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公开(公告)号：KR1020080017174A
公开(公告)日：2008-02-26
申请号：KR1020060078988
申请日：2006-08-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: A fabrication method of a nitride semiconductor light emitting device is provided to prevent a short circuit by adjusting a window size in a mask. A mask(23) having windows is formed on an upper surface of a base layer(22). The base layer is formed with a first conductive type nitride semiconductor. A first conductive type nitride semiconductor crystal(24) of a hexagonal pyramid structure is selectively grown on each of base layer regions exposed by the windows. The first conductive type nitride semiconductor crystal of the hexagonal pyramid structure has an inclined crystal surface to an upper surface of the base layer. An active layer(25) and a second conductive type nitride semiconductor layer(26) are sequentially grown on a surface of the first conductive type nitride semiconductor crystal. The mask is divided into at least two regions. The windows positioned on at least two regions have different sizes.
Abstract translation: 提供氮化物半导体发光器件的制造方法，以通过调节掩模中的窗口尺寸来防止短路。 在基层（22）的上表面上形成具有窗口的面罩（23）。 基层由第一导电型氮化物半导体形成。 在由窗户露出的每个基底层区域上选择性地生长六角锥形结构的第一导电型氮化物半导体晶体（24）。 六角锥形结构的第一导电型氮化物半导体晶体在基层的上表面具有倾斜的晶体表面。 在第一导电型氮化物半导体晶体的表面上依次生长有源层（25）和第二导电型氮化物半导体层（26）。 该掩模被分成至少两个区域。 位于至少两个区域的窗口具有不同的大小。
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公开(公告)号：KR100764427B1
公开(公告)日：2007-10-05
申请号：KR1020060071038
申请日：2006-07-27
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/0254 , C23C16/52 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L33/0079
Abstract: A method for forming thick single crystal nitride layer is provided to spontaneously separate the nitride layer from a sapphire substrate by etching a low-defect region. A substrate(41) with a grown crystal layer(42) is prepared. A halogen hydrogen compound is mixed with one of Group III metal source to generate at least one Group III metal source gas, and then the Group III metal source gas is reacted with a nitrogen source gas to grow a thick single crystal nitride layer(45) on the substrate. The thick single crystal nitride layer is Al(1-x)GaxN, and the Group III metal source is one of an aluminum source and a gallium source.
Abstract translation: 提供一种用于形成厚单晶氮化物层的方法，用于通过蚀刻低缺陷区域从蓝宝石衬底自发地分离氮化物层。 制备具有生长晶体层（42）的衬底（41）。 将卤素氢化合物与III族金属源中的一种混合以产生至少一种III族金属源气体，然后使III族金属源气体与氮源气体反应，生长厚度的单晶氮化物层（45） 在基板上。 厚单晶氮化物层是Al（1-x）GaxN，III族金属源是铝源和镓源之一。
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公开(公告)号：KR100967046B1
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080055892
申请日：2008-06-13
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 광원에 의해 발광된 광을 물체에 조사하고 이에 의해 반사되는 빛을 수신하는 시간 간격을 이용하여 물체에 대한 거리를 측정하는 거리 측정 장치가 개시된다. 상기 거리 측정 장치는, 거리 측정을 위한 기준광을 생성하는 광원; 상기 광원로부터 방출되는 기준광을 평행광으로 변환하는 콜리메이션 렌즈; 상기 광원에 인접 배치되며, 상기 기준광이 방출되는 방향의 반대 방향으로 입사되는 광을 검출하는 광센서; 상기 콜리메이션 렌즈를 통과한 기준광을 거리 측정 대상으로 향하도록 경로를 변경하고, 상기 기준광이 상기 거리 측정 대상에 의해 반사된 반사광을 상기 광센서로 향하도록 경로를 변경하는 미러; 및 상기 광원 및 상기 미러 사이에 배치되고, 상기 미러로부터 반사된 반사광을 상기 광센서로 집속하며, 상기 평행광으로 변환된 기준광이 경로 변화 없이 통과할 수 있는 광통과 영역이 형성된 수광 렌즈를 포함할 수 있다.
