Abstract:
본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 기판, 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체 베이스층, 제1 도전형 반도체 베이스층 상에 서로 이격되어 배치되며, 각각 제1 도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노 발광구조물들, 제2 도전형 반도체층 상에서 복수의 나노 발광구조물들 사이에 연결되어 배치되는 투명전극층, 및 기판을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다.
Abstract:
본 발명에 따른 일실시예에 따르면 촉매금속필름에 적어도 하나의 층의 그래핀을 형성하는 단계, 상기 촉매금속필름에 형성된 그래핀을 상기 촉매금속필름과 분리하여 기판으로 전사하는 단계, 상기 그래핀의 표면에 복수의 나노스피어를 배열하여 나노스피어층을 형성하는 단계, 상기 나노스피어층을 식각 마스크로 하여 그래핀을 식각하는 단계 및 상기 나노스피어층를 제거하는 단계를 포함함으로써, 공정단계 및 공정시간을 감소시키는 등 공정효율을 향상시킬 수 있는 그래핀 양자점의 제조방법을 제공한다.
Abstract:
경사 플라즈마 에칭 기술을 이용하여 대면적의 그래핀 나노-리본을 제조하는 방법, 상기 방법으로 제조된 그래핀 나노-리본, 및 상기 그래핀 나노-리본을 이용한 전자 소자를 개시한다. 개시된 그래핀 나노-리본을 제조하는 방법은, 기판을 메사 에칭하여 다수의 홈과 돌출부를 형성하는 단계, 기판 위에 산화 그래핀 박막층을 형성하는 단계, 기판을 기울여 반응성 이온 에칭(RIE) 방식으로 산화 그래핀 박막층을 식각하는 단계, 및 돌출부의 일측에 남아 있는 산화 그래핀 박막층을 환원시켜 그래핀 나노-리본을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 그래핀 나노-리본의 폭에 따라 그래핀 나노-리본이 에너지 밴드 갭을 가질 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A graphene nano ribbon, a manufacturing method thereof and an electric component using the same are provided to be advantageous for integration of a device and not to require many processes for the graphene-nano ribbon manufacture. CONSTITUTION: A manufacturing method of graphene nano ribbon comprises the following steps: preparing a nanosphere mold (10) having a plurality of nanospheres (13) which is arranged in a predetermined pattern; preparing a graphene layer (21) arranged on a substrate (20); compressing a nanosphere mold on the graphene layer in order for the plurality of nanospheres to contact with the graphene layer; and scratching out a domain of the graphene layer which is in contact with the nanospheres by relatively moving the nanosphere mold or the substrate.
Abstract:
PURPOSE: A lighting device is provided to control illumination according to the kind of plants or the growing cycle of the plants by arranging a light emitting device in a groove. CONSTITUTION: A groove(15) is formed on a substrate(10). A lighting device unit is arranged on the surface of the substrate. A first light emitting device radiates light of a first wavelength band. A second light emitting device radiates light of the second wavelength band. A reflection layer is arranged between the substrate and the light emitting device unit and reflects light from the light emitting device unit. The light emitting device unit is arranged in a groove of the substrate.
Abstract:
나노스피어를 이용하여 그래핀층을 패터닝함으로써 대면적의 그래핀 나노-리본을 제조하는 방법, 상기 방법으로 제조된 그래핀 나노-리본, 및 상기 그래핀 나노-리본을 이용한 전자 소자가 개시된다. 개시된 그래핀 나노-리본을 제조하는 방법은, 소정의 패턴으로 정렬되어 있는 다수의 나노스피어들을 갖는 나노스피어 몰드를 마련하는 단계; 기판 상에 배치된 그래핀층을 마련하는 단계; 다수의 나노스피어들이 그래핀층과 접촉하도록 나노스피어 몰드를 그래핀층 상에 압착하는 단계; 및 나노스피어 몰드 또는 그래핀층을 서로에 대해 상대적으로 이동시켜 나노스피어와 접촉한 그래핀층의 영역을 긁어내는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명에 따른 일실시예에 따르면 제1 도전형 반도체층;과 상기 제1 도전형 반도체층 상에 마련된 활성층;과 상기 활성층 상에 마련된 제2 도전형 반도체층;과 상기 제2 도전형 반도체층 상에 마련되며, 상기 활성층으로부터 방출된 빛을 투과시키는 복수의 그래핀층;과 상기 복수의 그래핀층 사이에 나노 단위의 복수의 금속 입자가 배열된 금속 입자층;을 포함함으로써, 표면 플라즈몬 공명 현상을 이용하여 발광효율 및 광추출효율을 향상시킬 수 있는 발광소자를 제공한다.
Abstract:
PURPOSE: A light emitting device with enhanced luminescence using surface plasmon resonance is provided to improve luminous efficiency by inducing a plasmon resonance phenomenon at the interface between a first transparent electrode layer and a second transparent electrode layer. CONSTITUTION: An active layer (400) is formed in the upper part of an n-type semiconductor layer (300). A p-type semiconductor layer (500) is formed in the upper part of the active layer. A transparent electrode layer (600) is formed in the upper part of the p-type semiconductor layer. The transparent electrode layer includes a first transparent electrode layer (610) and a second transparent electrode layer (630) including graphene quantum dots. A concavo-convex pattern is formed in the upper surface of the first transparent electrode layer.