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公开(公告)号：KR1020090072857A
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：KR1020070141094
申请日：2007-12-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L29/66757 , H01L29/78603 , H01L27/1214
Abstract: A thin film transistor, a method of manufacturing the same, and a method for manufacturing an organic electroluminescent display device using the same are provided to minimize the residue of impurity ions in a polycrystalline silicon layer by rapid crystallization. A thin film transistor comprises a substrate(100), a buffer layer(110), a metal catalytic layer(120), a semiconductor layer(140) and a gate insulating layer(150). The buffer layer is arranged on the substrate. The metal catalytic layer is arranged on the buffer layer. The semiconductor layer is arranged on the metal catalytic layer in order to expose the metal catalytic layer. The gate insulating layer is arranged on the metal catalytic layer in order to cover the semiconductor layer. The thin film transistor more includes a gate electrode(160), and a interlayer insulating film(170) and source/drain electrodes(180a,180b). The gate electrode is arranged on the gate insulating layer in order to face the semiconductor layer. The interlayer insulating film is arranged on the gate insulating layer in order to cover the gate electrode.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管及其制造方法以及使用其制造有机电致发光显示装置的方法，以通过快速结晶使多晶硅层中杂质离子的残留最小化。 薄膜晶体管包括衬底（100），缓冲层（110），金属催化层（120），半导体层（140）和栅极绝缘层（150）。 缓冲层布置在基板上。 金属催化剂层设置在缓冲层上。 为了使金属催化剂层露出，半导体层配置在金属催化剂层上。 栅极绝缘层布置在金属催化剂层上以覆盖半导体层。 薄膜晶体管还包括栅极（160）和层间绝缘膜（170）以及源极/漏极（180a，180b）。 为了面向半导体层，栅电极配置在栅极绝缘层上。 层间绝缘膜设置在栅绝缘层上以覆盖栅电极。
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公开(公告)号：KR1020080104756A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070051994
申请日：2007-05-29
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G02F1/1368 , G02F2201/501 , G02F2202/10 , H01L27/12 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78618 , H01L29/78636
Abstract: The flat panel display including the thin film transistor and the manufacturing method thereof and thin film transistor are provided to improve the electrical characteristic of device by the reducing a leakage current at the non-resistance decrease of source and drain region and channel region. The thin film transistor comprises the insulating substrate(10), the gate electrode(12), the semiconductor layer(14), the diffusion barrier(15), the second insulating layer, source and drain electrode(17a and 17b). The gate electrode is formed on the insulating substrate. The semiconductor layer is insulated with the gate electrode with the first insulating layer. The semiconductor layer provides the channel region, source and drain region. The diffusion barrier is formed on the semiconductor layer of the channel region. The second insulating layer contains the hydrogen ion(16a). The contact hole is formed so that the second insulating layer source and drain region are exposed. The source and drain electrode are contacted with source and drain region through the contact hole.
Abstract translation: 提供包括薄膜晶体管的平板显示器及其制造方法和薄膜晶体管，以通过在源极和漏极区域以及沟道区域的非电阻减小处减少漏电流来改善器件的电气特性。 薄膜晶体管包括绝缘基板（10），栅极电极（12），半导体层（14），扩散阻挡层（15），第二绝缘层，源极和漏极电极（17a和17b）。 栅电极形成在绝缘基板上。 半导体层与具有第一绝缘层的栅电极绝缘。 半导体层提供沟道区，源极和漏极区。 扩散阻挡层形成在沟道区的半导体层上。 第二绝缘层含有氢离子（16a）。 接触孔形成为使得第二绝缘层源极和漏极区域露出。 源极和漏极通过接触孔与源极和漏极区域接触。
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公开(公告)号：KR1020070035864A
公开(公告)日：2007-04-02
申请号：KR1020050090756
申请日：2005-09-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/45574
Abstract: 본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플렉시블 평판 표시장치용 기판에 박막의 무기물 층을 연속적으로 형성할 수 있는 원자층 증착장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
이를 위하여, 본 발명은, 챔버 내로 서로 다른 적어도 2종류의 반응가스가 분사되고, 서로 분리되어 있는 적어도 두개의 반응챔버와, 상기 각 반응챔버들에 후속하여 위치하고, 상기 각 반응챔버들에 인접하며, 챔버 내로 불활성가스가 분사되며, 상기 반응챔버들과 분리되어 있는 적어도 두개의 퍼지챔버와, 플렉시블한 롤상의 기판을 상기 반응챔버들과 퍼지챔버들을 그 배치된 순서에 따라 순차로 통과시키도록 하는 기판 공급부를 포함하는 원자층 증착장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101065312B1
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：KR1020050090756
申请日：2005-09-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플렉시블 평판 표시장치용 기판에 박막의 무기물 층을 연속적으로 형성할 수 있는 원자층 증착장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
이를 위하여, 본 발명은, 챔버 내로 서로 다른 적어도 2종류의 반응가스가 분사되고, 서로 분리되어 있는 적어도 두개의 반응챔버와, 상기 각 반응챔버들에 후속하여 위치하고, 상기 각 반응챔버들에 인접하며, 챔버 내로 불활성가스가 분사되며, 상기 반응챔버들과 분리되어 있는 적어도 두개의 퍼지챔버와, 플렉시블한 롤상의 기판을 상기 반응챔버들과 퍼지챔버들을 그 배치된 순서에 따라 순차로 통과시키도록 하는 기판 공급부를 포함하는 원자층 증착장치를 제공한다.-
公开(公告)号：KR101048996B1
公开(公告)日：2011-07-12
申请号：KR1020090002243
申请日：2009-01-12
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L21/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/45
