公开(公告)号：KR1020080104756A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：KR1020070051994

申请日：2007-05-29

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 신현수 ,  모연곤 ,  정재경 ,  박진성 ,  이헌정 ,  정종한

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78606 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/501 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78636

Abstract: The flat panel display including the thin film transistor and the manufacturing method thereof and thin film transistor are provided to improve the electrical characteristic of device by the reducing a leakage current at the non-resistance decrease of source and drain region and channel region. The thin film transistor comprises the insulating substrate(10), the gate electrode(12), the semiconductor layer(14), the diffusion barrier(15), the second insulating layer, source and drain electrode(17a and 17b). The gate electrode is formed on the insulating substrate. The semiconductor layer is insulated with the gate electrode with the first insulating layer. The semiconductor layer provides the channel region, source and drain region. The diffusion barrier is formed on the semiconductor layer of the channel region. The second insulating layer contains the hydrogen ion(16a). The contact hole is formed so that the second insulating layer source and drain region are exposed. The source and drain electrode are contacted with source and drain region through the contact hole.

Abstract translation: 提供包括薄膜晶体管的平板显示器及其制造方法和薄膜晶体管，以通过在源极和漏极区域以及沟道区域的非电阻减小处减少漏电流来改善器件的电气特性。 薄膜晶体管包括绝缘基板（10），栅极电极（12），半导体层（14），扩散阻挡层（15），第二绝缘层，源极和漏极电极（17a和17b）。 栅电极形成在绝缘基板上。 半导体层与具有第一绝缘层的栅电极绝缘。 半导体层提供沟道区，源极和漏极区。 扩散阻挡层形成在沟道区的半导体层上。 第二绝缘层含有氢离子（16a）。 接触孔形成为使得第二绝缘层源极和漏极区域露出。 源极和漏极通过接触孔与源极和漏极区域接触。

公开(公告)号：KR100976459B1

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：KR1020070139040

申请日：2007-12-27

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정재경 ,  신현수 ,  모연곤 ,  김형준 ,  임성준

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225

Abstract: 본 발명은 기판 상기 기판 상에 위치하는 소스/드레인 전극 상기 소스/드레인 전극과 접하고, 1×10
14 atom/㎤ 내지 1×10
17 atom/㎤의 전하 농도를 포함하는 산화아연층으로 이루어진 투명 반도체층 상기 투명 반도체층과 절연되는 게이트 전극 및 상기 투명 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 게이트절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 그를 구비하는 평판표시장치에 관한 것이다.
투명 반도체층, 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR100975204B1

公开(公告)日：2010-08-10

申请号：KR1020080076010

申请日：2008-08-04

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  안태경 ,  정재경 ,  박진성 ,  이헌정 ,  신현수 ,  모연곤

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체를 활성층으로 하는 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 구비하는 평판 표시 장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 상에 형성되며 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 산화물 반도체층, 게이트 절연막에 의해 산화물 반도체층과 절연되는 게이트 전극, 그리고 소스 영역 및 드레인 영역과 접촉되는 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 산화물 반도체층은 제 1 케리어 농도를 갖는 제 1 두께 및 제 1 케리어 농도보다 낮은 제 2 케리어 농도를 갖는 제 2 두께로 이루어진다.
산화물 반도체, GaInZnO, 케리어 농도, 산소 농도, 산소 분압

Abstract translation: 本发明涉及一种具有薄膜晶体管，其制造方法，以及氧化物半导体作为有源层的薄膜晶体管的平板显示装置，形成在基底包括沟道区域，源极区域和漏极区域上的本发明的晶体管 的氧化物半导体层，从通过栅极绝缘膜在氧化物半导体层绝缘的栅极电极，并且包括源极电极和与源极区域和漏极区域，氧化物半导体层和具有的一个第一载流子浓度的第一厚度接触的漏电极 L 1载流子浓度。

公开(公告)号：KR100944808B1

公开(公告)日：2010-02-26

申请号：KR1020080045497

申请日：2008-05-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정재경 ,  신현수 ,  모연곤 ,  이헌정