거리 측정, 레이저, 수광렌즈, 미러, 광원, 홀, 광센서-
公开(公告)号：KR1020100052966A
公开(公告)日：2010-05-20
申请号：KR1020080111888
申请日：2008-11-11
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: G02B26/101
Abstract: PURPOSE: A three-dimensional space scanner is provided to detect a distance between the scanner and an obstacle by rotating and tilting a reflective mirror and by vertically and horizontally irradiating a laser. CONSTITUTION: A three-dimensional space scanner comprises a rotating unit(100), a mirror holder(200), and an tilting unit(300). The rotating unit generates torque. The mirror holder comprises a tilted reflective mirror(M), and is rotated by the torque of the rotating unit. The tilting unit is arranged on the top of the mirror holder, and is vertically reciprocated along a frame. And the tilting unit tilts the reflective mirror by being connected to the reflective mirror through a rod.
Abstract translation: 目的：提供三维空间扫描器，通过旋转和倾斜反射镜以及垂直和水平照射激光来检测扫描仪与障碍物之间的距离。 构成：三维空间扫描器包括旋转单元（100），反射镜支架（200）和倾斜单元（300）。 旋转单元产生扭矩。 反射镜保持器包括倾斜反射镜（M），并通过旋转单元的扭矩旋转。 倾斜单元布置在镜保持器的顶部上，并且沿着框架垂直往复运动。 并且倾斜单元通过通过杆连接到反射镜而使反射镜倾斜。
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公开(公告)号：KR1020100015211A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020080076155
申请日：2008-08-04
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: G01S13/06
CPC classification number: G02B26/101
Abstract: PURPOSE: A space scanner of self-control moving object is provided to scan vertically and horizontally and detect distance with around obstacles. CONSTITUTION: A rotation driving part(100) generates torque. A mirror body(200) revolves with the torque of the rotation driving at the prescribed direction. The reflective mirror revolves with the mirror body portion. The reflective mirror is contained inside the mirror body to enable tilting. A tilting driving part receives the torque of the rotation driving part.
Abstract translation: 目的：提供自动移动物体的空间扫描仪，用于垂直和水平扫描，并检测距离障碍物的距离。 构成：旋转驱动部（100）产生转矩。 镜体（200）以规定方向的旋转驱动的转矩旋转。 反射镜与镜体部分旋转。 反射镜被包含在镜体内部以能够倾斜。 倾斜驱动部接收旋转驱动部的转矩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080079538A
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：KR1020070019864
申请日：2007-02-27
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of light extraction by forming a self-assembled quantum dot layer having a plurality of protruded quantum dots. An n-type semiconductor substrate(102), an active layer(103), and a p-type nitride semiconductor layer(104) are formed on a substrate(101) in turn. A self-assembled quantum dot layer(110) having a plurality of protruded quantum dots is formed on the p-type nitride semiconductor layer. The self-assembled quantum dot layer has a refractive index greater than that of the p-type nitride semiconductor layer. The self-assembled quantum dot layer is made of InGaN. A diameter of the quantum dot in the self-assembled quantum dot layer is 5 to 50 nm, and a height thereof is 1 to 10 nm. Distribution density of the quantum dot in the self-assembled quantum dot layer is 1X10^8 to 1X10^12 cm^-2.
Abstract translation: 提供一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，通过形成具有多个突出量子点的自组装量子点层来提高光提取的效率。 依次在基板（101）上形成n型半导体基板（102），有源层（103）和p型氮化物半导体层（104）。 在p型氮化物半导体层上形成具有多个突出量子点的自组装量子点层（110）。 自组装量子点层的折射率大于p型氮化物半导体层的折射率。 自组装量子点层由InGaN制成。 自组装量子点层中的量子点的直径为5〜50nm，高度为1〜10nm。 自组装量子点层中量子点的分布密度为1×10 ^ 8〜1×10 ^ 12cm ^ -2。
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公开(公告)号：KR1020080050168A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：KR1020060121047
申请日：2006-12-01
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: A method for manufacturing a semiconductor single crystal and a semiconductor light emitting device are provided to prevent a laser from reaching a semiconductor single crystal layer by using a DBR(Distributed Bragg Reflector) structure. A substrate(21) for a single crystal growth is prepared. A sacrificial layer(23) is grown on the substrate. Two kinds of single crystal layers, which have different refractive indexes, are laminated in turn on the sacrificial layer to form a DBR(Distributed Bragg Reflector) structure(25). A semiconductor single crystal layer(26) is formed on the DBR structure. The sacrificial layer is removed by irradiating a laser to separate the substrate from the DBR structure. The semiconductor single crystal layer is made of nitride. The substrate for a single crystal growth is a GaN substrate. An undoped first GaN layer(22) is grown on the substrate after the substrate prepared before the sacrificial layer is grown.