Abstract: An oxide semiconductor thin film transistor and a flat panel display device incorporating the same oxide semiconductor thin film transistor. The thin film transistor includes a gate electrode formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the substrate and covering the gate electrode, an oxide semiconductor layer formed on the gate insulating layer and covering the gate electrode, a titanium layer formed in a source region and a drain region of the oxide semiconductor layer, and source and drain electrodes respectively coupled to the source region and the drain region through the titanium layer and made of copper. The titanium layer reduces the contact resistance between the source and drain electrodes made of copper and the oxide semiconductor layer, forms a stable interface junction therebetween, and blocks a diffusion of copper.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110051799A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：KR1020090108569
申请日：2009-11-11
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L2924/13069
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and an organic light emitting display device with the same are provided to form an active layer by adding a material whose atom radius is similar to Zn or Sn to an oxide semiconductor to form an active layer, thereby increasing reliability of the oxide semiconductor. CONSTITUTION: A buffer layer(12) is formed on a substrate(10). An oxide semiconductor layer(18) is composed of source/drain areas(18b,18c) and a channel area(18a). A gate electrode(14) forms an area overlapped with the channel area. A gate insulating film(16) is formed between the oxide semiconductor and the gate electrode. Source/drain electrodes(20a,20b) are respectively electrically connected to the source/drain areas of the oxide semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其有机发光显示装置，通过向氧化物半导体添加原子半径与Zn或Sn相似的材料形成有源层以形成有源层以形成有源层，从而增加可靠性 氧化物半导体。 构成：在衬底（10）上形成缓冲层（12）。 氧化物半导体层（18）由源极/漏极区域（18b，18c）和沟道区域（18a）组成。 栅电极（14）形成与沟道区重叠的区域。 在氧化物半导体和栅电极之间形成栅极绝缘膜（16）。 源极/漏极电极（20a，20b）分别电连接到氧化物半导体层的源极/漏极区域。
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公开(公告)号：KR100975204B1
公开(公告)日：2010-08-10
申请号：KR1020080076010
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L27/1225 , H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 게이트 절연막에 의해 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 산화물 반도체층은 제 1 케리어 농도를 갖는 제 1 두께 및 제 1 케리어 농도보다 낮은 제 2 케리어 농도를 갖는 제 2 두께로 이루어진다.
산화물 반도체, GaInZnO, 케리어 농도, 산소 농도, 산소 분압Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，形成在基底包括沟道区域，源极区域和漏极区域上的本发明的晶体管 的氧化物半导体层，从通过栅极绝缘膜在氧化物半导体层绝缘的栅极电极，并且包括源极电极和与源极区域和漏极区域，氧化物半导体层和具有的一个第一载流子浓度的第一厚度接触的漏电极 L 1载流子浓度。
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公开(公告)号：KR100963003B1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080011492
申请日：2008-02-05
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225
Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 절연막에 의해 게이트 전극과 절연되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 제공하는 산화물 반도체층, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한다. 산화물 반도체층이 지르코늄(Zr)을 포함하는 InZnO(IZO)층으로 이루어지고, Zr에 의해 IZO층의 케리어 농도가 1e+13 내지 1e+18개수/㎤로 조절된다.
산화물 반도체, InZnO(IZO), 지르코늄(Zr), 케리어 농도Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，但本发明的晶体管由栅极电极与栅极电极隔离，形成在基板上的栅极绝缘膜 提供沟道区，源极区和漏极区以及与源极区和漏极区接触的源电极和漏电极的氧化物半导体层。 氧化物半导体层由InZnO制成的（IZO）层包括锆（Zr），是由Zr的浓度控制到载体1E + 13至1e + 18号/㎤IZO层。
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公开(公告)号：KR1020100002503A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：KR1020080062417
申请日：2008-06-30
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78606 , G02F1/1368 , H01L27/3262 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A flat panel display for including a thin film transistor, a manufacturing method thereof and a thin film transistor are provided to physically control the charge trapping and the active layer protected at the same time. CONSTITUTION: A source electrode and a drain electrode are formed on a substrate. A part of an activation layer(13) is overlapped with the source/drain electrode. The active layer is included of the oxide semiconductor. A gate electrode is insulated on a gate insulating layer. An interface stabilization layer(14) is formed in the upper side and lower surface of the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于包括薄膜晶体管的平板显示器，其制造方法和薄膜晶体管，以物理地控制同时保护的电荷俘获和有源层。 构成：在基板上形成源电极和漏电极。 活化层（13）的一部分与源/漏电极重叠。 活性层包括氧化物半导体。 栅电极在栅极绝缘层上绝缘。 界面稳定层（14）形成在有源层的上侧和下表面。
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公开(公告)号：KR100907400B1
公开(公告)日：2009-07-10
申请号：KR1020070086510
申请日：2007-08-28
Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 엔(N) 타입 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극이 포함된다. 여기서, 상기 소스/드레인 전극과 접촉되는 반도체층은 1족 원소로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 이온이 도핑된 도핑영역을 포함한다.
N형 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 접촉저항, 이온 도핑, 전위장벽
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