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법으로, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 위치하는 투명 반도체층; 상기 투명 반도체층 상의 일부에 위치하는 식각 보호막; 및 상기 식각 보호막의 일부를 노출시키며 상기 보호막 상에 위치하며, 상기 투명 반도체층의 양쪽 엣지 부분과 연결되는 소스/드레인 전극을 특징으로 하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.
또한, 기판을 제공하고, 상기 기판 상에 버퍼층을 형성하고, 상기 버퍼층 상에 게이트 전극을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막 상에 투명 반도체 물질로 형성된 막을 형성하고, 상기 기판 전면에 걸쳐 보호막을 형성하고, 상기 보호막을 패터닝하여 식각 보호막을 형성하고, 상기 투명 반도체 물질로 형성된 막을 패터닝하여 투명 반도체층을 형성하고, 상기 보호막 상에 위치하되 보호막의 일부를 노출시키고, 상기 투명 반도체층과 일부가 연결되도록 건식식각하여 소스/드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.
투명 반도체층, 박막 트랜지스터

公开(公告)号：KR100907400B1

公开(公告)日：2009-07-10

申请号：KR1020070086510

申请日：2007-08-28

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  모연곤 ,  박진성 ,  이헌정 ,  신현수

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 본 발명은 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 발광표시장치에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터는 기판 및 상기 기판 상에 배치되는 엔(N) 타입 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극이 포함된다. 여기서, 상기 소스/드레인 전극과 접촉되는 반도체층은 1족 원소로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 이온이 도핑된 도핑영역을 포함한다.
N형 산화물 반도체로 이루어진 반도체층, 접촉저항, 이온 도핑, 전위장벽

公开(公告)号：KR1020090072494A

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：KR1020070140628

申请日：2007-12-28

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 박진성 ,  모연곤 ,  정종한 ,  신현수 ,  정재경 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0005

Abstract: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the number of masks by forming an organic semiconductor layer and an oxide semiconductor layer by an ink jet printing method. A first gate electrode(11) and a second gate electrode(12) are formed on a substrate(10), and are isolated each other. A gate insulation film(13) is formed on the first gate electrode and the second electrode. A first source/drain electrode(14a,14b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the first gate electrode. A P-type organic semiconductor layer(16) is formed on the first source/drain electrode by an ink jet printing method. A second source/drain electrode(15a,15b) is formed on the gate insulation film, and is faced with the second gate electrode. An N-type oxide semiconductor layer(17) is formed on the second source/drain electrode by an ink jet printing method.

Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以通过喷墨打印方法形成有机半导体层和氧化物半导体层来减少掩模的数量。 第一栅电极（11）和第二栅电极（12）形成在基板（10）上，彼此隔离。 在第一栅电极和第二电极上形成栅极绝缘膜（13）。 第一源极/漏极（14a，14b）形成在栅极绝缘膜上，并且面对第一栅电极。 通过喷墨打印方法在第一源极/漏极上形成P型有机半导体层（16）。 第二源极/漏极（15a，15b）形成在栅极绝缘膜上，并面向第二栅电极。 通过喷墨印刷法在第二源极/漏极上形成N型氧化物半导体层（17）。

公开(公告)号：KR1020090065951A

公开(公告)日：2009-06-23

申请号：KR1020070133508

申请日：2007-12-18

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 이헌정 ,  정재경 ,  신현수 ,  정종한 ,  박진성 ,  모연곤

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/06

Abstract: A manufacturing method of a thin film transistor and a manufacturing method of an organic light emitting display including the thin film transistor are provided to prevent generation of leakage current by maintaining stably resistivity of a channel region. A gate electrode(22) is formed on an insulating substrate(20). A gate insulating layer(23) is formed on an upper part of the insulating substrate including the gate electrode. The gate insulating layer includes oxygen ions. A semiconductor layer includes a channel region, a source region, and a drain region. A source electrode and a drain electrode come in contact with the semiconductor layer of the source region and the drain region. A protective layer is formed to coat an organic material on the upper part of the insulating substrate including the semiconductor layer.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管的制造方法和包括薄膜晶体管的有机发光显示器的制造方法，以通过维持沟道区域的稳定电阻来防止漏电流的产生。 在绝缘基板（20）上形成栅电极（22）。 在包括栅电极的绝缘基板的上部形成栅极绝缘层（23）。 栅绝缘层包括氧离子。 半导体层包括沟道区，源极区和漏极区。 源电极和漏电极与源极区域和漏极区域的半导体层接触。 形成保护层，以在包括半导体层的绝缘基板的上部涂覆有机材料。

