公开(公告)号：KR1020100040961A

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：KR1020107005089

申请日：2008-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/3213 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/3213 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274

Abstract: A film to be processed, a first film and a photosensitive second film are sequentially formed in this order on a substrate. The second film is selectively removed and exposed portions of the first film are removed. The film to be processed is etched using the second film as a mask. The side wall portion of the first film is removed so that the first film as a predetermined width. Then, a third film is so formed as to cover at least the upper surfaces of the first film and the film to be processed. After that the first film and the second film are removed. The film to be processed is etched using the third film as a mask. The third film is then removed.

Abstract translation: 待处理的膜，第一膜和感光性第二膜依次依次形成在基板上。 选择性地去除第二膜并且去除第一膜的暴露部分。 使用第二膜作为掩模蚀刻待处理的膜。 去除第一膜的侧壁部分，使得第一膜为预定宽度。 然后，第三膜形成为至少覆盖第一膜和被处理膜的上表面。 之后，第一个薄膜和第二个薄膜被去除。 使用第三膜作为掩模蚀刻待处理的膜。 然后删除第三部电影。

公开(公告)号：KR100386130B1

公开(公告)日：2003-08-25

申请号：KR1019970001966

申请日：1997-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  도시마다카유키 ,  아키모토마사미 ,  야마구치에이지 ,  가타노준이치 ,  기타노다카유키 ,  신야히로시 ,  이이다나루아키

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67178 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/67742 ,  Y10T29/41

Abstract: A processing apparatus comprising a plurality of process unit groups (G1 to G5) each including a plurality of process units to subject an object (w) to a series of processes, said process units being arranged vertically in multiple stages, an object transfer space (22) being defined among the process unit groups (G1 to G5); transfer means (21) for transferring the object (w), said transfer means (21) having a transfer member (73, 78a, 78b, 78c) vertically movable in the object transfer space (22), said transfer member (73, 78a, 78b, 78c) being capable of transferring the object (w) to each of said process units; and means (20b, 50 to 62, 84, 95, 95a, 96, 114, 114a, 115, 115a) for reducing a variation in condition of the object transfer space (22), the processing apparatus further comprising at least one first process unit group (G1, G2) in which process units including a resist coating unit for coating a resist and a developing unit for developing a pattern of the resist are vertically stacked; and at least one second process unit group (G3, G4, G5) in which at least one or all of an alignment unit for aligning an object to be processed, a baking unit for baking the object, a cooling unit for cooling the object, an adhesion unit for subjecting the object to an adhesion process, and an extension unit are vertically stacked, wherein said first process unit group (G1, G2) has such an arrangement that the coating unit is placed below the developing unit.

Abstract translation: 1。一种处理装置，其特征在于，具有：多个处理单元组（G1〜G5），其分别具有对被处理体（w）进行一系列处理的多个处理单元，该多个处理单元以多个阶段进行垂直配置， 22）被定义在处理单元组（G1到G5）中; 用于传送物体（w）的传送装置（21），所述传送装置（21）具有可在物体传送空间（22）中垂直移动的传送构件（73,78a，78b，78c），所述传送构件（73,78a ，78b，78c）能够将物体（w）转移到每个所述处理单元; 和用于减少所述物体转移空间（22）的状态变化的装置（20b，50至62,84,95,95a，96,114,114a，115,115a），所述处理装置还包括至少一个第一处理 单元组（G1，G2），其中包括用于涂覆抗蚀剂的抗蚀剂涂布单元和用于显影抗蚀剂图案的显影单元的处理单元垂直堆叠; 以及至少一个第二处理单元组（G3，G4，G5），其中用于对准待处理对象的对准单元，用于烘烤对象的烘烤单元，用于冷却所述对象的冷却单元， 用于对物体进行粘合处理的粘合单元和延伸单元垂直地堆叠，其中所述第一处理单元组（G1，G2）具有这样的布置，即涂覆单元位于显影单元下方。

