판의패턴내에존재하는순수나발수화제의제거를제거하여건조한기판을신속하게얻는것이가능한액 처리방법등을제공한다. 수평으로유지된기판(W)에대하여순수를공급한후, 기판(W)의건조를행하는데 있어서, 제1 용제공급공정에서는순수공급후의기판(W)의표면에제1 용제를공급하고, 그후의발수화제공급공정에서는기판(W)의표면에발수화제를공급한다. 제2 용제공급공정에서는발수화된후의기판(W)의표면에제2 용제를공급하고, 그후의건조공정에서기판(W)의표면의제2 용제를제거한다. 그리고제1 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다작고, 상기제2 용제의비중은, 상기발수화제의비중보다크다.

Abstract translation: 液体处理方法等能够通过除去存在于基板图案中的纯水蒸发剂，同时对基板表面进行防水处理，从而迅速除去干燥的基板。 在第一溶剂供应步骤中供应纯水之后，将第一溶剂供应至基板W的表面，以便在将纯水供应至水平保持的基板W之后干燥基板W， 在随后的供应防水剂的步骤中，防水剂被供应到基板W的表面。 在第二溶剂供应步骤中，第二溶剂在防水之后供应到基板W的表面，并且在随后的干燥步骤中从基板W的表面去除第二溶剂。 第一溶剂的比重小于防水剂的比重，第二溶剂的比重大于防水剂的比重。

公开(公告)号：KR1020140046429A

公开(公告)日：2014-04-18

申请号：KR1020140033873

申请日：2014-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/26566 ,  H01L21/28185 ,  H01L29/517

Abstract: The objective of the present invention is to provide a method for manufacturing a high integration semiconductor device which has a dielectric layer with high dielectric constant and low leakage current. The objective of the present invention is solved by providing a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a layer formation process of forming a dielectric layer on a semiconductor substrate, a heat-treating process of heat-treating the dielectric layer, and an irradiation process of emitting an ionized gas cluster to the dielectric layer after the heat-treating process. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Form a dielectric layer; (S104) Heat treatment; (S106) Emit a gas cluster

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有高介电常数和低泄漏电流的电介质层的高集成半导体器件的制造方法。 本发明的目的是通过提供一种半导体器件的制造方法来实现的，该半导体器件包括在半导体衬底上形成电介质层的层形成工艺，热处理介电层的热处理和照射 在热处理工序之后，将电离气体簇发射到电介质层的工序。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S102）形成介电层; （S104）热处理; （S106）发出气体簇

公开(公告)号：KR101531437B1

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：KR1020117007883

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  야마시타고지 ,  가미토모신고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B01D53/78 ,  B01D53/185 ,  B01D2252/103 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/67017

Abstract: 본발명은, 배기중의처리유체농도를저감시켜, 기판처리장치에접속된배기설비로유입되는처리유체가저감되어, 배기설비에대한부담을경감시키는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)는, 기판(2)을처리하기위한기판처리부(21)와, 기판(2)을처리하는처리유체를기판처리부(21)에공급하기위한처리유체공급부(22)와, 기판처리부(21)로부터배출된처리유체를함유하는배기가유입되는배기처리부(23)를포함하고있다. 배기처리부(23)는, 배기를향해처리유체를용해하는용매를분무하는분무노즐(48, 49)을포함하며, 이것에의해배기중의처리유체농도를저감시킨다. 또한, 상기배기처리부(23)는, 내부에배기를분산시키기위한다공형의분산판(52, 53, 54)을포함하고있다.

公开(公告)号：KR1020120134011A

公开(公告)日：2012-12-11

申请号：KR1020120051882

申请日：2012-05-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마고지 ,  히가시지마히로카즈 ,  다나카요시츠구 ,  아카사카야스시 ,  야마시타고지

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/26566 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/517

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for a semiconductor device is provided to produce a highly integrated semiconductor device by forming a dielectric film having a low leakage current without lowering a dielectric constant. CONSTITUTION: A dielectric film is formed on a semiconductor substrate(S102). A dielectric film is heat-treated(S104). An ionized gas cluster is irradiated on the dielectric film which is heat-treated(S106). A film thickness of the dielectric film is below 2nm. The gas cluster comprises a gas cluster comprising oxygen or nitrogen. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S102) Forming a dielectric film; (S104) Thermal treatment; (S106) Irradiating a gas cluster

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，通过在不降低介电常数的情况下形成具有低漏电流的电介质膜来制造高度集成的半导体器件。 构成：在半导体基板上形成电介质膜（S102）。 对电介质膜进行热处理（S104）。 将电离气体簇照射在被热处理的电介质膜上（S106）。 电介质膜的膜厚度低于2nm。 气体簇包括包含氧或氮的气体团。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S102）形成介电膜; （S104）热处理; （S106）对气体簇进行照射

公开(公告)号：KR1020110089255A

公开(公告)日：2011-08-05

申请号：KR1020117007883

申请日：2009-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 햐쿠타케히로노부 ,  야마시타고지 ,  가미토모신고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B01D53/78 ,  B01D53/185 ,  B01D2252/103 ,  B01D2258/0216 ,  H01L21/67017

Abstract: 본발명은, 배기중의처리유체농도를저감시켜, 기판처리장치에접속된배기설비로유입되는처리유체가저감되어, 배기설비에대한부담을경감시키는것을목적으로한다. 기판처리장치(1)는, 기판(2)을처리하기위한기판처리부(21)와, 기판(2)을처리하는처리유체를기판처리부(21)에공급하기위한처리유체공급부(22)와, 기판처리부(21)로부터배출된처리유체를함유하는배기가유입되는배기처리부(23)를포함하고있다. 배기처리부(23)는, 배기를향해처리유체를용해하는용매를분무하는분무노즐(48, 49)을포함하며, 이것에의해배기중의처리유체농도를저감시킨다. 또한, 상기배기처리부(23)는, 내부에배기를분산시키기위한다공형의분산판(52, 53, 54)을포함하고있다.

Abstract translation: 本发明的目的在于降低排气中的处理流体的浓度并减少流入与基板处理装置连接的排气系统的处理流体的量，从而减轻排气系统的负担。 基板处理装置1具有：处理基板2的基板处理部21;向基板处理部21供给用于处理基板2的处理液的处理液供给部22; 并且排放处理部分23，其中包含从基板处理部分21排放的处理流体的排放物流入该排放处理部分23中。 排气处理部分23包括喷嘴48和49，用于将用于溶解处理流体的溶剂喷向排气，由此减少排气中处理流体的浓度。 排气处理部分23包括用于分散废气的球形分散板52,53和54。