Abstract translation: 提供一种制造半导体单晶和半导体发光器件的方法，以通过使用DBR（分布式布拉格反射器）结构来防止激光到达半导体单晶层。 制备用于单晶生长的衬底（21）。 在衬底上生长牺牲层（23）。 具有不同折射率的两种单晶层依次层叠在牺牲层上以形成DBR（分布式布拉格反射器）结构（25）。 在DBR结构上形成半导体单晶层（26）。 通过照射激光将衬底与DBR结构分离来去除牺牲层。 半导体单晶层由氮化物制成。 用于单晶生长的衬底是GaN衬底。 在牺牲层生长之前制备的衬底之后，在衬底上生长未掺杂的第一GaN层（22）。
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公开(公告)号：KR100826389B1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020060075407
申请日：2006-08-09
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/16
CPC classification number: C30B25/04 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/24
Abstract: 본 발명은, 질화물 반도체층 상에 개구부를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 마스크의 개구부에 노출된 상기 질화물 반도체층 영역에 상기 질화물 반도체층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 육각 피라미드 구조의 질화물 반도체 결정은, 그 상하부에 위치한 결정면의 경사각보다 큰 경사각의 결정면을 갖는 적어도 하나의 중간분리영역을 포함하는 질화물 반도체 선택 성장방법을 제공한다.또한, 본 발명은 상기한 질화물 반도체 선택 성장방법을 이용하여 제조될 수 있는 질화물 발광소자와, 그 제조방법을 제공한다.
질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)-
公开(公告)号：KR100826375B1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：KR1020060080192
申请日：2006-08-24
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: 본 발명은 광추출효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 질화물 반도체 성장을 위한 광투과성 기판; 상기 광투과성 기판 상에 형성된 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 오믹콘택층; 상기 오믹콘택층 상에 서로다른 굴절율을 갖는 제1 층 및 제2 층이 적어도 1회 교대로 적층되어 형성되고, 상기 오믹콘택층을 노출시키는 복수의 오픈영역을 갖는 다중 반사층; 및 상기 다중 반사층의 오픈영역을 통해 접속되는 본딩메탈을 포함하는 것을 특징으로 한다.
광추출효율, 반사층, 굴절율, 피라미드, 광흡수-
公开(公告)号：KR100809235B1
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：KR1020060078987
申请日：2006-08-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L33/02
Abstract: 본 발명은, 제1 도전형 질화물 반도체로 이루어진 기저층 상면에 복수의 윈도우를 갖는 마스크를 형성하는 단계와, 상기 복수의 윈도우에 노출된 상기 기저층 영역 각각에 상기 기저층 상면에 대해 경사진 결정면을 갖는 육각 피라미드 구조의 제1 도전형 질화물 반도체 결정을 선택적으로 성장시키는 단계와, 상기 제1 도전형 질화물 반도체 결정 표면에 활성층 및 제2 도전형 질화물 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계를 포함하며, 상기 마스크는 적어도 2개의 영역을 구분되며, 상기 적어도 2개의 영역에 위치한 윈도우는 각각 서로 다른 간격을 갖도록 배열된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
질화물 결정(nitride crystal), 피라미드(pyramid), 발광다이오드(light emitting diode)Abstract translation: 本发明中，在形成具有在由第一导电型氮化物半导体的基底层上表面上的多个窗口的掩模的步骤中基体层的上表面上具有倾斜的晶面的六边形，并且每个暴露于所述多个窗口的基础层的区域的 包括以下步骤：其中，所述第一有源层和第二导电型氮化物半导体上的第一导电型氮化物半导体晶体的生长表面，以便选择性地生长锥体纹理的第一导电型氮化物半导体晶体层，所述掩模的 其中至少两个区域被分开，并且位于至少两个区域中的窗口被布置为具有彼此不同的间隔。
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