公开(公告)号：KR1019990030003A

公开(公告)日：1999-04-26

申请号：KR1019980039143

申请日：1998-09-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  환퀴

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼 등의 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
본 발명의 처리장치는 케이스 내에 설치되고 피처리체에 대해 처리액도포 및 노광 후의 현상을 포함한 일련의 처리를 행하는 복수의 처리유니트와, 각 처리유니트에 대해 피처리체를 반입반출하는 반송기구와, 케이스 내부에 도입된 공기 중에서 해상도를 저하시키는 불순물을 제거하는 필터를 가지는 공기청정기구와, 필터 외측의 불순물의 농도를 검출하는 농도검출기구와, 농도검출기구의 검출결과를 기초로 하여 필터의 교환수명을 예측하는 수명예측수단(50)을 구비한다.
이로써, 해상불량을 발생시키는 불순물을 제거하기 위한 필터의 교환타이밍을 신속히 파악할 수 있고, 수율저하의 문제를 해결함으로써, 신뢰성 높은 처리를 실현할 수 있는 데 적용할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020170096950A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：KR1020170018648

申请日：2017-02-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/31 ,  G03F7/09 ,  G03F7/16

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/40 ,  G03F7/423 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31138

Abstract: 얻어지는패턴의 LER의값을저감할수 있는패턴형성방법을제공하는것. 하지층상에, 아크릴수지층을형성하는공정과, 상기아크릴수지층상에, 중간층을형성하는공정과, 상기중간층위에, 패턴화된 EUV 레지스트층을형성하는공정과, 상기 EUV 레지스트층을에칭마스크로하여, 상기중간층및 상기아크릴수지층을에칭함으로써, 상기아크릴수지층에패턴을형성하는공정과, 상기아크릴수지층에패턴을형성하는공정후, 상기 EUV 레지스트층및 상기중간층을제거하는공정과, 상기 EUV 레지스트층및 상기중간층을제거하는공정후, 상기아크릴수지층의표면을평활화하는공정을갖는, 패턴형성방법에따라상기과제를해결한다.

Abstract translation: 并且提供一种能够减小所获得图案的LER值的图案形成方法。 在基层上形成丙烯酸树脂层的步骤，在丙烯酸树脂层上形成中间层的步骤，在中间层上形成图案化的EUV抗蚀剂层的步骤，形成EUV抗蚀剂层作为蚀刻掩模的步骤 通过蚀刻中间层和丙烯酸树脂层在丙烯酸树脂层上形成图案的步骤，在丙烯酸树脂层上形成图案的步骤之后去除EUV抗蚀剂层和中间层的步骤， 以及在去除EUV抗蚀剂层和中间层的步骤之后平滑丙烯酸树脂层的表面的步骤。

公开(公告)号：KR1020160094285A

公开(公告)日：2016-08-09

申请号：KR1020160009246

申请日：2016-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/0338 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/76816

Abstract: 1D 레이아웃을이용하는패턴형성에있어서요구되는컷트패턴의위치정밀도를완화하는것이가능한반도체장치의제조방법을제공하는것. 패턴형성대상막상에, 미리정해진간격의스페이스를갖고이격하여정렬되며, 제1 컷트마스크를이용하여일부가분리된라인을포함하는제1 패턴으로패터닝된제1 막을형성하는제1 패턴형성공정과, 제1 막의표면을덮도록제2 막을형성하는공정과, 제2 컷트마스크를이용하여, 제1 패턴의스페이스의일부를분리함으로써, 제2 패턴으로패터닝된패턴형성대상막을형성하는제2 패턴형성공정을가지고, 제1 컷트마스크는, 각각이동형의복수의개구부또는각각이동형의복수의차광부를가지며, 제2 컷트마스크는, 각각이동형의복수의개구부또는각각이동형의복수의차광부를갖는, 반도체장치의제조방법이제공된다.