公开(公告)号：KR100889688B1

公开(公告)日：2009-03-19

申请号：KR1020070071150

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  박진성 ,  모연곤 ,  양희원 ,  김민규 ,  안태경 ,  신현수 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체로 이루어진 활성층 제조 방법 및 그를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로, InGaZnO로 이루어진 제 1 타겟으로부터 In, Ga 및 Zn을 포함하는 이온이 증착되어 기판 상에 IGZO층이 형성되도록 하고, InZnO로 이루어진 제 2 타겟으로부터 In을 포함하는 이온이 증착되도록 하여 In의 조성비가 증가되도록 한다. In의 조성비가 종래보다 증가된 산화물 반도체를 활성층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 이동도 및 슬롭 팩터를 포함하는 전기적 특성이 향상될 수 있다.
산화물 반도체, IGZO, 타겟, 조성비, 이동도

公开(公告)号：KR1020090007921A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：KR1020070071150

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 정종한 ,  정재경 ,  박진성 ,  모연곤 ,  양희원 ,  김민규 ,  안태경 ,  신현수 ,  이헌정

IPC: H01L29/786

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3464 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: A semiconductor active layer manufacturing method, a thin film transistor manufacturing method using the same, and a thin film transistor including a semiconductor active layer are provided to use an oxide semiconductor, in which a composition ratio of In is increased, as an active layer, thereby improving electric characteristics including slope factor and mobility of the thin film transistor. A gate electrode is formed on a substrate. A gate insulating layer is formed on the gate electrode. An IGZO layer is formed on the gate insulating layer. The IGZO layer is an active layer providing source and drain regions and a channel region. Source and drain electrodes are formed in order to be contacted with the source and drain regions. At this time, the IGZO layer is formed by depositing ions including Ga and Zn from a first target(22). Ions including In are deposited from a second target(24). A composition ratio of the In of the IGZO layer is about 45 to 80%. The first target is made of InGaZnO. The second target is made of InZnO. First and second bias powers(23,25) are applied to the first target and the second target. The composition ratio of the In is controlled by the size of the second bias power.

Abstract translation: 提供半导体有源层制造方法，使用该半导体活性层的薄膜晶体管制造方法和包括半导体有源层的薄膜晶体管，以使用其中In的组成比增加的氧化物半导体作为有源层， 从而改善包括薄膜晶体管的斜率和迁移率的电特性。 在基板上形成栅电极。 在栅电极上形成栅极绝缘层。 在栅极绝缘层上形成IGZO层。 IGZO层是提供源极和漏极区域以及沟道区域的有源层。 形成源极和漏极以便与源极和漏极区域接触。 此时，通过从第一靶（22）沉积包括Ga和Zn的离子形成IGZO层。 包括In的离子由第二个目标（24）存放。 IGZO层的In的组成比为约45〜80％。 第一个目标是由InGaZnO制成。 第二个目标是由InZnO组成。 第一和第二偏置功率（23,25）被施加到第一目标和第二目标。 In的组成比由第二偏置功率的大小控制。

公开(公告)号：KR1020060104375A

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020050026500

申请日：2005-03-30

Applicant: 삼성모바일디스플레이주식회사

Inventor： 신현수 ,  모연곤 ,  구재본 ,  정재경

IPC: H05B33/10

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L23/32 ,  H01L27/3262 ,  H01L51/0097 ,  H01L2924/12044

Abstract: 본 발명은 플렉시블 기판을 채용하는 평판표시장치의 제조 공정에서 플렉시블 기판에 평판표시소자가 정확한 위치에 형성되고, 플렉시블 기판이 파손되지 않도록 하기 위한 것으로, 프레임에 플렉시블 기판을 고정시키는 단계와, 상기 프레임에 고정된 플렉시블 기판 상에 평판표시소자를 형성하는 단계와, 상기 플렉시블 기판을 상기 프레임으로부터 분리하는 단계를 포함하는 평판표시장치의 제조방법에 관한 것이다.