Abstract translation: 公开了一种能够减轻使用1D布局形成图案所需的切割图案的位置精度的半导体器件的制造方法。 该方法包括：第一图案形成步骤，在图案形成目标膜上形成第一膜，其被图案化以具有第一图案，该第一图案包括彼此间隔一定间隔的间隔彼此对准的线;以及 包括通过使用第一切割掩模分离的部分; 形成第二膜以覆盖第一膜的表面的步骤; 形成第二膜以覆盖第一膜的表面的步骤; 以及第二图案形成步骤，通过使用第二切割掩模来形成图案形成目标膜，所述图案形成目标膜通过分离所述第一图案的空间的一部分而被图案化以具有第二图案。 第一切割掩模包括具有相同形状的多个开口或遮光部分。 第二切割掩模包括具有相同形状的多个开口或遮光部。

公开(公告)号：KR1020150098583A

公开(公告)日：2015-08-28

申请号：KR1020150023232

申请日：2015-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/0274 ,  G03F7/2016

Abstract: 본 발명은 원하는 미세 패턴을 갖는 반도체 장치를 용이하게 제조할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 기판 상에 표면이 발수성을 갖는 하지막을 형성하는 하지막 형성 공정과, 하지막 상에 표면이 발수성을 갖는 감광막을 형성하는 감광막 형성 공정과, 감광막을 현상함으로써 하지막을 노출시켜 감광막 패턴을 형성하는 감광막 패턴 형성 공정과, 감광막 상 및 노출된 하지막 상에 제1 스페이서재를 공급하는 제1 스페이서재 형성 공정과, 감광막의 상면 및 하지막의 상면에 형성된 제1 스페이서재의 적어도 일부를 제거하는 제1 패턴 형성 공정을 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.

Abstract translation: 本发明提供一种能够容易地制造具有期望的微图案的半导体器件的半导体器件的制造方法。 根据本发明，该方法包括：在基板上形成具有防水性的下层的下层形成工艺; 在底层上形成具有防水性的感光膜的感光性膜成膜工序; 感光膜图案形成工艺，通过使感光膜显影来形成感光膜图案以暴露下面的层; 第一间隔材料形成工艺，其将第一间隔物材料提供到所述感光膜和所述暴露的下层上; 以及去除形成在感光膜的上表面上的第一间隔物的至少一部分和下层的上表面的第一图案形成工序。

公开(公告)号：KR1020140103840A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：KR1020140013554

申请日：2014-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  오야마겐이치 ,  야마토마사토시

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  H01L21/6715

Abstract: The purpose of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device having the excellent line width characteristics and roughness characteristics of a resist pattern. The method of manufacturing a semiconductor includes a layer formation process for forming a layer, which has elasticity and has no compatibility and resist, on the resist layer patterned on an object; and a heating process for heating the object having the layer.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种具有优异的线宽特性和抗蚀剂图案的粗糙度特性的半导体器件的制造方法。 制造半导体的方法包括：在对象上图案化的抗蚀剂层上形成具有弹性且不具有相容性和抗蚀性的层的层形成工艺; 以及用于加热具有该层的物体的加热过程。

公开(公告)号：KR1020120090801A

公开(公告)日：2012-08-17

申请号：KR1020120007578

申请日：2012-01-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0228 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A method for forming a mask pattern is provided to form a fine opening unit below a resolution of an exposing device. CONSTITUTION: A first etching target film(11), a second etching target film(12), and a third etching target(13) are formed on a substrate(10). A first resist film(14) is formed on the third etching target film. A first opening unit(14a) arranged with a first pitch is formed on the first resist film. A first film(15) is formed on the first resist film to cover the sidewall of the first opening unit. A second resist film(16) is formed on the first film.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成掩模图案的方法，以在曝光装置的分辨率下形成精细打开单元。 构成：在基板（10）上形成第一蚀刻靶膜（11），第二蚀刻靶膜（12）和第三蚀刻靶（13）。 在第三蚀刻靶膜上形成第一抗蚀膜（14）。 在第一抗蚀剂膜上形成以第一间距排列的第一开口单元（14a）。 第一膜（15）形成在第一抗蚀剂膜上以覆盖第一开口单元的侧壁。 在第一膜上形成第二抗蚀剂膜（16）。

公开(公告)号：KR1020050062388A

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：KR1020040105230

申请日：2004-12-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시즈쿠이시모모코 ,  야에가시히데타미

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/67178 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/0276

Abstract: 본 발명은 기판의 현상처리방법, 기판의 현상방법 및 현상액 공급 노즐에 있어서 기판 포트리소그래피공정에 있어서 현상액에 용해성을 갖는 반사 방지막을 형성해 그 후 레지스터막을 형성한다. 노광 처리 후의 현상 처리 시에 현상액을 기판에 공급해 레지스터막을 현상 한다. 레지스터막의 현상이 종료한 시점에서 기판상에 현상액보다 농도가 낮은 제 2의 현상액을 공급한다. 이 제 2의 현상액의 공급에 의해 반사 방지막만을 용해시켜 제거한다. 웨이퍼의 포트리소그래피공정에 있어서 레지스터막 아래에 형성된 반사 방지막을 레지스터막에 영향을 주지 않게 제거하는 기술을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019970077124A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019970022123

申请日：1997-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 기타노쥰이치 ,  신야히로시 ,  가타노다카유키 ,  야에가시히데타미 ,  가와카미야스노리 ,  가와노후미히코

IPC: H01L21/027

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
기판처리시스템 및 기판처리방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
시스템내로의 청정공기의 공급량 증대시키지 않고, 시스템내로의 파티클의 침입을 유효하게 방지할 수 있는 기판처리시스템을 제공함.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 발명은 공기조절된 환경하에서 복수의 기판(W) 을 차례로 처리하는 기판처리시스템으로, 카세트(CR),(C)가 출입되는 카세트 반입출구(100b), (304)를 가지는 외장케이스(100a),(302)와, 이 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 설치되고, 카세트가 얹어놓이는 카세트 얹어놓는 대(20),(303)를 가지며, 상기 카세트 반입출구 통해서 카세트가 반입되고, 상기 카세트 얹어놓는 대에 카세트가 얹어놓이는 카세트부(10),(351)와, 이 카세트부의 카세트로부터 기판을 1매씩 반출하여 이송하는 서브아암기구(22),(311)와, 카세트부에 인접해서 설치되고, 기판(W)을 처리하기 위한 복수의 처리유니트를 가지는 프로세스부(12),(352)와, 이 프로세스부내에 설치되고, 상기 카세트부의 서브아암기구로부터 기판(W)을 수취하고, 수취한 기판(W)을 각각 처리유니트에 차례로 반입 는 한편, 처리된 기판(W)을 각 처리유니트로부터 차례로 반출하는 주아암기구(24),(312),(313)와, 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간에 다운플로우의 청정공기를 공급하는 에어공급기구(10a),(10b),(12a),(14a),(16a)∼(16e),(30),(31),(32),(33a)∼(33f),(34),(36),(37a)∼(37e),(38),(39),(48),(306),(306a),(306b)와, 이 에어공급기구에 의해서 형성되는 에어의 다운플로우에 간섭하지 않도록 외장케이스(100a),(302)로 둘러싸인 내부공간 칸막이하고, 또, 칸막이된 한쪽의 공간으로부터 다른쪽 공간으로 기판(W)을 반송하기 위한 기판반송구(11a),(11b),(29a),(51a),(61a),(308)를 가지는 칸막이판 (11),(11A),(29),(51),(61),(305)을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD용 기판과 같은 기판에 레지스트를 도포하고, 현상 처리하는 기판처리시스템 및 기판처리방법에 이용됨.